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GaN-MOCVD设备MO源注入摩尔流量的精确控制
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作者 刘欣 魏唯 陈特超 《电子工业专用设备》 2015年第6期31-35,共5页
分析了GaN-MOCVD设备中MO源注入摩尔流量控制的基本原理,给出了决定MO源注入摩尔流量的三个重要条件,然后针对于Ga N-MOCVD中5种常用的金属有机源,根据工艺生长的需要,分别给出了MO源注入摩尔流量精确控制的解决方案。
关键词 半导体设备 GaN-金属有机化学气相沉积 金属有机化合物源 注入摩尔流量
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