非晶氮化硅纳米粒子的制备及量子限制效应

本文报道了非晶氨化硅纳米粒子的制备及量子限制效应．原始纳米粒子由激光制粉方法获得．采用有机溶剂收集保存，使团聚大幅度减弱，ＳＴＭ发现，这种样品在ＨＯＰＧ上形成平面有序六方密排结构．用ＨＦ酸处理的方法获得了更小尺寸的纳米粒于，硬团聚基本消失．非晶氮化硅纳米粒子在高ＨＦ酸浓度酒精电解质中出现晶化．我们还研究了未经ＨＦ处理的、不同尺寸样品及ＨＦ酸处理前后同一样品的吸收光谱。谱图上有吸收峰，吸收峰随粒径减少蓝移．这证明非晶氮化硅纳米粒子具有量子限制效应．

共轭聚合物中的量子限制效应和能量传递

在共混的两种共轭聚合物中 ,采用分子自组装技术制备了嵌段共轭聚合物量子线的异质结构 ,通过室温下吸收光谱、发光光谱和激发光谱的研究证实了在这种嵌段共轭聚合物量子线的异质结构中存在很强的激子限制效应以及链内和链间的有效能量传递。

Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe量子限制Stark效应光调制器

研究了Ｚｎ１－ ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ 多量子阱Ｓｔａｒｋ 效应光调制器的研制及其在室温下的光学特性，包括透射谱、反射谱以及在不同外场作用下的微分透射谱和微分反射谱，指出了这类调制器目前可以达到的调制幅度，及可能的应用前景．

GaN圆柱形量子点的量子限制Stark频移

研究了圆柱形GaN量子点的电调制反射谱,外加电场的变化范围为10-50 kV/cm,在调制电场的作用下,电反射谱具有Franz-Keldysh振荡的特点.当调制电场的强度发生变化时,Franz-Keldysh振荡出现Stark频移,并分别对轻空穴和重空穴作用下的特点进行讨论.

多孔硅中的新量子限制态和PL光谱

由大量ＰＬ和ＰＬＥ光谱的实验分析得出多孔硅的发光既具有纳米硅中带带跃迁的特征，又受不同表面状态的制约．本文从多孔硅表面化学键叠加构成二维界面势的模型出发提出了表面化学键制约量子限制态．用简单的有效质量计算模型求出了这种新量子态的能级、能谷混合系数、电子波函数及跃迁选择定则、通过这种新量子态解释了多孔硅ＰＬ和ＰＬＥ光谱的实验特性．

量子限制效应对限制在多量子阱中受主束缚能的影响

从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AlAs多量子阱中受主对重空穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的一系列GaAs/AlAs多量子阱,量子阱宽度从3nm到20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主铍(Be)原子的δ掺杂.在4,20,40,80和120K不同温度下,分别对上述系列样品进行了光致发光谱(PL)的测量,清楚地观察到了受主束缚激子从1s3/2(Γ6)基态到同种宇称2s3/2(Γ6)激发态的两空穴跃迁,并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能.理论上应用量子力学中的变分原理,数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系,比较发现理论计算和实验结果符合较好.

半导体表面薄膜的有效量子限制长度和极化子研究

采用提出的等效方法,确定Al_xGa_(1-x)As衬底上GaAs表面薄膜的量子限制长度,在此基础上确定了GaAs薄膜的分数维,进一步利用分数维方法研究了Al_xGa_(1-x)As衬底上GaAs表面薄膜中的极化子特性.

半导体量子点最低导带态的量子限制效应

采用最新计算方法和半导体体材料传统量子计算结果,系统研究了14种半导体(Si,Ge,Sn,AlSb,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,ZnS,ZnSe,ZnTe,CdTe)的立方量子点,得到了最低导带态的量子限制效应结果,我们把量子点对尺寸的依赖关系分为三类并详细讨论了它们的差别。

零维纳米结构中的量子限制──光学和输运性质的探讨

本文在描述量子箱（点）的模型化和箱中受限激子的基础上，着重讨论了量子箱的光学性质和共振隧道效应。

基于量子限制的受主带间跃迁太赫兹探测器的制备与测量

使用分子束外延生长设备,在GaAs(100)衬底上生长了量子阱宽度为3 nm的GaAs/AlAs多量子阱样品,并在量子阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。根据量子限制受主从束缚态到非束缚态之间的跃迁,设计并制备了δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱太赫兹光探测器原型器件。在4.2 K温度下,分别对器件进行了太赫兹光电流谱和暗电流-电压曲线的测量。在6 V直流偏压下,空穴载流子沿量子阱层方向输运。当正入射激光频率为6.8 THz时,器件响应率为2×10-4V/W(2μA/W)。通过器件的暗电流-电压曲线计算了器件全散粒噪声电流,在4.2 K、6 V直流偏压下,全散粒噪声电流为5.03 fA·Hz-1/2。

间接带隙纳米半导体材料的量子限制理论

研究了间接带隙材料量子点的量子限制理论,阐明了间接带隙到直接带隙光跃迁性质的转变机理,计算了激子跃迁能和激子结合能,这些理论结果提示了在纳米 Si、Ge 发光过程中的量子限制效应的重要性。

抛物量子阱的有效量子限制长度及其极化子特性

采用新的等效长度方法确定了抛物量子阱的有效量子限制长度,并与其他方法的结果进行了比较分析.在此基础上,采用分数维方法计算了抛物量子阱中的极化子特性.

量子限制效应对受主跃迁的影响

通过光致发光光谱,研究了量子限制效应对GaAs体材料中均匀掺杂和一系列GaAs/AlAs多量子阱(阱宽范围从30(?)到200(?))中δ-掺杂浅受主杂质铍(Be)原子带间跃迁的影响。实验中所用的样品是利用分子束外延技术生长的均匀掺Be受主的GaAs外延层和一系列在量子阱的中央进行了浅受主Be原子δ-掺杂的GaAs/AlAs多量子阱。在4.2K的低温下,测量了上述样品的光致发光谱,很清楚地观察到了受主束缚激子从基态1S_(3/2)(Γ_6)到两个激发态2S_(3/2)(Γ_6)和3S_(3/2)(Γ_6)的双空穴跃迁。研究发现,随着量子限制效应的增强,受主跃迁能量会增加。对量子限制效应调节受主杂质间跃迁能量的研究,进一步增强了对受主能态可调性的认识,为太赫兹远红外发光器或激光器的研发提供了一种新的途径。

浅谈LED外延生长的量子限制斯塔克效应

氮化物体系LED由于存在大的极化效应,量子限制斯塔克效应显著,即量子阱的能带发生倾斜,电子和空穴在空间分离,辐射复合效率下降。通过引入新型外延结构,可以降低极化电场的影响,从而提高内量子效率。本文采用阶梯型量子阱的新结构设计削弱量子限制斯塔克效应,提高电子和空穴的有效辐射复合几率。

美国制出硅纳米晶体管 展现出明显的量子限制效应

据科技网报道，美国物理学家组织网2011年3月21日报道，美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管，表现出明显的量子限制效应，纳米线的直径越小，电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。相关研究发表在最近出版的《纳米快报》上。

新纳米晶体管展现强量子限制效应

美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管，表现出明显的量子限制效应．纳米线的直径越小，电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。相关研究发表在最近出版的《纳米快报》上。

美制出硅纳米晶体管 展现出明显的量子限制效应

据美国物理学家组织网报道，美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管，表现出明显的量子限制效应，纳米线的直径越小，电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。

新纳米晶体管展现强量子限制效应

据美国物理学家组织网报道，美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管，表现出明显的量子限制效应，纳米线的直径越小．电流越强。该技术有望在生物感测、

Ge/SiGe非对称耦合量子阱强度调制特性仿真

硅基光子学已被广泛认为是能实现片上光电子集成的有效平台,然而迄今为止,对硅基光源、探测器以及调制器等硅基有源器件的研究仍然具有一定的挑战性。为此,提出并仿真分析了一种可以用于实现硅基强度调制的Ge/SiGe非对称耦合量子阱结构。首先,利用8带k·p理论模型对耦合量子阱的能带结构和电子波函数进行了仿真计算;然后,详细分析了外加电场强度在0 kV/cm至60 kV/cm范围内,非对称耦合量子阱对TE和TM偏振模式的传输光的光吸收谱随外加电场强度的变化。仿真结果表明,对于TE偏振模式的传输光,在无外加电场强度条件下,非对称耦合量子阱的第一个吸收带边约在1449 nm处;而在30 kV/cm外加电场下,该量子阱的吸收带边相比于无外加电场情况向长波方向移动约22 nm,比相同外加电压下的普通量子阱显著。本工作所提出的Ge/SiGe非对称耦合量子阱结构是一种有望实现更低工作电压、更高速和更低损耗硅基强度调制器的结构。

将21世纪诺奖实验引入大学物理实验教学——LED中的量子斯塔克效应

目前大学物理实验中所涉及的诺贝尔物理学奖实验多为20世纪的经典实验.百年经典诺奖的实用价值和教育意义已被实践验证.为了深入探索最新诺奖成果的教育价值,使大学生的实验教学与时俱进,与前沿研究接轨,本文将2014年的发光二极管(LED)诺奖实验引入大学物理实验.首先,使学生掌握可见光LED中的多量子阱结构及其发光机理.重点追踪中村修二获奖后对LED的更深入研究,通过对LED发光光谱随注入电流变化的研究,向学生直观展示LED中的量子限制斯塔克效应,并计算出量子阱中压电电场的强度.