高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展

基于金属氧化物半导体(MOS)的薄膜晶体管(TFT)由于较高的场效应迁移率(μFE)、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点,已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)率先替代非晶硅(a-Si)在TFT中得到推广应用。然而,为了同时满足显示产业对更高生产效益、更佳显示性能(如高分辨率、高刷新率等)和更低功耗等多元升级要求,需要迁移率更高的MOS TFTs技术。本文从固体物理学的角度,系统综述了MOS TFTs通过多元MOS材料实现高迁移率特性的研究进展,并讨论了迁移率与器件稳定性之间的关系。最后,总结展望了MOS TFTs的现状和发展趋势。

半导体/金属薄膜的研究进展

半导体／金属薄膜是膜材料中传统而有生命力的材料，在电子及微电子工业、能源、信息科学等领域中的应用越来越广泛［１］。近年来，随着科技的发展，半导体／金属薄膜的应用领域已从传统电子工业中的晶体管、整流器、欧姆接触，扩展到微电子、太阳能利用、半导体多相催化...

溶胶——凝胶法制备VOx薄膜的半导体——金属相转变

本文用 VO(i-OC_3H_7)_3为原料采用溶胶—凝胶浸渍法在石英玻璃基片上制备了凝胶薄膜,通过真空热处理获得了具有半导体—金属可逆相转变现象的 VO_x(2≤x<2.5)薄膜,其相转变温度为67℃,相转变前后近红外区域薄膜的透过率变化可达50%,红外光谱研究表明,x 值接近于2。

非晶态半导体／金属薄膜的分形晶化

本文综述非晶态半导体／金属薄膜退火过程中金属诱导非晶态半导体晶化的研究，综述对若干非晶态半导体与金属组成的薄膜（Ｇｅ－Ａｕ、Ｇｅ－Ａｇ、Ｇｅ－Ａｌ、Ｇｅ－Ｓｅ、Ｇｅ－ｐｄ、Ｓｉ－Ａｇ、Ｓｉ－Ａｌ、Ｓｉ－ｐｄ、Ｓｉ－Ｃｕ、ｓｉｃ－Ａｌ、Ｓｉ＿３Ｎ＿４－Ａ１）晶化后形成的图形进行的分形研究，内容包括分形形成的实验规律、根据微结构电镜观测结果提出的随机逐次成核模型、以及对分形晶化进行的计算机模拟。

金属－半导体金刚石薄膜的接触性质研究

金属－半导体金刚石薄膜的接触性质研究刘兴钊，杨邦朝，李言荣，贾宇明（电子科技大学．成都６１００５４）一、引言金刚石薄膜由于具有载流子饱和速率大、击穿电压高、介电常数低、热导率高等优异性能，被认为是大功率、高瞻及恶劣环境下使用的电子元件的理想材料．在金...

金属-有机薄膜-半导体的伏安特性

金属和半导体之间蒸上聚乙烯(PE)薄膜后的伏安特性的实验结果表明,存在PE薄膜时具有较高的势垒和较小的反向电流。PE薄膜实际上是金属超微粒子与PE薄膜组成。这种薄膜在低温下具有电学双稳态效应。

金属纳米颗粒-半导体复合薄膜材料的研究现状

文章综述了目前纳米材料的研究方向和应用前景

金属微粒-半导体薄膜中小胶粒的光吸收和散射

金属微粒-半导体薄膜具有特殊的电学、光学及光电特性。本文讨论了埋藏于半导体基体中金属小胶粒光吸收和光散射公式。这些胶粉可以是球形,也可以是长球或扁球形。本文以银胶粒-氧化铯半导体为例,讨论了胶粒大小、椭球的偏心率对相对光吸收系数和光散射系数的影响,并给出这些系数随波长改变的曲线。

稀土细化的贵金属纳米颗粒/半导体(BaO)复合薄膜的制备

文章介绍了用稀土元素在真空沉积下细化贵金属颗粒的方法 。

金属和半导体纳米微粒薄膜的制备

由于金属、半导体纳米微粒在光物理、光化学、光催化等方面具有突出的性能 ,因此如何将金属、半导体纳米微粒通过某些方式构建成某些薄膜材料 ,对实现纳米微粒在分子器件和光电器件方面的应用具有重要的意义 .本文以制备方法为主线 ,介绍了几种构建金属、半导体纳米微粒薄膜的基本方法 。

半导体/金属薄膜的应用及发展

介绍了半导体／金属薄膜在光磁技术、光解水、电化学照相、电子及微电子工业中的应用以及发展趋势。

半导体陶瓷型薄膜气敏传感器的研究进展

半导体陶瓷型薄膜气敏传感器,具有灵敏度高、与气体反应快、制备成本较低等优点,已经成为近年传感器研究和开发的重点,是未来气敏传感器的发展方向之一。本文介绍了陶瓷型半导体薄膜气敏传感器常见的器件结构、薄膜材料的主要制备方法,部分主要的半导体金属氧化物薄膜气敏材料,以及近期相关的研究进展,并扼要分析了今后的发展方向。

生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置

本发明的的生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置，包括生长室、进样室、连接生长室和进样室的活动闸板及用于活化裂化氮源气体的原子发生器，原子发生器的出气管置入生长室内，生长室采用水冷结构，具有双层壁，夹层充冷却水冷却，在生长室设有由电机带动旋转的水平样品架、样品加热器、氧源进气管、锌源进气管和排气口。工作时，将清洗后的衬底通过进样室输送到生长室，样品生长面水平朝下固定在样品架上，输入不同的反应气体生长不同性能的晶体薄膜，同时，将经原子发生器活化裂化高纯氮源气体分离出的氮原子输入生长室，可以获得厚度均匀、高质量的n型和P型ZnO半导体晶体薄膜。

金属有机化学气相沉积法制备SnO_2/MCM-41半导体传感器及其性能研究

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研究发现,随着SnO2沉积量的增加,孔径有规律地下降,说明SnO2较均匀地沉积在介孔分子筛MCM-41的孔道之中.SnO2/MCM-41半导体传感器对CO和H2具有较高的传感性能,其传感性能的大小与CO和H2的浓度成正比.

半导体/金属膜中分形形成的机制

本文综述了半导体/金属膜中分形形成的若干机制。在二元共晶系中分形由金属诱导非晶态半导体晶化和二组元横向互扩散引起。在有中间相的二元系中存在界面反应过程和金属诱导晶化过程之间的竞争。在晶态Ge-Au/Au(Au晶粒尺寸很不均匀)双层膜中分形主要通过大晶粒的熟化导致小晶粒问界处出现空洞而形成。

ZnO基稀磁半导体薄膜性能研究进展

目前研究磁性半导体的主要方法是对半导体进行过渡金属元素(Mn,Co,Fe)掺杂,使之具备半导体和磁性材料的综合特性,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。本文对近几年来过渡金属离子掺杂的ZnO薄膜材料磁性能的研究进展作一综述。

过渡金属掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究进展

由于稀磁半导体(DMS)潜在的应用前景,近年来许多研究小组开始了对过渡金属(TM)掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究。综述了TM掺杂ZnO的制备以及TM掺杂对ZnO薄膜结构和性能的影响,特别是对磁学性质的影响。

稀磁半导体薄膜Ti_(0.93)Co_(0.07)O_2显微结构的研究

目的:本工作利用分析电子显微术和X 射线衍射方法研究了Ti0 93Co0 07O2薄膜材料的显微结构。研究结果表明:Co元素主要以替代TiO2锐钛矿结构中的Ti的形式存在;虽然利用透射电镜观察,可偶尔看到局部Co的金属团簇的存在,但数量极少。这表明Ti0 93Co0 07O2薄膜具有独特的稀磁系统特征,其铁磁性的产生不来自于Co的团簇,而可能来自载流子调制。通过X 射线能谱分析得到了Ti0 93Co0 07O2薄膜中Co与Ti的成分分布,Co与Ti的原子比不严格地等同于薄膜的名义配比0 07,而是在纳米尺度上有成分起伏。高分辨图像显示,Ti0 93Co0 07O2薄膜中晶面扭曲,晶格发生畸变,主要是由于薄膜中Co的成分起伏、价态变化等因素共同造成的。

激光诱导击穿光谱技术在半导体材料检测方面的应用进展

对于半导体材料的研究来说,其在材料内部的元素组成以及含量是影响其性能的一个重要因素,常规的检测方法虽然能够检测出样品中成分以及含量信息,但是在这过程中存在成本高、效率低、耗时长、过程较为繁琐等问题。在分析技术领域不断发展的今天,急需寻找一种便携、新颖、与当今材料相匹配的检测技术。正是基于以上需求,激光诱导击穿光谱(LIBS)技术逐步走进了大众的视野,对LIBS技术进行了简要介绍,在此基础上着重介绍了利用LIBS技术来分析半导体材料表面的微分析研究与半导体材料金属氧化物纳米薄膜方面的研究进展,介绍了LIBS技术在这两方面检测的优势以及未来LIBS技术在这些方面的发展。

过渡会属氧化物半导体薄膜的光电化学研究及其应用

20世纪是电子产业的世纪,21世纪将是“光子”产业的时代。有关光子与电子的耦合行为,其诱发的化学、物理和生物过程以及应用将成为学术界和产业界最受关注的研究领域。近年.随着成膜技术、纳米粒子技术、激光技术以及测定表征技术（如 STM、AFM和显微拉曼等）的发展,光电化学的研究进入了一个崭新的时期并显示出极大的应用前景。这些研究都属于多学科交叉的前沿学科。现在,虽然从基础到应用都还处于初期研究阶段,但已崭露头角。进一步的研究不仅可以使其在基础领域有较大的学术突破,而且在新能源开发、信息处理、环境保护、新型太阳能电池等领域可能导致许多应用价值很高的新技术的诞生。它将成为二十一世纪一个重要的研究和产业领域。本文将着重介绍氧化物半导体薄膜光电化学研究领域的一些新进展。