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SAW器件用金刚石基c轴取向LiNbO_3压电薄膜的制备 被引量:1
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作者 王新昌 田四方 +1 位作者 贾建峰 王前进 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期810-812,817,共4页
采用脉冲激光沉积技术,在以c轴取向ZnO作为缓冲层的金刚石/硅基底上制备出了结晶良好的高c轴取向LiNbO3薄膜。利用X射线衍射对薄膜的结晶质量和c轴取向性进行了研究,结果表明制得的LiNbO3薄膜具有高度c轴取向且结晶质量良好。采用扫描... 采用脉冲激光沉积技术,在以c轴取向ZnO作为缓冲层的金刚石/硅基底上制备出了结晶良好的高c轴取向LiNbO3薄膜。利用X射线衍射对薄膜的结晶质量和c轴取向性进行了研究,结果表明制得的LiNbO3薄膜具有高度c轴取向且结晶质量良好。采用扫描电子显微镜和原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀,薄膜表面粗糙度约为20nm。 展开更多
关键词 LiNbO3压电薄膜 金刚石/硅基底 脉冲激光沉积
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