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基于量子限制的受主带间跃迁太赫兹探测器的制备与测量 被引量:1
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作者 翟剑波 黄海北 +2 位作者 李素梅 丛伟艳 郑卫民 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期986-991,共6页
使用分子束外延生长设备,在GaAs(100)衬底上生长了量子阱宽度为3 nm的GaAs/AlAs多量子阱样品,并在量子阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。根据量子限制受主从束缚态到非束缚态之间的跃迁,设计并制备了δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱太赫... 使用分子束外延生长设备,在GaAs(100)衬底上生长了量子阱宽度为3 nm的GaAs/AlAs多量子阱样品,并在量子阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。根据量子限制受主从束缚态到非束缚态之间的跃迁,设计并制备了δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱太赫兹光探测器原型器件。在4.2 K温度下,分别对器件进行了太赫兹光电流谱和暗电流-电压曲线的测量。在6 V直流偏压下,空穴载流子沿量子阱层方向输运。当正入射激光频率为6.8 THz时,器件响应率为2×10-4V/W(2μA/W)。通过器件的暗电流-电压曲线计算了器件全散粒噪声电流,在4.2 K、6 V直流偏压下,全散粒噪声电流为5.03 fA·Hz-1/2。 展开更多
关键词 太赫兹探测器 响应率 δ-掺杂量子 量子限制受主
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量子限制受主的光致发光研究
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作者 李素梅 宋淑梅 +3 位作者 吕英波 王爱芳 吴爱玲 郑卫民 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期4936-4940,共5页
对一系列δ掺杂浅受主铍(Be)原子的GaAs/AlAs多量子阱和均匀掺杂Be受主的GaAs体材料中Be原子的能级间跃迁进行了光致发光(PL)研究.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的均匀掺杂Be受主的GaAs外延单层样品和一系列GaAs/AlAs多量... 对一系列δ掺杂浅受主铍(Be)原子的GaAs/AlAs多量子阱和均匀掺杂Be受主的GaAs体材料中Be原子的能级间跃迁进行了光致发光(PL)研究.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的均匀掺杂Be受主的GaAs外延单层样品和一系列GaAs/AlAs多量子阱样品,并在每量子阱中央进行了Be原子的δ掺杂,量子阱宽度为30到200.在4.2 K温度下测量了上述系列样品的光致发光谱,清楚地观察到了束缚激子的受主从基态1s3/2(Γ6)到第一激发态2s3/2(Γ6)的两空穴跃迁.应用变分原理,计算了量子限制Be受主从2s到1s跃迁能量随量子阱宽度的变化关系.研究发现受主跃迁能量随量子阱宽度的变窄而增加,并且实验结果和理论计算符合较好. 展开更多
关键词 量子限制受主 光致发光 量子 Δ掺杂
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Photoluminescence of the Beryllium Acceptor at the Centre of Quantum Wells
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作者 郑卫民 李素梅 +2 位作者 吕英波 王爱芳 吴爱玲 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2115-2120,共6页
We report photoluminescence studies of internal transitions of shallow Be acceptors in bulk GaAs and a series of S-doped GaAs/ALAs multiple quantum well samples with well width ranging from 3 to 20nm. A series of Be S... We report photoluminescence studies of internal transitions of shallow Be acceptors in bulk GaAs and a series of S-doped GaAs/ALAs multiple quantum well samples with well width ranging from 3 to 20nm. A series of Be S-doped GaAs/ AlAs multiple-quantum wells with the doping at the well center and a single epilayer of GaAs uniformly Be doped were grown by molecular beam epitaxy. The photoluminescence spectra were measured at 4,20,40, 80, and 120K, respectively. A two-hole transition of the acceptor-bound exciton from the ground state, 1S3/2 (/8), to the first-excited state, 2S3/2 (Г6) , has been clearly observed. A variational principle is presented to obtain the 2s-1s transition energies of quantum confined Be acceptors as a function of the well width under the single-band effective mass and envelop function approximations. It is found that the acceptor transition energy increases with decreasing quantum-well width, and the experimental results agree well with the theoretical calculation. 展开更多
关键词 quantum confined acceptors δ-doped multiple quantum wells PHOTOLUMINESCENCE
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