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SAW器件用金刚石基c轴取向LiNbO_3压电薄膜的制备
被引量:
1
1
作者
王新昌
田四方
+1 位作者
贾建峰
王前进
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期810-812,817,共4页
采用脉冲激光沉积技术,在以c轴取向ZnO作为缓冲层的金刚石/硅基底上制备出了结晶良好的高c轴取向LiNbO3薄膜。利用X射线衍射对薄膜的结晶质量和c轴取向性进行了研究,结果表明制得的LiNbO3薄膜具有高度c轴取向且结晶质量良好。采用扫描...
采用脉冲激光沉积技术,在以c轴取向ZnO作为缓冲层的金刚石/硅基底上制备出了结晶良好的高c轴取向LiNbO3薄膜。利用X射线衍射对薄膜的结晶质量和c轴取向性进行了研究,结果表明制得的LiNbO3薄膜具有高度c轴取向且结晶质量良好。采用扫描电子显微镜和原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀,薄膜表面粗糙度约为20nm。
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关键词
LiNbO3压电薄膜
金刚石/硅基底
脉冲激光沉积
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职称材料
题名
SAW器件用金刚石基c轴取向LiNbO_3压电薄膜的制备
被引量:
1
1
作者
王新昌
田四方
贾建峰
王前进
机构
郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期810-812,817,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50702051)
硅材料国家重点实验室开放课题资助项目(SKL2008-4)
文摘
采用脉冲激光沉积技术,在以c轴取向ZnO作为缓冲层的金刚石/硅基底上制备出了结晶良好的高c轴取向LiNbO3薄膜。利用X射线衍射对薄膜的结晶质量和c轴取向性进行了研究,结果表明制得的LiNbO3薄膜具有高度c轴取向且结晶质量良好。采用扫描电子显微镜和原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀,薄膜表面粗糙度约为20nm。
关键词
LiNbO3压电薄膜
金刚石/硅基底
脉冲激光沉积
Keywords
LiNbO3 piezoelectric films
diamond/Si substrate
pulsed laser deposition
分类号
TM282 [一般工业技术—材料科学与工程]
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SAW器件用金刚石基c轴取向LiNbO_3压电薄膜的制备
王新昌
田四方
贾建峰
王前进
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
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