金刚石膜/硅复合基片的制备工艺研究

通过等离子体喷射法硅衬底制备金刚石的试验,研究了硅片规格、硅片前期预处理、金刚石膜沉积以及后期热处理等对制备复合基片性质和裂纹产生的影响,对各个工序进行优化和改进,确定了制备金刚石膜/硅复合基片最佳的工艺流程。实验结果表明:在硅基片制备的金刚石膜厚度大于20μm,抛光后金刚石膜表面粗糙度Ra达到5.2 nm,剩余金刚石膜厚度大于10μm,平面度小于30μm,复合基片各项指标均达到电子器件制作的技术要求。

电化学法预处理硅基片提高金刚石成核密度的研究

通过用电化学法预先沉积一层碳膜的方法，利用热丝化学汽相沉积法使金刚石在光滑硅片上的成核密度达到１０７ｃｍ－２左右，与未镀碳膜相比提高了近３个数量级。文中还分析了可能的原因。

一种自支撑金刚石膜的制备方法

本发明公开了一种自支撑金刚石膜的制备方法，属于化学气相沉积金刚石膜技术领域。本发明方法首先在硅基片上表面及侧表面预沉积一层钛金属涂层，然后在含钛金属涂层的硅基片上表面再沉积一层钼金属涂层，再采用化学气相沉积方法在预沉积钛／钼复合金属涂层的硅基片上表面沉积金刚石膜，最后使用草酸溶液腐蚀样品得到自支撑金刚石膜并回收硅基片重复使用。与现有技术相比，本发明具有的优点有：金刚石膜形核快，能缩短沉积时间；硅片可以重复使用，能降低生产成本；能够避免常规酸腐蚀硅基片时造成的环境污染。

在传输机上电镀膜层的方法

在传输机上电镀膜层的方法包括以下步骤：将传输机表面清洁干净；喷射氢和四甲基硅烷气体，然后应用电流在工作腔室内产生一个偏电场，从而在传输机上形成一层附着的膜；喷射烃和氢及四甲基硅烷气体进入工作腔室内，从而在附着的膜上形成复合膜，同时保持偏电场的电压在400-700V，功率控制在8001500W，从而在复合膜上形成非晶类金刚石薄膜。

微条气体室(MSGC)基板材料的研究

根据微条气体室(MSGC)探测器的工作原理,分析了MSGC基板的选择依据,同时首次提出采用金刚石膜/硅复合材料作为MSGC基板的可行性。采用热丝辅助化学气相沉积(HFCVD)技术和相关退火工艺获得了金刚石膜/硅复合材料,并采用SEM、Raman光谱仪、微电流仪对复合材料的表面状况、结构、I V和C F特性进行了表征。结果表明,该复合材料经抛光后表面平整,退火后电阻率达约2.9×1010Ω·cm,电容值小且随频率变化稳定,均满足MSGC对基板材料的要求。

微条气体室基板研究(英文)

提出采用金刚石膜/硅复合材料作为MSGC基板的可行性。采用热丝辅助化学气相沉积(HFCVD)技术和相关退火工艺获得了金刚石膜/硅复合材料,并采用SEM、Raman光谱仪、微电流仪对复合材料的表面状况、结构、I-V和C-F特性进行了表征。结果表明,该复合材料经抛光后表面平整,退火后电阻率达2.9×10^(10)Ω·cm,电容值小且频率变化稳定,均满足MSGC对基板材料的要求,是一种应用前景极其广泛的MSGC衬底材料。