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GaN-MOCVD设备MO源注入摩尔流量的精确控制
1
作者
刘欣
魏唯
陈特超
《电子工业专用设备》
2015年第6期31-35,共5页
分析了GaN-MOCVD设备中MO源注入摩尔流量控制的基本原理,给出了决定MO源注入摩尔流量的三个重要条件,然后针对于Ga N-MOCVD中5种常用的金属有机源,根据工艺生长的需要,分别给出了MO源注入摩尔流量精确控制的解决方案。
关键词
半导体设备
GaN-
金属
有机
化学气相沉积
金属有机化合物源
注入摩尔流量
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职称材料
题名
GaN-MOCVD设备MO源注入摩尔流量的精确控制
1
作者
刘欣
魏唯
陈特超
机构
中国电子科技集团公司第四十八研究所
出处
《电子工业专用设备》
2015年第6期31-35,共5页
文摘
分析了GaN-MOCVD设备中MO源注入摩尔流量控制的基本原理,给出了决定MO源注入摩尔流量的三个重要条件,然后针对于Ga N-MOCVD中5种常用的金属有机源,根据工艺生长的需要,分别给出了MO源注入摩尔流量精确控制的解决方案。
关键词
半导体设备
GaN-
金属
有机
化学气相沉积
金属有机化合物源
注入摩尔流量
Keywords
Semiconductor equipment
Ga N-MOCVD
MO source
injected mol flow
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
GaN-MOCVD设备MO源注入摩尔流量的精确控制
刘欣
魏唯
陈特超
《电子工业专用设备》
2015
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