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题名金属掺杂多孔硅薄膜的制备及荧光光谱研究
被引量:1
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作者
孙小菁
马书懿
魏晋军
徐小丽
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机构
西北师范大学物理与电子工程学院
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出处
《西北师范大学学报(自然科学版)》
CAS
2007年第6期38-41,共4页
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基金
国家自然科学基金资助项目(60276015)
教育部科学技术研究项目(204139)
甘肃省高分子材料重点实验室开放基金资助项目(KF-05-03)
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文摘
用电化学方法对多孔硅薄膜进行了金属掺杂.用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性,结果表明,适量的金属掺杂增强了多孔硅的红光发射,氧化性金属掺杂还增强了多孔硅的蓝光发射,还原性金属掺杂却无此现象.红外吸收谱表明,金属掺杂多孔硅后Si—O—Si键振动增强.XRD谱表明,氧化性金属掺杂后多孔硅的无定形程度增强.对分析结果的解释为:红光增强是金属掺杂引入新的缺陷和硅、氧、金属间新的键态Si—Metal,Metal—O,Metal—Metal所致,而蓝光增强是无定形程度增强,应力增大和进一步氧化所致.
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关键词
金属掺杂多孔硅
电化学
光致发光
X射线衍射
红外吸收
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Keywords
metal-doped porous silicon
electrochemistry
photoluminescence
XRD
FTIR
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分类号
O469
[理学—凝聚态物理]
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
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