金属有机物分解法制备SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的开关特性

用金属有机物分解 (MOD)以及sol gel方法制备了SrBi2 Ta2 O9(SBT)铁电薄膜。经测量在 75 0℃晶化的SBT薄膜具有很好的铁电性能。通过对SBT样品极化反转过程进行测试 ,得到了外加电压 ( 0 .5～ 5V)与SBT薄膜的开关时间 ( 10 0～6 0 0ns)及极化反转电荷的关系。

金属有机物分解法制备的La-Sr-Mn-O薄膜的磁输运特性(英文)

利用金属有机物分解法在非晶石英衬底上成功地制备了具有 (202)择优取向的多晶 La1－ x－SrxMnOz薄膜。原子力显微镜观察显示薄膜具有疏松的结构缺陷。在室温下，观察到薄膜磁电阻随外加磁场变化具有优良的线性特征， 10 kOe磁场下，磁电阻值达到 5％。在 77 K低温下，薄膜具有显著的低场磁电阻效应， 2 kOe磁场下的磁电阻值达到 11％。薄膜的电阻－温度关系具有平缓的金属－绝缘体转变，转变温度远低于其居里温度；在 8 kOe磁场下，薄膜的磁电阻随温度下降而单调上升。上述薄膜的磁输运特性与其结构缺陷 (包括晶界及疏松 )有关。

压电陶瓷超细粉末湿化学法制备工艺进展

采用共沉淀、水热合成、溶胶 -凝胶法、金属有机物热分解法等湿化学方法可以合成锆钛酸铅 (PZT)压电陶瓷超细粉末 。

无铅铁电/压电薄膜材料的研究进展

微电子技术的迅猛发展和集成化程度的急速提升,致使铁电/压电薄膜材料愈来愈受到人们的关注与重视。本文从三方面介评了铅基和铋类铁电/压电薄膜材料的研究进展:(1)主要制备方法:脉冲激光熔融法(PLD)和金属有机物分解法(MOD);(2)无铅铁电/压电薄膜微器件:铁电薄膜存储器和压电薄膜传感器;(3)铁电/压电薄膜及其微器件的可靠性。

可用于高导电性印刷电极的低温固化纳米铜墨水

本文提出了一种可用于轮转印刷工艺的有机金属基铜导电墨水。在高于250℃的温度下烧结时,金属有机物可在柔性基材上分解形成高导电性的铜膜。该纳米导电墨水由癸酸铜与平均粒径小于100nm的复合铜纳米微粒制备得到。铜墨水的黏度范围是104～105mPa·s(转速为50rpm)。在3%的H2环境中,在高于250℃的温度下烧结20min后得到的导电铜膜电阻率低于10μΩ·cm。在320℃温度下烧结20min后,导电铜膜电阻率可进一步降低到4.4μΩ·cm。当在柔性基材上低温烧结时,纳米铜墨水会继续形成高导电性的金属膜。同时本文也成功地证明了该纳米铜墨水的印刷适性。

钛酸铅(PT)粉体的快速合成与表征

选用甘油为溶剂,以醋酸铅、钛酸四丁酯为基体原料,采用金属有机物热分解(MOD)法,合成了铁电钛酸铅(PT)粉体,并通过XRD、TG/DTA、IR、SEM等手段表征了合成粉体的组成以及形貌.结果表明,合成的PT粉体纯度高,颗粒细小均匀.

BNT-KBT-BT薄膜的制备及外场下电畴翻转

采用金属有机物热分解法在Pt/Ti/Si O2/Si基底上制备了0.85(Bi0.5Na0.5)Ti O3-0.10(K0.5Bi0.5)Ti O3-0.05Ba Ti O3(85BNT-10KBT-5BT)薄膜。通过X射线衍射仪、扫描探针显微镜(SEM)、压电力显微镜(PFM)等对薄膜的结构和外场下的电畴演变进行了表征及研究。结果表明,该薄膜微观结构主要由钙钛矿相和少量的焦绿石相组成,表面无明显裂纹和孔洞,其最大压电系数d33=150 pm/V;通过PFM观察到在电场作用下,其电畴可实现180°翻转,在力场作用下其电畴可实现90°翻转,并结合微观结构对电畴在外场下的演变机理进行了研究。该研究为铁电薄膜在MEMS中的应用提供了参考。