含氟低介电常数有机材料研究进展

低k(介电常数)介质材料替代传统SiO2作为互连金属介电层是集成电路发展的必然趋势。总结了低k材料性能基本要求及制备方法,重点探讨含氟低k有机材料研究进展。认为获得k值低且综合性能优异的含氟有机材料是最终目的,并对含氟低k有机材料的研究前景进行了展望。

低介电常数材料研究及进展

叙述了集成电路制造技术的发展及低介电常数(κ)金属介电层的研究背景,回顾了传统SiO2作为金属介电层所面临的问题,低κ材料取代传统SiO2介电材料是解决上述问题的有效方法。分析了低κ材料的性能要求,论述了改性SiO2基介电材料、氟化非晶碳材料、有机介电材料和复合介电材料4大类低κ材料国内外研究进展,认为现有的各种低κ材料都存在一些优缺点,表明获得综合性能优异的低κ材料才是最终目的。认为可通过分子设计制备低κ材料,研究分子结构与性能之间的关系,从而摸索出适合低κ材料的研究方法。