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VLSI圆片级可靠性技术
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作者 章晓文 恩云飞 《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第3期44-49,共6页
介绍了圆片级可靠性技术产生的背景,对其特点和作用作了详细的论述。测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连接完整性测试和热载流子注入测试,根据测试数据,对1.0μm工艺线单一失效机理的可靠性进行了评价,对不同... 介绍了圆片级可靠性技术产生的背景,对其特点和作用作了详细的论述。测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连接完整性测试和热载流子注入测试,根据测试数据,对1.0μm工艺线单一失效机理的可靠性进行了评价,对不同测试结构的作用进行了说明。 展开更多
关键词 圆片级可靠性技术 金属化完整性 氧化层完整性 连接完整性 热载流子注入 集成电路
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