退火温度对Ag/VO_x/Al阻变存储器性能的影响

阻变存储器(RRAM)是下一代最有潜力的非易失性存储器。利用磁控溅射、电子束蒸发和离子束溅射方法制备了一种Ag/VO_x/Al结构的RRAM。使用半导体参数分析仪(Agilent B1500A)测试了器件的电学特性,器件具有双极阻变特性。器件的高阻态的传输机制为空间电荷限制电流(SCLC)机制,低阻态的传输机制为欧姆机制,器件的阻变机制为金属导电细丝机制。研究了不同退火温度(150~300℃)对Ag/VO_x/Al器件阻变性能的影响。研究表明,不同退火温度不仅会影响VO_x薄膜的表面形貌与晶面组成,而且会影响器件的电学性能,在退火温度为200℃时器件的阻变窗口最大,而在300℃时器件的耐久性最优秀。适当的退火温度有益于改善器件的阻变性能。

阳离子迁移型阻变存储材料与器件研究进展

硅基闪存是当前半导体市场的主流非易失性存储器,但其小型化日益接近物理极限.阳离子迁移型阻变存储器是下一代高速、高密度和低功耗非易失性存储器的有力竞争者之一,近些年受到科学界和工业界的广泛关注.本文从材料、阻变机理和器件性能3个方面综述了阳离子迁移型阻变存储器的研究进展,其中材料部分包括电极材料和存储介质,阻变机理部分包括金属导电细丝的存在、生长模式和生长动力学,而器件性能部分包括开关比、擦写速度、擦写功耗、循环耐受性、数据保持特性以及器件小型化潜力.最后,对本领域的未来研究重点进行了展望.

基于Au/KMnAgSe_(2)/Ag结构存储器的阻变效应研究

采用高温固相法合成具有层状结构的KMnAgSe_(2),并首次将其作为阻变层材料制备成结构为Au/KMnAgSe_(2)/Ag的阻变器件。通过一系列电学测试研究了该夹层结构器件的阻变性能,研究表明Au/KMnAgSe_(2)/Ag器件具有明显的双极性阻变特性,并表现出较优的稳定性和非易失性。在经历连续200次的循环测试或103s的时间后电阻开关比仍旧保持在10以上。本实验研究结果为KMnAgSe_(2)应用到阻变存储器件中提供了材料基础和理论指导,将有望成为一种极具潜力的新型非易失性存储器。