4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究

在4H-SiC MESFET微波功率器件制造技术中干法刻蚀是一个很重要的工艺,而对SiC外延片的RIE、ICP等干法刻蚀来说,有光刻胶、Ni、Al和NiSi化合物等多种掩膜方法,其中用光刻胶做掩膜时刻蚀形成的台阶角度缓,不垂直,而Ni、Al等金属掩膜在干法刻蚀后易形成接近垂直的台阶。通过对Ni、Al、NiSi化合物等多种金属掩膜的研究,得到了干法刻蚀台阶垂直且表面状况良好的Ni金属掩膜条件,最终成功制备出9mm SiC MESFET微波功率器件,在2GHz脉冲输出功率超过38W,功率增益9dB。

基于压阻式加速度计的金属掩膜层图形化

干法刻蚀是压阻式加速度传感器制备中的关键工艺,金属掩膜层的图形化对刻蚀结果尤为重要。金属掩膜层图形化的效果影响着压敏电阻条的刻蚀效果,进而影响传感器性能。利用磁控溅射在Si和SiC衬底上分别溅射金属Al和Ni作为金属掩膜层,并对二者的图形化效果进行对比,同时借助激光共聚焦扫描显微镜(CLSM)观察分析金属腐蚀速率、图形化后结构的形貌、线宽损失等参数。实验证明:对于小结构(线宽小于50μm)而言,金属Al由于致密性不好,图形化后的结构模糊不规则;金属Ni作为掩膜层图形化后的结构形貌清晰、形状规则、线宽损失小。

金属掩膜刻蚀(MHM)微小颗粒缺陷分析及改善方案研究

阐述平台产品(HKB)量产过程中产生的所有微小颗粒缺陷发生的晶圆正十字方向位置,金属掩膜刻蚀(MHM)微小颗粒缺陷的形成机理,探讨缺陷成因和解决方案。

改善金属硬质掩膜层刻蚀的工艺方法

随着集成电路的深入发展,半导体器件对关键线宽(CD)的要求趋于严格,本文着眼于对金属硬质掩膜层刻蚀的研究。通过实验找到了影响硬质掩膜线宽(HM CD)、膜厚(THK)和形貌的重要参数,优化了金属硬质掩膜层刻蚀工艺。实验结果表明,O2是影响HM CD的重要因素,其中O2与HM CD呈线性关系(y=1.595x+40.51,R2=0.9997)。Bias RF是影响THK的重要因素,与THK的线性关系为:y=-10.51x+129.75,R2=0.9999。Bias RF、O2、Cl2和Temp四个参数间的交互实验表明,O2和Bias RF均不会受其他参数的影响。同时,当Bias RF提高50%时,纵向刻蚀能力得到了加强,这可以改善金属硬质掩膜层的形貌。

55 nm金属沟槽通孔一体化刻蚀关键尺寸偏差与图形相关性研究

随着超大规模集成电路(VLSI)的特征尺寸不断缩小,在后段铜互联工艺中,为降低接触电阻(RC)延迟的影响,后段集成普遍采用低介电常数材料的双大马士革互连工艺。其中金属硬质掩模一体化刻蚀工艺是迄今为止最为先进的工艺,即能解决传统工艺中所固有的低介电层顶部圆滑化,沟槽间的低介电层厚度变薄,又能解决侧壁角度变小等问题。但是金属阻挡层的引入以及金属沟槽和通孔同时刻蚀的进行,使得产生的聚合物更加复杂,金属互联沟槽关键尺寸受到影响更大。通过收集量产数据,对量产品的关键尺寸偏差和产品图形属性相关性进行分析,得到了刻蚀后关键尺寸和沟槽长度正相关性的创新性结论,可以帮助我们有效地预判新产品的关键尺寸大小,从而提前做出对应调整。

MgB2/B/MgB2约瑟夫森结的制备与直流特性

本文采用MgB_2薄膜的混合物理化学气相沉积制备技术和金属掩膜版工艺,以B膜为势垒层在单晶Al_2O_3(0001)基底上制作了纵向三明治结构的MgB_2/B/MgB_2约瑟夫森结.应用标准四引线法对该超导结的R-T曲线和不同温度下的直流I-V曲线进行了测量研究.实验结果表明,制作的MgB_2/B/MgB_2约瑟夫森结超导开启温度为31.3 K,4.2 K时临界电流密度为0.52 A/cm^2,通过对直流特性I-V曲线的微分拟合,清晰地观测到MgB_2的3D带的能隙?π为2.13 meV.

自旋阀多层膜巨磁电阻的研制

阐述了多层膜巨磁电阻自旋阀的设计原理和采用金属掩膜版磁控溅射的方法研制多层膜巨磁电阻自旋阀的工艺.制造的多层膜巨磁电阻采用[Co/Cu/Co]三重结构.同时分析了制备的Cu、Co纳米膜的形貌以及利用自旋阀GMR传感器测试得到的实验校准数据并绘制出输出-输入曲线.实验结果表明,制造的巨磁电阻提高了低场下的磁灵敏度,可以用来检测不同方位地磁场的大小,用该方法制造巨磁电阻的迟滞为0.01%F.S.文中介绍的多层膜巨磁电阻制造方法具有工艺简单、可与IC工艺相兼容的优点,有推广应用前景.

SMT中焊膏印刷存在问题与对策

1 概述 焊膏丝网印刷的目的是把足够的焊膏不偏不倚地施加到特定的焊盘上。为此,分析在印刷中存在的问题有1)位置不准;2)印刷量不符;3)印刷形状不良等3种情况。其中印刷量不符和印刷形状不良大多是同时产生的。

蚀刻设备的现状与发展趋势

概述了蚀刻技术与设备的现状,针对32nm技术节点器件制程对蚀刻设备在双重图形蚀刻、高k/金属栅材料、金属硬掩膜及进入后摩尔时代三维封装的通孔硅技术(TSV)方面挑战,介绍了蚀刻设备的发展趋势。

三星SDI展出302ppi有机EL面板精细度业界最高

韩国三星SDI在美国波士顿举行的显示器学会暨展会“SID2005”上，展出了宣称精细度达业界最高(302ppi)的2．65英寸有机EL面板。像素数为640×480。主要面向手机，有望2006年推出。高精细有机EL面板的试制品，此前一些半导体面板研究所已开发成功了精细度达188ppi的4．3英寸产品。

超低k介质材料低损伤等离子体去胶工艺进展

介绍了三类常见的低k介质材料,并对空气隙(k=1)的发展进行了探讨;讨论了引起等离子体损伤的机理和传统的O2等离子体去胶工艺面临的困难;最后综述了近年来国际上提出的低损伤等离子体去胶工艺的研究进展。人们已经开发出一些对低k材料进行硅化处理的工艺,可以部分修复在刻蚀和去胶处理过程中被消耗掉的有机官能团。基于金属硬掩膜层和新型等离子体化学的集成方案将会展示出颇具前景的结果。

应用于光电阴极的SiO_(2)纳米孔阵列

目前以正电子亲合势K2CsSb为代表的光电发射阴极材料因其有源层较薄的特征使其光吸收能力较差,现成为限制其提升性能的重要因素之一。以聚苯乙烯(PS)纳米球剥离法制备的金属孔阵为掩膜,在SiO2衬底上刻蚀制备纳米孔阵列。首先刻蚀单层自组装PS纳米球以改变尺寸,然后在表面沉积镍膜并进行剥离获得孔阵掩膜,最后刻蚀SiO_(2)衬底并去除掩膜获得孔阵。通过改变PS纳米球的自组装和刻蚀工艺参数实现了对纳米孔阵的孔径、深度、周期等几何参数的灵活调节,并通过优化离子刻蚀的频率、反应气体配比等参数有效降低了纳米孔刻蚀面的粗糙度,最后结合实验测试和理论仿真探索了其光学特性,研究结果表明纳米孔阵列能够提高光电发射器件的光吸收率,具有重要应用价值。

具有纳米级结构出光面的AlGaInP基发光二极管

研究了一种利用金属自组装纳米掩膜和ICP刻蚀对AlGaInP基发光二极管(LED)表面进行粗化的技术,使光输出得到了提高。粗化了的AlGaInP基LED比常规的AlGaInP基LED,光强提高了27%,光功率提高了12.6%,实验结果具有可重复性。可以进一步优化Au颗粒的周期和分散程度,提高AlGaInP基LED的提取效率。