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Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe的量子Stark效应的变分法研究 被引量:2
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作者 吴旭明 唐九耀 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期339-342,共4页
用变分法计算了在不同量子阱宽度、不同外电场强度下 ,Zn0 .8Cd0 .2 Se/ Zn Se量子阱中电子、空穴基态能量及激子束缚能的变化规律 ,并根据所得的 Ee、Eh 和 Eb 数据 ,计算出激子吸收峰的 Stark移动 .计算结果显示 ,随着外电场强度和量... 用变分法计算了在不同量子阱宽度、不同外电场强度下 ,Zn0 .8Cd0 .2 Se/ Zn Se量子阱中电子、空穴基态能量及激子束缚能的变化规律 ,并根据所得的 Ee、Eh 和 Eb 数据 ,计算出激子吸收峰的 Stark移动 .计算结果显示 ,随着外电场强度和量子阱宽度的增大 ,量子 Stark效应变得更为显著 .本文还把计算所得的 Stark移动与从激子吸收光谱曲线中得到的实验数据进行了比较 ,当阱宽等于 9nm、电场为 10 0 k V/ cm时 ,两者符合得较好 . 展开更多
关键词 量子stark 效应 变分法 量子 半导体
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GaN圆柱形量子点的量子限制Stark频移 被引量:1
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作者 高海燕 李聪 袁超 《江西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2011年第3期228-230,共3页
研究了圆柱形GaN量子点的电调制反射谱,外加电场的变化范围为10-50 kV/cm,在调制电场的作用下,电反射谱具有Franz-Keldysh振荡的特点.当调制电场的强度发生变化时,Franz-Keldysh振荡出现Stark频移,并分别对轻空穴和重空穴作用下的特点... 研究了圆柱形GaN量子点的电调制反射谱,外加电场的变化范围为10-50 kV/cm,在调制电场的作用下,电反射谱具有Franz-Keldysh振荡的特点.当调制电场的强度发生变化时,Franz-Keldysh振荡出现Stark频移,并分别对轻空穴和重空穴作用下的特点进行讨论. 展开更多
关键词 量子 量子限制stark频移 Franz-Keldysh振荡
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重空穴轻空穴共同作用下GaN柱形量子点的Franz-Keldysh振荡
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作者 高海燕 李聪 +1 位作者 张天杰 袁超 《江西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2012年第1期83-86,共4页
利用包络函数和有效质量理论计算了GaN柱形量子点的电调制反射谱,并用Airy函数表示其柱坐标下薛定谔方程的解.着重分析了重空穴轻空穴共同作用下的GaN柱形量子点电调制反射谱的Franz-Keldysh振荡,并比较了与重空穴、轻空穴单独作用下波... 利用包络函数和有效质量理论计算了GaN柱形量子点的电调制反射谱,并用Airy函数表示其柱坐标下薛定谔方程的解.着重分析了重空穴轻空穴共同作用下的GaN柱形量子点电调制反射谱的Franz-Keldysh振荡,并比较了与重空穴、轻空穴单独作用下波形的不同.随着调制电压逐渐增大,重空穴轻空穴共同作用下的电调制反射谱与其单独作用时一样出现Stark频移,即量子限制Stark频移. 展开更多
关键词 量子 Franz-Keldysh振荡 量子限制stark频移
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垒层Si掺杂对多量子阱InGaN绿光LED性能的影响
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作者 郝锐 马学进 +2 位作者 马昆旺 林志霆 李国强 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期186-189,263,共5页
InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著。对内建电场的屏蔽可以有效提高载流子的辐射复合效率。论文探讨了绿光多量子阱中垒层的Si掺杂对绿光器件性能的影响... InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著。对内建电场的屏蔽可以有效提高载流子的辐射复合效率。论文探讨了绿光多量子阱中垒层的Si掺杂对绿光器件性能的影响。研究发现,多量子阱中垒层适度Si掺杂(3.4×1016 cm-3)可以改善多量子阱结构界面质量和In组分波动,在外加正向电流的作用下更大程度地屏蔽极化电场;同时,还能够增强电流的横向扩展性,提高活化区的有效发光面积。然而,多量子阱中垒层的过度Si掺杂对于绿光LED器件的性能带来诸多的负面影响,比如加剧阱垒晶格失配、漏电途径明显增加等,致使器件光效大幅度降低。 展开更多
关键词 绿光LED INGAN 量子 Si掺杂 量子限制stark效应
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蓝光激光器结构中InGaN/GaN多量子阱界面效应的精细光致发光光谱研究
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作者 王滔 刘建勋 +4 位作者 葛啸天 王荣新 孙钱 宁吉强 郑昌成 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期1179-1185,共7页
金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备InGaN/GaN多量子阱结构时,在GaN势垒层生长的N_(2)载气中引入适量H_(2),能够有效改善阱/垒界面质量从而提升发光效率。本工作利用光致发光(PL)光谱技术,对蓝光激光器结构中的InGaN/GaN多量子阱的发... 金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备InGaN/GaN多量子阱结构时,在GaN势垒层生长的N_(2)载气中引入适量H_(2),能够有效改善阱/垒界面质量从而提升发光效率。本工作利用光致发光(PL)光谱技术,对蓝光激光器结构中的InGaN/GaN多量子阱的发光性能进行了精细的光谱学测量与表征,研究了通H_(2)生长对量子阱界面的调控效应及其发光效率提升的物理机制。室温PL光谱结果显示,GaN势垒层生长载气中引入2.5%的H_(2)使InGaN/GaN多量子阱的发光效率提升了75%、发光峰的峰位蓝移了17 meV、半峰宽(FWHM)减小了10 meV。通过功率依赖的PL光谱特征分析,我们对InGaN/GaN量子阱中的量子限制Stark效应(QCSE)和能带填充(Band Filling)效应进行了清晰的辨析,发现了发光峰峰位和峰宽的光谱特征主要受QCSE效应影响,H_(2)的引入能够大幅度降低QCSE效应,并且确定了QCSE效应被完全屏蔽情况下的发光峰能量为2.75 eV。温度依赖的PL光谱数据揭示了通H_(2)生长量子阱结构中显著减弱的载流子局域化行为,显示界面质量提高有效降低了限制势垒的能量波动,从而导致更窄的发光峰半峰宽。PL光谱强度随温度的变化规律表明,通H_(2)生长并不改变量子阱界面处的非辐射复合中心的物理本质,却能够显著减少非辐射复合中心的密度,有助于提升量子阱的发光效率。通过时间分辨PL光谱分析,发现通H_(2)生长会导致量子阱结构中更短的载流子辐射复合寿命,但不影响非辐射复合寿命。载流子复合寿命的变化特征进一步确认了通H_(2)生长对量子阱结构中QCSE效应和非辐射复合中心的影响规律。综合所有PL光谱分析结果,我们发现通H_(2)生长能够提高InGaN/GaN多量子阱的界面质量、显著减弱应力效应(更弱的QCSE效应)、降低限制势垒的能量波动以及减少界面处非辐射复合中心的密度,从而显著提升量子阱的发光效率。该研究工作充分显示了PL光谱技术对半导体量子结构发光性能的精细表征能力,光谱分析结果能够为InGaN/GaN多量子阱生长提供有价值的参考。 展开更多
关键词 INGAN/GAN多量子 光致发光光谱 量子限制stark效应 载流子局域化 载流子复合寿命
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Universal quantum logic gates in decoherence-free subspace with atoms trapped in distant cavities 被引量:6
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作者 ZHENG ShiBiao 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2012年第9期1571-1576,共6页
We propose a scheme for implementation of a universal set of quantum logic gates in decoherence-free subspace with atoms trapped in distant cavities connected by optical fibers.The selective dispersive couplings betwe... We propose a scheme for implementation of a universal set of quantum logic gates in decoherence-free subspace with atoms trapped in distant cavities connected by optical fibers.The selective dispersive couplings between the ground states and the first-excited states of the atom-cavity-fiber system produce a state-dependent Stark shift,which can be used to implement nonlocal phase gates between two logic qubits.The single-logic-qubit quantum gates are achieved by the local two-atom collision and the Stark shift of a single atom.During all the logic operations,the logic qubits remain in decoherence-free subspace and thus the operation is immune to collective dephasing. 展开更多
关键词 quantum logic gate decoherence.free subspace stark shift
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