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金属场板加SIPOS电阻场板的新型终端技术
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作者 尹贤文 何林 黄平 《微电子学》 CAS CSCD 1992年第6期4-7,共4页
本文介绍了一种金属场板结合SIPOS电阻场板的新型终端结构,该终端能实现平面结理想击穿值的80%以上。对这种终端结构的设计,采用了一种简单方法。根据实验结果,对金属场板和SIPOS电阻场板的互补功能进行了详细的分析。
关键词 金属场板 SIPOS 电阻 终端设备
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一种高压功率器件场板技术的改进与设计 被引量:1
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作者 李宏杰 冯全源 陈晓培 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期258-261,共4页
为了解决功率器件高击穿电压与减小表面最大电场需求之间的矛盾,提出了一种高压功率器件终端场板改进方法。通过调节金属场板和多晶硅场板的长度,使金属场板覆盖住多晶硅场板,最终使得两者的场强相互削弱,从而减小表面最大电场。采用TCA... 为了解决功率器件高击穿电压与减小表面最大电场需求之间的矛盾,提出了一种高压功率器件终端场板改进方法。通过调节金属场板和多晶硅场板的长度,使金属场板覆盖住多晶硅场板,最终使得两者的场强相互削弱,从而减小表面最大电场。采用TCAD(ISE)软件对该结构进行仿真验证,结果表明该结构能够在保证高耐压的前提下减小表面最大电场。基于所提方法,设计出了一种七个场限环的VDMOSFET终端结构,其耐压达到了893.4 V,表面最大电场强度只有2.16×105 V/cm,提高了终端的可靠性。 展开更多
关键词 VDMOSFET终端结构 金属多晶硅 限环 表面最大电强度
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双层场板长漂移区LDMOS热载流子退化研究
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作者 姜一波 王晓磊 +5 位作者 徐曙 顾刘强 梁艳 魏义 韩宇锋 李辉 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第5期339-344,360,共7页
以中国科学院微电子研究所开发的双层场板长漂移区LDMOS为研究对象,通过长效(Long-term)可靠性实验展示了其特殊性退化过程,即I_(dss)快速下降—略微增长—再缓慢下降。通过TCAD仿真对双层场板长漂移区LDMOS的特殊退化现象进行仿真与分... 以中国科学院微电子研究所开发的双层场板长漂移区LDMOS为研究对象,通过长效(Long-term)可靠性实验展示了其特殊性退化过程,即I_(dss)快速下降—略微增长—再缓慢下降。通过TCAD仿真对双层场板长漂移区LDMOS的特殊退化现象进行仿真与分析,展示了器件内部物理量的变化。从理论上阐明了双层场板长漂移区LDMOS热载流子退化机理并对其特殊退化过程进行了解释说明。 展开更多
关键词 长效可靠性 热载流子退化 双层长漂移区横向双扩散金属氧化物效应晶体管 热空穴注入
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一种高性能快速关断型槽栅MOS器件 被引量:1
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作者 樊冬冬 汪志刚 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2017年第1期40-43,47,共5页
提出了一种高性能快速关断型槽栅MOS器件.与常规型器件相比,这种新型器件在氧化槽内引入了两个垂直场板,这不仅使得器件在漂移区内引入了两个新的电场峰值,增大了器件的击穿电压BV,而且使得器件垂直漏场板周围形成了一层浓度更大的积累... 提出了一种高性能快速关断型槽栅MOS器件.与常规型器件相比,这种新型器件在氧化槽内引入了两个垂直场板,这不仅使得器件在漂移区内引入了两个新的电场峰值,增大了器件的击穿电压BV,而且使得器件垂直漏场板周围形成了一层浓度更大的积累层,降低了导通电阻.故提高了器件的巴利加优值FOM.由于这种新型器件纵向栅、漏场板之间存在的垂直场板使得影响器件开关速度的栅漏电容值部分转化为器件的栅源电容以及漏源电容.结果分析表明:氧化槽宽度为1.7μm、漂移区浓度为2.3×1015cm-3时这个新型器件巴利加优值FOM提升了84.8%,栅漏电荷Q_(GD)提升了26.8%. 展开更多
关键词 金属场板 巴利加优值 栅漏电容 氧化槽
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基于埋层结构的高压功率MOS器件终端设计
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作者 宋迎新 马捷 +4 位作者 侯杰 孙德福 刘进松 李泽宏 任敏 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第5期352-356,共5页
为改善传统结终端延伸(JTE)结构的终端注入剂量偏低、终端对表面固定电荷敏感、终端尺寸优化不够等缺陷,设计了一种基于场板(FP)与埋层(BL)的新型终端结构,用于降低表面固定电荷对击穿电压的影响,并且通过提高JTE区域的掺杂剂量,同时优... 为改善传统结终端延伸(JTE)结构的终端注入剂量偏低、终端对表面固定电荷敏感、终端尺寸优化不够等缺陷,设计了一种基于场板(FP)与埋层(BL)的新型终端结构,用于降低表面固定电荷对击穿电压的影响,并且通过提高JTE区域的掺杂剂量,同时优化表面电场,实现了终端电场更加均衡,提高了击穿电压及减少结终端尺寸。利用仿真软件对提出的新型终端结构进行仿真,对新结构的电场分布、击穿电流电压曲线、击穿电压随终端JTE区注入剂量变化和击穿电压随表面固定电荷Qf变化四个方面进行分析,结果表明:相比传统JTE终端,本文设计的新型终端尺寸缩短16%,耐压提升约20%,同时可靠性也有所提升。 展开更多
关键词 结终端扩展 埋层 高能离子注入 金属场板 击穿电压
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Casimir Effect for Dielectric Plates
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作者 SHAO Cheng-Gang TONG Ai-Hong LUO Jun 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2006年第3期499-504,共6页
We generalize Kupisewska method to the three-dimensional system and another derivation of the Casimir effect between two dielectric plates is presented based on the explicit quantization of the electromagnetic field i... We generalize Kupisewska method to the three-dimensional system and another derivation of the Casimir effect between two dielectric plates is presented based on the explicit quantization of the electromagnetic field in the presence of dielectricsl where the physical meaning of "evanescent mode" is discussed. The Lifshitz's formula is rederived using all the vacuum mode functions, which include the contribution of the 'evanescent modes'. Only in the case of the perfect, metallic plates will the evanescent modes become unimportant. 展开更多
关键词 Casimir effect electromagnetic field quantization evanescent mode
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