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同步辐射光电子能谱研究Au/CdZnTe的接触势垒
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作者 查钢强 谭婷婷 +1 位作者 张文华 介万奇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期552-554,共3页
采用分子束外延的方法在理想清洁的CdZnTe表面蒸金,获得了Au/CdZnTe肖特基接触.采用同步辐射光电子能谱研究了Au与CdZnTe(110)和(111)A面的肖特基接触势垒.实验测得Au与CdZnTe(110)和(111)A面的接触势垒分别为0.738和0.566eV.运用金属... 采用分子束外延的方法在理想清洁的CdZnTe表面蒸金,获得了Au/CdZnTe肖特基接触.采用同步辐射光电子能谱研究了Au与CdZnTe(110)和(111)A面的肖特基接触势垒.实验测得Au与CdZnTe(110)和(111)A面的接触势垒分别为0.738和0.566eV.运用金属感应隙态模型(MIGS)对实验结果进行了分析和解释. 展开更多
关键词 CdZnTe肖特基势垒 同步辐射光电子能谱 金属感应隙态
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