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金属插层对C_(60)/AlN一维光子晶体带隙的影响 被引量:2
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作者 闫凌云 韩培德 +3 位作者 谌静 张彩丽 刘旭光 许并社 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期277-280,共4页
利用传输矩阵方法,研究了金属Ag插层对C60/AlN一维光子晶体带隙宽度以及反射率的影响.结果表明:在C60与AlN之间插入Ag组成的[C60/Ag/AlN]n一维光子晶体,与未插入Ag层相比可使带隙增宽73.91%,最大反射率提高到91.01%.该结构可望用于制作... 利用传输矩阵方法,研究了金属Ag插层对C60/AlN一维光子晶体带隙宽度以及反射率的影响.结果表明:在C60与AlN之间插入Ag组成的[C60/Ag/AlN]n一维光子晶体,与未插入Ag层相比可使带隙增宽73.91%,最大反射率提高到91.01%.该结构可望用于制作紫外线波段的宽带反射镜. 展开更多
关键词 光子晶体 金属插层 传输矩阵法
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磺酰氯促进金属氯化物插层石墨以实现高效钠存储
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作者 兰淑琴 任伟成 +7 位作者 王钊 于畅 余金河 刘迎宾 谢远洋 张秀波 王健健 邱介山 《新型炭材料(中英文)》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期538-548,共11页
金属氯化物-石墨插层化合物具有导电性优异,石墨层间距大等特点,可用作钠离子电池负极材料。然而,在传统金属氯化物插层石墨过程中,不可避免地用到氯气,既增加了实验操作的风险,也对实验设备提出更高要求。基于上述原因,本文创新性地使... 金属氯化物-石墨插层化合物具有导电性优异,石墨层间距大等特点,可用作钠离子电池负极材料。然而,在传统金属氯化物插层石墨过程中,不可避免地用到氯气,既增加了实验操作的风险,也对实验设备提出更高要求。基于上述原因,本文创新性地使用SO_(2)Cl_(2)作为氯源来促进BiCl_(3)插层石墨。该方法不仅有效提高了BiCl_(3)插层效率,也避免了直接使用氯气带来的安全性风险。采用该方法所合成的三氯化铋-石墨插层化合物(BiCl_(3)-GICs)的层间距为1.26 nm,BiCl_(3)插层含量高达42%。以其为负极材料,组装的钠离子电池具有高的比容量(213 mAh g^(-1)at 1 A g^(-1))和优异的倍率性能(170 mAh g^(-1)at 5 A g^(-1))。此外,原位拉曼光谱测试结果表明,首圈放电后石墨与插层的BiCl_(3)相互作用减弱,该过程有效促进了钠离子在石墨层内的存储。采用该方法可成功制备多种类型金属氯化物-石墨插层化合物,为开发高性能储能材料提供了可行思路。 展开更多
关键词 磺酰氯 金属氯化物-石墨化合物 强化过程 负极材料 钠离子电池
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金属插层对一维光子晶体中光传输特性的影响 被引量:29
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作者 周鹏 游海洋 +3 位作者 王松有 李合印 杨月梅 陈良尧 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期2276-2280,共5页
利用传输矩阵方法 ,从理论上研究了金属插层对由Si SiO2 组成的一维光子晶体中光传输特性的影响 .结果表明 :由 (Si SiO2 ) n 组成的一维光子晶体 ,考虑到材料的实际吸收及折射率随波长发生变化的情况 ,当n≥ 9时 ,该体系出现全反射带 ... 利用传输矩阵方法 ,从理论上研究了金属插层对由Si SiO2 组成的一维光子晶体中光传输特性的影响 .结果表明 :由 (Si SiO2 ) n 组成的一维光子晶体 ,考虑到材料的实际吸收及折射率随波长发生变化的情况 ,当n≥ 9时 ,该体系出现全反射带 (光子带隙 ) ,在 (Si SiO2 ) n 光子晶体中的SiO2 层的中间插入金属银层 ,构成 (Si SiO2 Ag SiO2 ) n 金属型一维光子晶体 ,光子带隙的宽度明显加宽 ,且在该带隙中s光和p光在 0— 6 0°入射角下均具有较低损耗 ,利用这一特性 。 展开更多
关键词 金属插层 光传输特性 光子晶体 传输矩阵 带隙结构
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基于光学塔姆态耦合分析的含金属插层光子晶体传感机理研究 被引量:3
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作者 陈颖 董晶 +3 位作者 刘腾 石佳 朱奇光 毕卫红 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期230-237,共8页
基于光子晶体光学塔姆态的耦合分析,提出了一种含金属插层的折射率传感结构。对该光子晶体结构中光学塔姆态的形成机理进行了分析,并调整金属插层的厚度来实现两个光学塔姆态的耦合。建立缺陷峰波长与待测溶液折射率的关系模型,并分析... 基于光子晶体光学塔姆态的耦合分析,提出了一种含金属插层的折射率传感结构。对该光子晶体结构中光学塔姆态的形成机理进行了分析,并调整金属插层的厚度来实现两个光学塔姆态的耦合。建立缺陷峰波长与待测溶液折射率的关系模型,并分析其折射率传感特性。通过对光子晶体周期数和入射角度的讨论,可以得到,增加光子晶体周期数(或入射光的入射角度)可减小缺陷峰的半峰全宽(FWHM),从而提高传感器的灵敏度和折射率的分辨率。以乙二醇为待测样本,可得该传感器的灵敏度为445.45 nm/RIU(折射率单元),品质因数(Q值)可达1259.45。该传感器结构具有制备工艺简单和结构紧凑等优点,可为高Q值和高灵敏度折射率传感器的设计提供一定的理论参考。 展开更多
关键词 传感器 光子晶体 金属插层 光学塔姆态
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Mn2+插层V2C MXene应用于钠离子电池的研究(英文) 被引量:1
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作者 魏世强 王昌达 +3 位作者 张鹏军 朱可夫 陈双明 宋礼 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期139-144,共6页
本研究提出一种Mn^2+插层策略用于优化V2C MXene的储钠性能。Mn2+的插层不仅扩大了V2C MXene的层间距同时形成了V-O-Mn共价键,有利于稳定V2C的结构,抑制Na+脱嵌过程中由于体积变化引起的结构坍塌。结果表明,插层后的V2C MXene(V2C@Mn)... 本研究提出一种Mn^2+插层策略用于优化V2C MXene的储钠性能。Mn2+的插层不仅扩大了V2C MXene的层间距同时形成了V-O-Mn共价键,有利于稳定V2C的结构,抑制Na+脱嵌过程中由于体积变化引起的结构坍塌。结果表明,插层后的V2C MXene(V2C@Mn)电极在电流密度为0.05 A·g^-1时具有425 mAh·g^-1的高比容量,并且经过1200次长循环后容量还有70%保留。V2C@Mn优异的性能表明阳离子插层调控的MXene在Na+存储方面具有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 状材料 V2C MXene 钠离子存储 金属阳离子 同步辐射吸收谱
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新型铁基超导体材料的研究进展 被引量:2
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作者 郭建刚 金士锋 +6 位作者 王刚 王顺冲 朱开兴 周婷婷 赖晓芳 贺蒙 陈小龙 《物理》 CAS 北大核心 2011年第8期510-515,共6页
文章主要介绍了碱金属插层法合成新型铁基超导体的研究进展.通过采用碱金属K对FeSe层状材料插层的方法,得到了一种新型的铁基超导体K0.8Fe1.7Se2,并对该材料的晶体结构与物性进行了研究.结果表明,该化合物的超导转变温度达到30K,这是FeS... 文章主要介绍了碱金属插层法合成新型铁基超导体的研究进展.通过采用碱金属K对FeSe层状材料插层的方法,得到了一种新型的铁基超导体K0.8Fe1.7Se2,并对该材料的晶体结构与物性进行了研究.结果表明,该化合物的超导转变温度达到30K,这是FeSe体系在常压下的最高超导转变温度.同时,观察到该体系中存在转变温度为43K的超导相,但未得到纯相.通过磁性元素Co的掺杂研究,进一步加深了对K0.8Fe1.7Se2体系超导演化规律的认识.该超导体的发现对深入认识铁基超导体的超导机理,探索具有更高超导转变温度的铁基超导体具有重要意义. 展开更多
关键词 状化合物 金属插层 铁基超导材料
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多元FeSe基超导材料的结构与物性
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作者 郭建刚 陈小龙 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第34期3967-3980,共14页
对FeSe基多元超导化合物的制备、晶体结构、相分离和超导性质等进行了详细的介绍.首先,利用碱金属插层的方法,制备出了三元K_xFe_(2–y)Se_2超导体,其超导转变温度为31 K,是当时FeSe基超导体的新纪录.同时,利用高温自助溶剂方法,制备出... 对FeSe基多元超导化合物的制备、晶体结构、相分离和超导性质等进行了详细的介绍.首先,利用碱金属插层的方法,制备出了三元K_xFe_(2–y)Se_2超导体,其超导转变温度为31 K,是当时FeSe基超导体的新纪录.同时,利用高温自助溶剂方法,制备出了K_xFe_(2–y)Se_2的晶体样品,并对其晶体结构、相分离和电子结构进行了细致的研究,从其特殊的费米面构型,可以看出K_xFe_(2–y)Se_2是区别于FeAs基超导体的新型高温超导体系.其次,通过低温液相法的制备手段,获得了多种碱金属插层FeSe的高温超导体,超导转变温度为30~46 K,大幅提高了FeSe基超导体的转变温度记录.在低温和中温区制备的FeSe基超导体中,存在极少量的Fe空位,可以精确标定超导相成分和电子结构,为研究FeSe基超导体甚至Fe基高温超导体的微观机理提供重要的实验证据. 展开更多
关键词 FeSe基超导体 金属插层 晶体结构 电子结构 亚稳态合成方法
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