1
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功率金属-氧化物半导体场效应晶体管静电放电栅源电容解析模型的建立 |
苏乐
王彩琳
谭在超
罗寅
杨武华
张超
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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2
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双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管重离子单粒子效应 |
李洋帆
郭红霞
张鸿
白如雪
张凤祁
马武英
钟向丽
李济芳
卢小杰
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《物理学报》
SCIE
EI
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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3
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高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 |
李强
葛春桥
陈露
钟威平
梁齐莹
柳春锡
丁金铎
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《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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4
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不同栅压下Si-n型金属氧化物半导体场效应管总剂量效应的瞬态特性仿真 |
张林
马林东
杜林
李艳波
徐先峰
黄鑫蓉
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2023 |
0 |
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5
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40nm金属氧化物半导体场效应晶体管感应栅极噪声及互相关噪声频率与偏置依赖性建模 |
王军
王林
王丹丹
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2016 |
5
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6
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单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管源漏电流特性模型 |
吕懿
张鹤鸣
胡辉勇
杨晋勇
殷树娟
周春宇
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
1
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7
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65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制 |
马武英
姚志斌
何宝平
王祖军
刘敏波
刘静
盛江坤
董观涛
薛院院
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2018 |
2
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8
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垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管电学法热阻测试中测试电流的研究 |
吕贤亮
黄东巍
周钦沅
李旭
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《电气技术》
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2020 |
0 |
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9
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γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响 |
郝敏如
胡辉勇
廖晨光
王斌
赵小红
康海燕
苏汉
张鹤鸣
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2017 |
2
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10
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U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响 |
陈扶
唐文昕
于国浩
张丽
徐坤
张宝顺
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2020 |
2
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11
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金属氧化物半导体场效应晶体管中总剂量效应导致的阈值电压漂移研究现状 |
刘一宁
王任泽
杨亚鹏
王宁
冯宗洋
贾林胜
张建岗
李国强
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《辐射防护》
CAS
CSCD
北大核心
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2020 |
0 |
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12
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窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管 |
文争
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《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
0 |
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金属——氧化物——半导体场效应晶体管(MOSFET) |
吴腾奇
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《广东电子》
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1994 |
0 |
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14
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GaAs-InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备 |
陈松岩
李玉东
王本忠
张玉贤
刘式墉
刘悦
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《高技术通讯》
CAS
CSCD
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1995 |
0 |
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15
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高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应 |
李勇
谢海燕
杨志强
宣春
夏洪富
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《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
0 |
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16
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4H-SiC金属-半导体场效应晶体管大信号I-V特性和小信号参数的计算 |
王平
杨银堂
刘增基
尚韬
郭立新
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《计算物理》
EI
CSCD
北大核心
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2011 |
0 |
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17
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太赫兹互补金属氧化物半导体场效应管探测器理论模型中扩散效应研究 |
张镜水
孔令琴
董立泉
刘明
左剑
张存林
赵跃进
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2017 |
0 |
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18
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基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器 |
刁文豪
江伟华
王新新
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《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
2
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19
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氮化硅膜致小尺寸金属氧化物半导体晶体管沟道单轴应变物理机理 |
杨旻昱
宋建军
张静
唐召唤
张鹤鸣
胡辉勇
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
1
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20
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喷墨打印高迁移率铟锌锡氧化物薄膜晶体管 |
赵泽贤
徐萌
彭聪
张涵
陈龙龙
张建华
李喜峰
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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