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双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管重离子单粒子效应
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作者 李洋帆 郭红霞 +6 位作者 张鸿 白如雪 张凤祁 马武英 钟向丽 李济芳 卢小杰 《物理学报》 SCIE EI CSCD 北大核心 2024年第2期234-241,共8页
本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管升展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验,分析了器件产生单粒子效应的物理机制.实验结果表明,辐照过程中随着初始偏置电压的增大,器件漏极电流增长更明显;在偏置电压为400 V时,重离子... 本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管升展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验,分析了器件产生单粒子效应的物理机制.实验结果表明,辐照过程中随着初始偏置电压的增大,器件漏极电流增长更明显;在偏置电压为400 V时,重离子注量达到9×10^(4)ion/cm^(2),器件发生单粒子烧毁,在偏置电压为500 V时,重离子注量达到3×10^(4)ion/cm^(2),器件发生单粒子烧毁,单粒子烧毁阈值电压在器件额定工作电压的34%(400 V)以下.对辐照后器件进行栅特性测试,辐照过程中偏置电压为100 V的器件泄漏电流无明显变化;200 V和300 V时,器件的栅极泄漏电流和漏极泄漏电流都增大.结合TCAD仿真模拟进一步分析器件单粒子效应微观机制,结果表明在低偏压下,泄漏电流增大是因为电场集中在栅氧化层的拐角处,导致了氧化层的损伤;在高偏压下,辐照过程中N-外延层和N+衬底交界处发生的电场强度增大,引起显著的碰撞电离,由碰撞电离产生的局域大电流密度导致晶格温度超过碳化硅的熔点,最终引起单粒子烧毁. 展开更多
关键词 双沟槽SiC金属-氧化物-导体场效应管 重离子辐照 单粒子烧毁
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不同栅压下Si-n型金属氧化物半导体场效应管总剂量效应的瞬态特性仿真
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作者 张林 马林东 +3 位作者 杜林 李艳波 徐先峰 黄鑫蓉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第13期230-236,共7页
为了实现半导体器件在电离辐射环境中电学特性的动态退化过程,本文基于总剂量效应中陷阱对载流子的俘获/发射过程,建立了Si-n型金属氧化物半导体场效应管总剂量效应的瞬态特性数值模型.仿真了不同栅极偏压下,器件电学特性随累积总剂量... 为了实现半导体器件在电离辐射环境中电学特性的动态退化过程,本文基于总剂量效应中陷阱对载流子的俘获/发射过程,建立了Si-n型金属氧化物半导体场效应管总剂量效应的瞬态特性数值模型.仿真了不同栅极偏压下,器件电学特性随累积总剂量的上升而造成的器件退化效应,并提取了Si/SiO_(2)界面和栅氧化层中陷阱电荷的变化.仿真发现,随着累计总剂量的上升,两个位置处陷阱电荷的数量都趋向于饱和.当辐照中栅极偏压为正时,器件阈值电压的退化幅度显著高于辐照偏压为负时的退化幅度.无论是辐照过程中栅极加正偏压还是反偏压,都表现出阈值电压的退化幅度随着偏压幅值上升先上升再下降的趋势.栅极偏压对器件辐照后的退火效应也有一定的影响,在退火过程中如果栅极偏压不为零,器件退火后的电学特性恢复幅度比零偏压下的要低一些. 展开更多
关键词 辐照 总剂量 模型 金属氧化导体场效应管
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高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应
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作者 李勇 谢海燕 +2 位作者 杨志强 宣春 夏洪富 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期210-215,共6页
采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后... 采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后,随着注入HPM幅值的增大,会使得器件的正向电压小于开启电压,从而使得输出电流的波形发生形变。在器件内部,导电沟道靠近源极一端的电场强度最大,热量产生集中在这一区域。在脉冲正半周期时,温度峰值位于沟道源极一端,负半周期时,器件内部几乎没有电流,器件内的温度峰值在热扩散效应的影响下趋向于导电沟道中部。 展开更多
关键词 高功率微波 金属氧化导体场效应管 导体
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太赫兹互补金属氧化物半导体场效应管探测器理论模型中扩散效应研究
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作者 张镜水 孔令琴 +4 位作者 董立泉 刘明 左剑 张存林 赵跃进 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期259-265,共7页
针对基于经典动力学理论传统模型中忽略扩散效应的问题,通过对基于玻尔兹曼理论的场效应管传输线模型的理论分析,建立了包含扩散效应的太赫兹互补金属氧化物半导体(CMOS)场效应管探测器理论模型,研究扩散效应对场效应管电导及响应度的影... 针对基于经典动力学理论传统模型中忽略扩散效应的问题,通过对基于玻尔兹曼理论的场效应管传输线模型的理论分析,建立了包含扩散效应的太赫兹互补金属氧化物半导体(CMOS)场效应管探测器理论模型,研究扩散效应对场效应管电导及响应度的影响.同时,将此模型与忽略了扩散效应的传统模型进行了对比仿真模拟,给出了两种模型下的电流响应度随温度及频率变化的差别.依据仿真结果,并结合3σ原则明确了场效应管传输线模型中扩散部分省略的依据和条件.研究结果表明:扩散部分引起的响应度差异大小主要由场效应管的工作温度及工作频率决定.其中工作频率起主要作用,温度变化对差异大小影响较为微弱;而对于工作频率而言,当场效应管工作频率小于1 THz时,模型中的扩散部分可以忽略不计;而当工作频率大于1 THz时,扩散部分不可省略,此时场效应管模型需同时包含漂移、散射及扩散三个物理过程.本文的研究结果为太赫兹CMOS场效应管理论模型的精确建立及模拟提供了理论支持. 展开更多
关键词 互补金属氧化导体场效应管探测器 太赫兹 模型模拟 玻尔兹曼理论
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基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器 被引量:2
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作者 刁文豪 江伟华 王新新 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期565-568,共4页
给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不... 给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不同,在实验中采取对每一级的开关驱动信号进行单独调节,以补偿器件差异对同步性带来的影响。另外,实验对开关进行光纤隔离,而对强弱电的隔离采用DC-DC转换器,这不仅有利于保护实验设备,而且对Marx多级电路的同步性也有很大的贡献。设计的Marx发生器级数为16级,并给出了单次脉冲和重复频率两种情况下的实验结果。 展开更多
关键词 脉冲功率 高电压 导体开关 MARX发生器 金属氧化导体场效应管
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金属氧化物半导体场效应管在全固态中波发射机中的应用 被引量:3
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作者 山.乌英 《电子制作》 2015年第2Z期37-,共1页
本文从金属氧化物半导体场效应管的特点、应用原理、日常维护等方面进行了阐述。
关键词 金属氧化导体场效应管 MOSFET 全固态 丁类桥式放大器
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金属氧化物半导体场效应管
7
《现代显示》 2007年第10期70-70,共1页
MOS是一种半导体电路的结构形式,它可用于:(1)采用氧化膜把栅极与沟道绝缘的场效应管;(2)极板;(3)有源区是金属一氧化物半导体的夹心层的电路。而FET是输出电流的大小受输入电压控制的一种电场效应晶体管,α-SiTFT和p—SiTF... MOS是一种半导体电路的结构形式,它可用于:(1)采用氧化膜把栅极与沟道绝缘的场效应管;(2)极板;(3)有源区是金属一氧化物半导体的夹心层的电路。而FET是输出电流的大小受输入电压控制的一种电场效应晶体管,α-SiTFT和p—SiTFT都是基于场效应管的工作原理。MOSFET是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件,可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管。 展开更多
关键词 金属氧化导体场效应管 MOSFET 场效应晶体管 导体电路 电压控制 输出电流 类比电路 氧化
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构建金刚石金属氧化物半导体场效应管的全新概念
8
《新材料产业》 2017年第12期69-69,共1页
近期,由法国、英国、日本研究人员组成的国际研究团队开发出在硼掺杂金刚石MOSFET中引入深层耗尽区的新方法。这一全新概念的提出,使金刚石MOSFET的结构更为简单,降低了制造难度。验证表明,新方法可将宽禁带半导体的载流子迁移率提... 近期,由法国、英国、日本研究人员组成的国际研究团队开发出在硼掺杂金刚石MOSFET中引入深层耗尽区的新方法。这一全新概念的提出,使金刚石MOSFET的结构更为简单,降低了制造难度。验证表明,新方法可将宽禁带半导体的载流子迁移率提高一个数量级。 展开更多
关键词 金属氧化导体场效应管 金刚石 MOSFET 载流子迁移率 宽禁带导体 研究人员 耗尽区 硼掺杂
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五种二元过渡金属氧化物界面上的相互作用、非晶相结构及催化性能(Ⅱ)——DSC、半导体气敏特性、催化活性与亚单层分散模型
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作者 王智民 李丽 +2 位作者 韩基新 李永战 韩维屏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期653-660,共8页
应用DSC、半导体气敏特性、催化活性及亚单(分子)层分散模型共四项表征技术,进一步研究了五种二元氧化物的界面结构及其特性,DSC曲线的放热峰及吸热峰分别与界面化学反应、晶格畸变和瓦解、熔化、烧结以及固溶体的形成相关,导电性能的... 应用DSC、半导体气敏特性、催化活性及亚单(分子)层分散模型共四项表征技术,进一步研究了五种二元氧化物的界面结构及其特性,DSC曲线的放热峰及吸热峰分别与界面化学反应、晶格畸变和瓦解、熔化、烧结以及固溶体的形成相关,导电性能的测试证明这些二元氧化物属于N-型半导体,对邻二甲苯具有气敏特性,其灵敏度在化学吸附的初期阶段与邻二甲苯蒸气浓度呈线性关系,催化选择性及转化率的测定证明V_2O_5-MnO_3及WO_3-MoO_3体系对邻二甲苯选择性氧化为苯酐具有催化活性,其非晶相MoO_3及V_2O_5的活性较为显著,尤其当二元氧化物的组成接近分散阈值Dt时,选择性最佳,为了解释大的分散阈值Dt与小的比表面积之间的关系,经计算机编程计算,在分子水平及纳米尺度上提出了球形八面体密置的亚单层分散模型并求得了模型的七个参数,通过讨论亚单层分散与非晶相结构之间的关系,提出了晶相损失的机理以及作为催化剂的非晶相结构对热的亚稳特性。 展开更多
关键词 二元过渡金属氧化物界面结构 特性表征(DSC 导体气敏特性 催化活性 球形八面体密置的亚单分散模型及其七个参数)
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金属氧化物半导体TFT器件的膜层均一性研究
10
作者 朱晖 《电子世界》 CAS 2021年第7期89-91,共3页
金属氧化物薄膜晶体管(TFT)具有较好的光电特性,在新型显示器件中应用前景广泛。本论文重点针对金属氧化物TFT器件的IWZO膜层的成膜均一性进行了研究。从磁场、成膜功率、O_2分压等工艺参数角度出发,研究了IWZO膜层均一性与成膜工艺参... 金属氧化物薄膜晶体管(TFT)具有较好的光电特性,在新型显示器件中应用前景广泛。本论文重点针对金属氧化物TFT器件的IWZO膜层的成膜均一性进行了研究。从磁场、成膜功率、O_2分压等工艺参数角度出发,研究了IWZO膜层均一性与成膜工艺参数的关系,并探讨了改善膜层均一性的具体工艺参数和方法。 展开更多
关键词 金属氧化导体 TFT器件 均一性 新型显示器件 成膜工艺 光电特性
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单层片式晶界层半导体陶瓷材料研究进展 被引量:3
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作者 林锋 李世晨 +3 位作者 冯曦 贾贤赏 李振铎 周恒 《矿冶》 CAS 2006年第1期57-59,41,共4页
片式电子元件进入了全面发展的新时期,对元件微型化、轻型化、复合化、高频化和高性能化的要求越来越迫切,新型单层片式晶界层半导体陶瓷材料适时得到发展。本文对单层片式晶界层半导体陶瓷材料国内外研究、生产现状及发展进行了综述;... 片式电子元件进入了全面发展的新时期,对元件微型化、轻型化、复合化、高频化和高性能化的要求越来越迫切,新型单层片式晶界层半导体陶瓷材料适时得到发展。本文对单层片式晶界层半导体陶瓷材料国内外研究、生产现状及发展进行了综述;对单层片式晶界层半导体陶瓷材料的制备工艺:介质陶瓷材料选择、半导体陶瓷基片材料的制备和半导体陶瓷基片材料的金属化进行了分析;展望了单层片式晶界层半导体陶瓷材料的应用和发展前景。 展开更多
关键词 晶界导体 陶瓷基片 陶瓷金属 研究现状
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金属氧化物半导体场效应管热载流子退化的1/f~γ噪声相关性研究 被引量:7
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作者 刘宇安 杜磊 包军林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期2468-2475,共8页
研究了金属氧化物半导体(MOS)器件在高、中、低三种栅压应力下的热载流子退化效应及其1/fγ噪声特性.基于Si/SiO2界面缺陷氧化层陷阱和界面陷阱的形成理论,结合MOS器件1/f噪声产生机制,并用双声子发射模型模拟了栅氧化层缺陷波函数与器... 研究了金属氧化物半导体(MOS)器件在高、中、低三种栅压应力下的热载流子退化效应及其1/fγ噪声特性.基于Si/SiO2界面缺陷氧化层陷阱和界面陷阱的形成理论,结合MOS器件1/f噪声产生机制,并用双声子发射模型模拟了栅氧化层缺陷波函数与器件沟道自由载流子波函数及其相互作用产生能级跃迁、交换载流子的具体过程.建立了热载流子效应、材料缺陷与电参量、噪声之间的统一物理模型.还提出了用噪声参数Sfγ表征高、中、低三种栅应力下金属氧化物半导体场效应管抗热载流子损伤能力的方法.根据热载流子对噪声影响的物理机制设计了实验并验证这个模型.实验结果与模型符合良好. 展开更多
关键词 金属氧化导体场效应管 热载流子 1/f^y噪声
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金属氧化物半导体场效应管探测器在放射治疗中的剂量学研究 被引量:1
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作者 高磊 罗素明 +3 位作者 邱杰 何志坚 杨波 庞庭田 《中华放射医学与防护杂志》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期-,共4页
目的 研究用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)探测器测量光子线束放射治疗患者的照射剂量.方法 用6 MV X线束、固体模体,开展MOSFET探测器的重复性、非线性剂量响应、剂量率和剂量水平响应实验.根据临床治疗需要,选择不同的照射条件,... 目的 研究用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)探测器测量光子线束放射治疗患者的照射剂量.方法 用6 MV X线束、固体模体,开展MOSFET探测器的重复性、非线性剂量响应、剂量率和剂量水平响应实验.根据临床治疗需要,选择不同的照射条件,开展剂量随照射野、源到皮肤距离、入射角度、楔形角度、档块和托盘等变化的影响实验,分别求出校正因子.用仿真人(Alderson)模体,验证骨盆、头颈等治疗部位的剂量.选择一定数量的临床患者,测量患者在放射治疗中实际接受的剂量.结果 MOSFET探测器测量腹部和头颈部放射治疗患者42名、总剂量点644个,其中腹部放疗患者25名、测量剂量点374个,293个剂量点在相对偏差±5%以内占总剂量点的78.3%;头颈部患者17名、测量剂量点270个,233个剂量点在相对偏差±5%以内占总剂量点的86.3%.结论 用MOSFET探测器验证放射治疗中患者剂量的方法实时、便捷.该方法作为质量保证手段之一,可在开展放射治疗的医院中推荐使用. 展开更多
关键词 金属氧化导体场效应管 治疗计划系统 光子线束
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环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究 被引量:4
14
作者 许立军 张鹤鸣 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期434-439,共6页
结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布,并据此建立了适用于低漏电压下的环栅肖特基势垒NMOSFET阈值电压模型.根据计算结果,分析了漏电压、沟道半径和沟道长度... 结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布,并据此建立了适用于低漏电压下的环栅肖特基势垒NMOSFET阈值电压模型.根据计算结果,分析了漏电压、沟道半径和沟道长度对阈值电压和漏致势垒降低的影响,对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值. 展开更多
关键词 环栅肖特基势垒金属氧化导体场效应管 二维泊松方程 阈值电压模型 漏致势垒降低
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金属-氧化物-半导体场效应管辐射效应模型研究
15
作者 孙鹏 杜磊 +2 位作者 陈文豪 何亮 张晓芳 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期442-446,共5页
基于氧化层陷阱电荷以及界面陷阱电荷的产生动力学以及辐射应力损伤的微观机理,推导出了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)中辐射应力引起的氧化层陷阱电荷、界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量之间定量关系的模型.根据模型... 基于氧化层陷阱电荷以及界面陷阱电荷的产生动力学以及辐射应力损伤的微观机理,推导出了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)中辐射应力引起的氧化层陷阱电荷、界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量之间定量关系的模型.根据模型可以得到:低剂量情况下,氧化层陷阱电荷与界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量成正比;高剂量情况下,氧化层陷阱电荷导致的阈值电压漂移量发生饱和,其峰值与辐射剂量无关,界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量呈指数关系.另外,模型还表明氧化层陷阱电荷与界面陷阱电荷在不同的辐射剂量点开始产生饱和现象,其中界面陷阱电荷先于氧化层陷阱电荷产生饱和现象.最后,用实验验证了该模型的正确性.该模型可以较为准确地预测辐射应力作用下MOSFET的退化情况. 展开更多
关键词 界面陷阱 氧化陷阱 金属-氧化物-导体场效应管 辐射
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漏致势垒降低效应对短沟道应变硅金属氧化物半导体场效应管阈值电压的影响
16
作者 王晓艳 张鹤鸣 +3 位作者 王冠宇 宋建军 秦珊珊 屈江涛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期558-564,共7页
结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si1-βGeβ中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂... 结合应变硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解二维泊松方程,得到了应变Si沟道的电势分布,并据此建立了短沟道应变硅NMOSFET的阈值电压模型.依据计算结果,详细分析了弛豫Si1-βGeβ中锗组分β、沟道长度、漏电压、衬底掺杂浓度以及沟道掺杂浓度对阈值电压的影响,从而得到漏致势垒降低效应对小尺寸应变硅器件阈值电压的影响,对应变硅器件以及电路的设计具有重要的参考价值. 展开更多
关键词 应变硅金属氧化导体场效应管 漏致势垒降低 二维泊松方程 阈值电压模型
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全固态广播发射机大功率场效应管的维护浅谈
17
作者 薛晓玲 《西部广播电视》 2013年第08X期131-131,共1页
广播发射机的全固态化技术发展依赖于大功率场效应管制造技术的突破,全固态广播发射机的功放级广泛地采用了金属氧化物半导体场效应管即:MOS-FET。固原市广播电视台引进的海纳公司1kW系列全固态广播发射机的功率放大器采用4块场效应管... 广播发射机的全固态化技术发展依赖于大功率场效应管制造技术的突破,全固态广播发射机的功放级广泛地采用了金属氧化物半导体场效应管即:MOS-FET。固原市广播电视台引进的海纳公司1kW系列全固态广播发射机的功率放大器采用4块场效应管放大,引用先进的功率合成技术,使单台发射机实现kW级功率输出,本文结合该机运行5年来情况,阐述一下维护大功率场效应管的经验。 展开更多
关键词 大功率场效应管 广播发射机 全固态化 金属氧化导体场效应管 维护 功率放大器 功率合成技术 制造技术
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VMOS场效应管简介及其应用
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作者 鲁光宇 《地学仪器》 1990年第3期41-43,共3页
关键词 场效应管 金属氧化 导体器件
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堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管二维模型 被引量:1
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作者 辛艳辉 刘红侠 +1 位作者 王树龙 范小娇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第24期436-441,共6页
提出了一种堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)新器件结构.采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件求解二维泊松方程,建立了全耗尽条件下的表面势... 提出了一种堆叠栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)新器件结构.采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件求解二维泊松方程,建立了全耗尽条件下的表面势和阈值电压的解析模型.该结构的应变硅沟道有两个掺杂区域,和常规双栅器件(均匀掺杂沟道)比较,沟道表面势呈阶梯电势分布,能进一步提高载流子迁移率;探讨了漏源电压对短沟道效应的影响;分析得到阈值电压随缓冲层Ge组分的提高而降低,随堆叠栅介质高k层介电常数的增大而增大,随源端应变硅沟道掺杂浓度的升高而增大,并解释了其物理机理.分析结果表明:该新结构器件能够更好地减小阈值电压漂移,抑制短沟道效应,为纳米领域MOSFET器件设计提供了指导. 展开更多
关键词 应变SI 单Halo 对称双栅 金属氧化导体场效应管
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选择高压场效应管实现节能
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作者 Alexander Craig 《今日电子》 2010年第6期32-33,共2页
高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术在过去几年中经历了很大的变化,这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力,能够帮助工程师避免许多问题,并实现效率最大化。经验证明,采用... 高压金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术在过去几年中经历了很大的变化,这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力,能够帮助工程师避免许多问题,并实现效率最大化。经验证明,采用新型的MOSFET器件取代旧式MOSFET,除简单地导通电阻上的差异之外,更重要的是,还能实现更高的电流强度与更快的切换速度以及其他优越性能。 展开更多
关键词 金属氧化导体场效应晶体管 场效应管 MOSFET器件 高压 节能 切换电路 导通电阻 切换速度
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