退火温度对Ag/VO_x/Al阻变存储器性能的影响

阻变存储器(RRAM)是下一代最有潜力的非易失性存储器。利用磁控溅射、电子束蒸发和离子束溅射方法制备了一种Ag/VO_x/Al结构的RRAM。使用半导体参数分析仪(Agilent B1500A)测试了器件的电学特性,器件具有双极阻变特性。器件的高阻态的传输机制为空间电荷限制电流(SCLC)机制,低阻态的传输机制为欧姆机制,器件的阻变机制为金属导电细丝机制。研究了不同退火温度(150~300℃)对Ag/VO_x/Al器件阻变性能的影响。研究表明,不同退火温度不仅会影响VO_x薄膜的表面形貌与晶面组成,而且会影响器件的电学性能,在退火温度为200℃时器件的阻变窗口最大,而在300℃时器件的耐久性最优秀。适当的退火温度有益于改善器件的阻变性能。