金刚线切割多晶硅片表面减反射绒面的制备

为解决金刚线切割多晶硅片表面制绒的问题,提出了一种创新的两步腐蚀制备硅表面陷光结构的方法。先以浓硫酸作为添加剂去除表面线痕,然后通过酸雾腐蚀法获得一种微米纳米复合的多孔陷光结构。样品在300~1100nm波长范围内的平均光反射率被降至8.6%,减反射效果优良,少子寿命提升0.6μs以上。此方法具有操作简单,无需复杂设备,成本低等优点,易实现工业化生产。

醋酸铜辅助催化刻蚀制备金刚线切割多晶硅片绒面

金刚线切割多晶硅片表面减反射结构难以制备的问题阻碍着多晶硅光伏的进步。银辅助的酸腐蚀是解决这一问题的较好方法,但银的消耗和废液处理等增加了成本。本研究提出了醋酸铜辅助催化刻蚀金刚线切割多晶硅片方案,考察了刻蚀反应温度和时间对硅片表面形貌的影响,确定了最优的反应温度和时间分别为25℃和5 min。在此条件下,所获得的多晶硅在300~1100 nm波段的平均反射率为15.1%。按照标准太阳电池制备工艺流片后,所获太阳电池的光电转换效率为19.4%。