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一种新型的正胶剥离技术及其应用
被引量:
2
1
作者
信思树
普朝光
+1 位作者
杨明珠
杨培志
《红外技术》
CSCD
北大核心
2006年第2期105-107,共3页
介绍了在金属微细图形化制作中常用的两种方法:刻蚀和剥离,并比较了两者的优劣。开发了一种新型的正胶剥离技术,着重解决了传统的正胶剥离技术中所存在的较为严重的“二次污染”问题,提高了其剥离精度,达到2μm。最后介绍了新型的正胶...
介绍了在金属微细图形化制作中常用的两种方法:刻蚀和剥离,并比较了两者的优劣。开发了一种新型的正胶剥离技术,着重解决了传统的正胶剥离技术中所存在的较为严重的“二次污染”问题,提高了其剥离精度,达到2μm。最后介绍了新型的正胶剥离技术在实际工作中的应用。
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关键词
正胶
剥离技术
金属微细图形化
二次污染
下载PDF
职称材料
题名
一种新型的正胶剥离技术及其应用
被引量:
2
1
作者
信思树
普朝光
杨明珠
杨培志
机构
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2006年第2期105-107,共3页
文摘
介绍了在金属微细图形化制作中常用的两种方法:刻蚀和剥离,并比较了两者的优劣。开发了一种新型的正胶剥离技术,着重解决了传统的正胶剥离技术中所存在的较为严重的“二次污染”问题,提高了其剥离精度,达到2μm。最后介绍了新型的正胶剥离技术在实际工作中的应用。
关键词
正胶
剥离技术
金属微细图形化
二次污染
Keywords
Positive Photoresist
lift-off technique
fine-line metal pattern fabrication
secondary pollution
分类号
TN219 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种新型的正胶剥离技术及其应用
信思树
普朝光
杨明珠
杨培志
《红外技术》
CSCD
北大核心
2006
2
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