基于金刚石的光纤近场探头和芯片表征

随着单片微波集成电路(MMIC)集成度和复杂度的提高,芯片功能模块之间的距离越来越近,特征线宽越来越窄,对于分析芯片内部的信号路径和信号的完整性,能够提供芯片表面的高分辨微波场成像显得尤为重要。为了解决准确检测芯片内部结构完整无损的问题,这项工作采用了一种基于光纤的近场扫描探头的方法,其中包含氮空位(NV)色心的金刚石颗粒固定在光纤的尖端,通过搭建光路并接收金刚石NV色心的荧光信号,从而推理出被测芯片的磁场强度。该实验选取一个微波低噪声放大器芯片内部的区域进行扫描成像,得到了较好的成像结果,并准确分析出芯片的信号线走势。这些结果为高度集成芯片和滤波器等集成器件的功能和失效分析提供了变革性的方法。

施源器材料对192Ir后装源水中吸收剂量的影响

目的应用3D打印支架联合人造金刚石探头测量施源器材料对高剂量率后装192Ir源水中吸收剂量的影响。方法将金刚石探头与塑料插植针分别固定在3D打印支架上,金刚石探头的中心轴与塑料插植针的中心轴在一个平面内相互垂直。采用模拟源尺测量实测驻留位置为248 mm,该驻留位置与逐点测量的最大响应位置吻合。测量材料有304不锈钢、聚亚苯基砜树脂(PPSU)材料、有机玻璃(PMMA)材料和3D打印聚乳酸(PLA)材质。测量水中不同厚度或不同填充率的材料对吸收剂量的衰减。结果304不锈钢和PPSU材料厚度与相对剂量的线性拟合公式分别为y=-0.0297x+1.0003,y=-0.0023x+1.0102;拟合优度R2分别为0.9253和0.7222。10 mm以内PMMA材料对剂量的影响均<1.5%。3D打印材料填充率(%)与相对剂量的线性拟合公式为y=-0.0004x+1.0246,拟合优度R2为0.8545。结论施源器材料,尤其是高密度材料(如304不锈钢)和新型技术材料(如3D打印PLA),对192Ir后装源的吸收剂量影响需引起施源器开发人员和临床应用者的足够重视。