金属基复合透明导电多层膜的研究进展

简要分析了金属基复合透明导电多层膜的发展及应用现状,对其原理、结构设计、稳定性等方面的研究概况及其存在的问题进行了讨论。阐述了金属基复合透明导电多层膜的发展趋势。

金属基叠层透明导电薄膜研究进展

金属基叠层透明导电薄膜具有优异的光电性能,合理选择膜层材料,设计膜层厚度,可调整其电导率和折射率,在光电器件领域应用前景广阔。该文结合金属基叠层透明导电薄膜目前的研究工作,综述其选材、制备方法及后续处理,介绍金属基叠层透明导电薄膜的相关应用,并对其研究和发展趋势进行展望。

金属基复合透明导电膜的研究

透明导电薄膜作为一种新型的光电材料显示出多种优异的光电性能和具有广泛的应用背景。综述了金属基复合透明导电膜的发展历程与研究现状,重点讨论了电介质/金属/电介质(D/M/D)和透明导电氧化物/金属/透明导电氧化物(TCO/M/TCO)这两种类型的多层复合膜,分析了其设计原理和存在问题,并指出了控制金属层的厚度和界面扩散是制备高性能光电薄膜的重要方面,最后介绍了金属基复合膜应用,并对其研究进行了展望。

介质/金属/介质多层透明导电薄膜研究进展

综述了介质/金属/介质(dielectric/metal/dielectric,D/M/D)多层透明导电膜材料的特点、制备方法、研究进展与应用现状,重点比较讨论了 ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS 的膜系结构、光电性能、化学稳定性、热稳定性等特点,以及与国内外的研究差距。ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS 是目前光电性能最好,且无需引入过渡层的两种 D/M/D膜系,但有关其热稳定性的评价和研究存在不同的观点。用资源丰富、价格便宜、无毒的掺铝氧化锌(ZAO)薄膜取代含有价格昂贵的贵金属铟的掺锡氧化铟(ITO)薄膜,ZAO/Ag/ZAO 膜系结构的设计、薄膜制备、光电性能与 IMI 的对比研究是目前国内外 D/M/D 研究中的热点课题和 D/M/D 发展的主要方向。

复合绒面透明导电薄膜研究

在常规非晶硅电池绒面SnO2 衬底上 ,采用Zn∶Al重量比为 5 %的金属靶直流反应磁控溅射沉积ZnO ,构成复合绒面SnO2 /ZnO透明导电膜。控制适当ZnO厚度 ,既能保持SnO2 绒面效果 ,又可阻挡H离子对SnO2 的还原作用 ,可作为微晶硅电池的前电极。文中对ZnO沉积条件以及复合膜的形貌、电光性能进行了讨论。

聚苯胺/聚合物透明导电复合膜研究进展

论述了聚苯胺/聚合物透明导电复合膜的制备及性能。原位聚合法、掺杂聚苯胺旋转涂膜法和机械共混浇铸法均可制备透明导电复合膜。所得复合膜具有良好的透明性、导电性、环境稳定性及耐疲劳性能。

透明导电聚苯胺复合膜的研究进展

本文主要介绍了透明导电聚苯胺复合膜的几种制备方法及提高透明导电复合膜的透明导电性、耐水、耐化学性的最新研究进展。

低方阻、高透光度复合透明导电膜的研制

针对低方阻、高透光度透明导电膜的要求,利用薄膜光学干涉原理,设计了ITO+SiO2复合型的透明导电膜;研究了基底温度、沉积速率、充氧量等工艺参数对ITO膜的影响;利用优化的工艺参数成功制备了复合透明导电膜。测试结果表明,膜层性能优异,能够满足使用要求。

银基透明导电多层膜界面研究进展

由于具有较低的电阻率和成本、较好的机械加工性能、设计上的灵活性,可室温沉积等优点,银基透明导电多层膜已广泛应用于低辐射膜、强电磁屏蔽、低功耗光电子器件特别是柔性电子器件等领域。但由于材料自身的性质与制备条件的差异性,实际制备的金属/电介质(或半导体)透明导电多层膜界面处往往存在表面等离子体共振、界面导电电子散射、膜层脱层开裂等问题,这些均与多层膜界面特性密切相关。本文针对这类问题,评述了近年来银基透明导电多层膜界面研究的进展,并对今后发展给予分析和展望。

退火温度对透明导电Ga_2O_3/ITO周期多层膜性能的影响

用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO靶材在石英玻璃衬底制备Ga2 O3 /ITO周期多层膜.样品在300～800℃真空退火1小时,研究退火温度对薄膜光学和电学性能的影响.400℃退火的Ga2O3/ITO周期多层膜面电阻和电阻率低至68.76Ω/□和3.47×10-3Ω·cm,载流子浓度和霍尔迁移率高达1.30×1020 cm-3和14.02cm2 V-1 s-1.退火温度超过500℃后,Ga2O3膜层和ITO膜层之间开始相互扩散,薄膜结晶质量和导电性变差.所有退火薄膜在紫外-可见光范围的平均光学透过率高于83％,光学带边吸收随退火温度增加发生蓝移,光学带隙从4.59eV增加到4.78eV.

介质/金属/介质透明导电薄膜研究进展

介质/金属/介质(dielectric/metal/dielectric,D/M/D)多层膜既透明又导电且具有柔性,最有可能替代ITO膜,作为透明导电电极,应用于柔性显示、太阳能电池等光电器件。本文介绍D/M/D膜系的起源,分析了透明导电机理,然后,从多层膜制备参数,热处理工艺及纳米银层表面等离激元共振对多层膜光电性能的影响三个方面综述了D/M/D膜系中得到广泛研究的二氧化钛/银/二氧化钛多层膜的最新研究进展,并展望了D/M/D透明导电薄膜的研究方向。

透明导电薄膜材料的研发态势

简述了透明导电薄膜材料的研究现状与发展趋势,特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物(TCO)及金属基复合多层透明导电膜的研究动态,材料设计原理及其应用进行了重点介绍,并就透明导电薄膜材料目前存在的问题及发展方向进行了分析讨论。

纳米Al夹层Ga_2O_3深紫外透明导电膜的研究

用磁控溅射法在室温条件下制备了Al膜、Ga2O3膜及Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜,对其光学和电学性能进行了表征。单层Al膜厚度大于7nm时,光学透射率在近紫外光区域大于可见光区域;Ga2O3膜在深紫外光区域(<300nm)透明,光学带隙4.96eV;Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜透射率截止波长在245nm左右,随着顶层Ga2O3厚度增加,电导率减小,紫外光透射率峰位、吸收边、截止波长红移,透射率峰值先稍微增加,然后逐渐降低。顶层Ga2O3厚度为34nm时,Ga2O3/Al/Ga2O3三层膜在275nm处的透射率达70%,电导率为3346S.cm–1。

插入NiCr合金层对SnO_(2)/Ag/SnO_(2)多层结构透明导电薄膜热稳定性的影响

室温下通过磁控溅射技术制备了SnO_(2)/Ag/SnO_(2)(SAS)、SnO_(2)/Ag/NiCr/SnO_(2)(SANS)和SnO_(2)/NiCr/Ag/NiCr/SnO_(2)(SNANS)三类多层膜。采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、霍尔效应测量仪和紫外-可见分光光度计研究了大气和真空退火温度与薄膜结构、形貌和透明导电性能的关系。结果表明,随着退火温度升高,薄膜的结晶程度及透明导电性能先增强后下降,薄膜的粗糙度先下降后上升。插入NiCr合金层提高了薄膜的热稳定性,且在Ag层两侧插入厚的NiCr合金层时薄膜热稳定性最优。而薄膜在真空环境下比在大气环境下的热稳定性更优。450℃真空退火后,SNANS(1 nm NiCr)薄膜平均透光率(400~800 nm)为90.31%,电阻率为8.21×10^(-5)Ω·cm,品质因子为3.87×10^(-2)Ω^(-1)。

透明导电薄膜材料的研究与发展趋势

本文简述了透明导电薄膜材料的发展现况和趋势,特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物(TCO)及金属基复合多层透明导电膜的研究动态.材料设计原理及其应用进行了重点介绍,并就透明导电薄膜材料目前存在的问题及发展方向进行了分析讨论.

退火温度对ZnO/Mo/ZnO透明导电薄膜结构及光电性能的影响

采用电子束蒸发法成功制备了透明导电的ZnO/Mo/ZnO(ZMZ)复合薄膜,研究了不同的退火温度对其电学和光学性质的影响规律。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能谱仪、紫外可见分光光度计和四探针测试仪等检测手段对样品的性能进行了分析。实验结果表明:随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度提高,晶粒尺寸增大;薄膜的电阻率先降低后升高;薄膜的光学透过率先升高后降低。当退火温度为250℃时,ZnO/Mo/ZnO薄膜具有最佳的综合光电性能,在400nm^900nm波长范围内最高透过率为81.4%,平均透过率高于80%,最低电阻率为1.71×10-4Ω·cm,表面电阻为15.5Ω/sq。研究表明所制备的ZMZ复合透明导电薄膜可应用于太阳能电池、液晶显示器等领域。

纳米银线透明导电膜耐UV 保护层应用性研究

纳米银线透明导电膜由上至下一般包括保护层、纳米银线层、底层、基材层,其中保护层通过硅氧化物或金属氧化物与纳米银线膜层表面以及底层形成硅氧键或金属氧桥键,固化后形成的网络结构既不影响纳米银线层的导电性,又可保护纳米银线不被氧化或者脱落,从而确保导电膜性能稳定。本文对开发改进的耐U V保护层进行测评,结合不同类型的纳米银线层和底层,考察改进后的导电膜耐UV性能的提升情况。从验证结果数据可以看出,耐UV保护层满足纳米银线透明导电膜的使用条件,实验室应用性能效果优异。

基底温度对ZnO/Cu/ZnO透明导电膜性能的影响

采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Cu靶的方法在不同基底温度下制备了ZnO/Cu/ZnO多层膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见分光光度计和四探针测试仪对样品的性能进行了表征。结果表明,随着基底温度的升高,ZnO层c轴择优取向明显,结晶程度变好,Cu层的结晶性先变好后逐渐变差;多层膜表面均方根粗糙度随基底温度的升高而增加;光学透过率随基底温度的升高逐渐增大,基底温度为300℃时最大透过率接近90%;面电阻随基底温度的升高逐渐增加,最小面电阻为12.4Ω/□。

有机无机复合膜导电织物的制备与表征

将粒径分布均匀的纳米Fe3O4颗粒、甲基三甲氧基硅烷均匀分散在由十二烷基苯磺酸钠在水中形成的微胶束中,在酸催化条件下,甲基三甲氧基硅烷在纳米Fe3O4颗粒表面发生水解缩合,制备了包覆均匀的纳米SiO2/Fe3O4磁流体。通过二步法在涤棉织物表面沉积纳米磁性颗粒与聚苯胺导电聚合物的复合膜以制备有机无机复合膜导电织物,与聚苯胺单层膜导电织物相比,该有机无机复合膜导电织物具有更低的电阻率,且电阻率随着纳米磁性颗粒含量的增加呈现减小趋势。

一种三明治结构透明导电薄膜的制备及光电性能

采用直流磁控溅射法制备了ZAO/Cu/ZAO多层透明导电薄膜,研究了参铝氧化锌(ZAO)薄膜厚度对多层膜晶体结构和光电特性的影响.用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见光分光光度计及四探针对样品的晶体结构与光电性能等进行了表征.结果表明,多层膜的平均透过率最高达86%,方块电阻达9/sq;ZAO膜层厚度对多层膜的导电性能影响很小,但严重影响可见光透过率;多层膜中的ZAO层仍呈ZnO晶态结构,且具有明显的c轴取向特征.这种三明治结构是一种性能优良的太阳能透明导电层候选材料.