MEMS器件深腔金属引线制备工艺研究

为解决在MEMS器件深腔结构中出现的引线断裂问题，提出了一种W／WNx／Cr／Au四层金属引线制作方法，解决了Au扩散和深腔结构中引线断裂的问题。通过选择喷胶法，选择最合适的光刻参数，解决深腔金属引线光刻难题，制备得到W／WNx／Cr／Au四层金属引线，该引线具有低电阻率、高稳定性等优点，完全满足MEMS器件引线连接要求。

激光散斑干涉法测量金属复合引线热膨胀系数的实验研究

本文采用激光散斑干涉法测量微电子金属封装用金属复合引线的热膨胀系数。该方法有很高的测量精度和灵敏度,并对试件形状、尺寸和表面无特殊要求。同时利用光学方法全场测量的优点,使用已知热膨胀系数的金属材料作为标准试件,可减少温度场不均匀分布及微小变化对测试精度的影响,消除了测量光路几何参数导致的系统误差。在相对简单的实验设备下,得到较高精度金属复合引线的热膨胀系数值。该方法可广泛用于各种新材料的热膨胀系数的测定。

基于CT技术的金属键合引线三维测量专用夹具

准确测量金属键合引线三维形貌,进而通过仿真方式获得键合引线S参数,是评估键合引线对器件级联工艺影响的重要手段。X射线电子计算机断层扫描技术是进行级联电路芯片中金属键合引线测量的有效工具,但是由于级联电路芯片中的键合引线材料、形状、尺寸的特殊性,需要研究专用的夹具提升测量准确度,本文通过结构优化、材料筛选,设计出一种更加稳定、准确度更高的新型测量夹具。

红外探测器组件引线熔断分析

二代红外焦平面探测器组件微型杜瓦中的金属引线是跨接在探测器芯片以及陶瓷引线环之间,其作用是作为介质为探测器芯片提供数字以及模拟信号,并将探测器组件的输出信号导出。本文介绍了二代焦平面探测器组件的杜瓦结构,并对金属引线在低温77K时的物理特性进行了分析,从理论上对金属引线可流过的最大电流进行计算,并通过试验进行验证。

基于MCM-C工艺的3D-MCM实用化技术研究

基于MCM-C(陶瓷厚膜型)工艺,实现了三维多芯片组件(3D-MCM)封装。解决了多层基板制作、叠层间隔离及垂直定位互连等关键工艺问题。制作出层间为金属引线互连结构的3DMCM样品。该样品具有体积小、重量轻、可靠性高等优点。经使用测试,样品的技术指标完全合格,使用情况良好。

微点焊技术在薄膜基板焊接中的应用

概述微点焊接的工作原理和技术特点,以及用于薄膜铂电阻温度传感器中的薄膜基板上细小金属引线的微点焊技术。

微点焊技术在薄膜基板焊接中的应用

概述微点焊接的工作原理和技术特点,以及用于薄膜铂电阻温度传感器中的薄膜基板上细小金属引线的微点焊技术。

连线设计对四端法小电阻测试准确性的影响

阐述对于半导体晶圆的小电阻结构,通常采用四端法进行封装前的电性测试。在测试过程中,探针卡上的悬臂针会向前滑行到与其针痕方向垂直的金属引线位置,严重影响电性测试的准确性。通过连线设计改变传统的测试结构,避免在悬臂针前方的金属走线,有效降低非正常测试的发生。实验结果表明,改进后的结构在进行四端法测试时准确性增加38.5%,显著提高晶圆验收测试机台的测试效率和产能。

具有卷绕或折叠电极的非流体电解质电池

具有卷绕或折叠电极的非流体电解质电池，涉及到一种具有高密度的燃料电池。在离子交换膜两边有不透气隔层，气体扩散载体，金属引线。膜电极和不透气隔层叠加并卷成一层或多层卷筒型，所述的气体扩散载体设在膜电极的两侧，所述的金属引线设在气体扩散载体上，由此构成一卷筒型具有高功率密度的离子交换膜燃料电池。上述卷筒型电池每卷一段进行间断，构成一个单电池，各单电池进行串联或并联连接。该卷简型的隔层与隔层之间设有两层膜电极，气体扩散载体设有膜电极与膜电极之间和膜电极与隔层之间，金属引线设在气体扩散载体上。所述的气体扩散载体采用柔性金属丝网或碳纤维材料。

具有折叠电极的非流体电解质电池

一种具有折叠电极的非流体电解质电池，在离子交换膜两边有不透气隔层，气体扩散载体，金属引线。膜电极和不透气隔层叠加并卷成一层或多层卷筒型，所述的气体扩散载体设在膜电极的两侧，所述的金属引线设在气体扩散载体上，由此构成一卷筒型具有高功率密度的离子交换膜燃料电池。

背照式EMCCD背端处理技术研究

为了消除EMCCD芯片背面平坦抛光光敏区的物理机械缺陷、可动电荷、硅表面界面不连续等产生的电荷态,降低器件暗电流和光电转换效率。采用带介质低能硼注入及激光退火工艺技术,建立一个由P_指向P+的内建场;成功的将硼杂质激活,且结深小于0.1μm,形成了P+/P-型光敏区自建电场,满足BE背端处理的要求。

国内专利文摘

第一和第二人造金刚石区域是掺硼的。第二人造金刚石区域比第一人造金刚石区域掺有更多的硼，并且与第一人造金刚石区域物理接触。在另一示例性实施方案中，该第一和第二人造金刚石区域形成金刚石半导体，例如当连接到至少一个金属引线时的肖特基二极管。在其它实施方案中该金刚石是CI2高增浓的金刚石，以增加该人造金刚石的导电性。在示例性实施方案中的制造工艺包括沿着氢注入层分离该多个金刚石层中的一层。

功率器件芯片封装和静电放电失效分析

针对一般失效机理的分析可提高功率半导体器件的可靠性.利用多种微分析手段,分析和小结了功率器件芯片的封装失效机理.重点分析了静电放电(electrostatic discharge,ESD)导致的功率器件失效,引入了ESD电热理论模型.实验证明,该模型能快速准确地分析金属引线的抗ESD强度.