金属直接氧化过程中的镁挥发机制

研究发现Al Mg Si合金直接氧化时存在层状Al/Al2 O3 复合结构 ,揭示了直接氧化过程的本质特征 ,证实了Mg挥发对直接氧化过程的重要作用 ,提出了Mg挥发机制并据此讨论了已有研究中尚未解决的几个重要问题。

直接金属氧化法制备SiC_p/Al_2O_3-Al复合材料

利用直接金属氧化法制备了SiC颗粒增强Al2O3-Al基复合材料,借助于XRD和光学显微镜对该复合材料的组成及微观结构进行了观察,分析了SiO2层、合金成分和制备温度对复合材料性能的影响。结果表明:该复合材料结构致密且渗透完全,微观结构由三种相互穿插相组成:SiC预制体、连续的Al2O3基体及呈网状结构分布的未被氧化的残余铝合金。

直接金属氧化法制备Al_2O_3/Al陶瓷基复合材料的生长方式

运用 DIMOX工艺 ,利用 Al- 3 Mg- 1 0 Si合金在空气工况下直接氧化制备了 Al2 O3 /Al陶瓷基复合材料 ,并通过扫描电镜、光学显微镜等手段观测和研究了复合材料的生长方式 .结果发现 :直接氧化生长 Al2 O3 /Al的复合材料长大增厚是以胞状晶团的方式向前推进的 ,胞状晶团的形成源于合金熔体的微观传输通道 .胞状晶团的长大按照淹没和合并两种方式进行 。

直接金属氧化法制备SiC_p/Al_2O_3-Al复合材料的显微结构及工艺因素的研究

在低成本的前提下 ,利用直接金属氧化法 (DIMOX)制备了SiC颗粒增强Al2 O3-Al基复合材料 ,并详细叙述了此种方法的工艺过程。借助于X—射线衍射 (XRD)和扫描电镜 (SEM)对该种复合材料的微观结构进行了观察 ,分析了SiO2 层、合金成分和温度制度对复合材料性能的影响。结果表明 ,此种复合材料结构致密且渗透完全 ,微观结构由三种相互穿插相组成 :SiC预制体、连续的Al2 O3基体 ,呈网状结构分布的未被氧化的残余Al。合金成分及烧成制度是此工艺过程中的最重要的工艺参数。

直接金属氧化法制备SiC_p/Al_2O_3-Al复合材料的微观结构与工艺性能的研究(英文)

采用直接金属氧化法制备了SiC颗粒增强Al2O2 Al基复合材料,借助XRD和光学金 相显微镜对该复合材料的组成及微观结构进行了观察,分析了SiO2层、合金成分和温度制度 对复合材料性能的影响。结果表明该复合材料结构致密且渗透完全,微观结构由3种相互穿 插相组成,即SiC预制体、连续的Al2O3基体及呈网状结构分布的未被氧化的残余Al。

Al-Mg合金直接氧化Al_2O_3形成模型

根据对Al-Mg合金直接氧化合成Al/Al2O3存在Mg的挥发及线性生长动力学特点的分析,在把表面MgO形成过程看成是Al2O3向MgO中的溶解过程并认为MgO部分为n型氧化物时,氧化过程有利于Al2O3的形成:Al-Mg合金直接氧化过程中,Mg的挥发满足Al2O3形成的两个条件,Mg挥发促进表层P型MgO的生长和内层n型MgO中Al2O3的形成,促进MgO向MgAl2O4的转变过程;MgAl2O4在Al2O3的形成中起重要作用,MgO向MgAl2O4转变过程中,生长应力导致MgAl2O4中形成间隙,Al熔体通过此间隙向氧化前沿进行渗流输运;Al2O3的生长动力学取决于MgO向MgAl2O4转变的速度,MgO向MgAl2O4转变速度加快是Al/Al2O3生长动力学呈线性关系的根本原因。

铝合金直接氧化合成Al/Al_2O_3研究现状

评述了Al-Mg -Si合金直接氧化合成Al Al2 O3 的工艺、组织结构、性能 ,认为其中问题主要为 :熔体表面Al/Al2 O3 氧化生长的不均匀性及Al/Al2 O3 复合材料组织中的孔隙给其在结构方面应用带来了限制。归纳了机制研究的显微通道假说、Mg作用模型、Si作用模型及诱发机制 ,指出了其中有待重视的几方面问题 :氧在Al熔体中的扩散和传递过程 ;熔体表层氧化物MgO和MgAl2 O4的作用 ;Al-Mg -Si合金氧化组织中的固 -气反应特征 ;Al-Mg -Si合金中Si的SiO2

SiO_2表面覆盖剂对铝合金熔体直接氧化生长的影响

以Lanxide材料的成形工艺控制为目标 ,研究了SiO2 表面覆盖剂在铝合金熔体直接氧化生长过程中的作用。结果表明有效促进Al2 O3/Al复合材料生长的SiO2 加入量为 1～ 6 g/dm2 。SiO2 能够显著促使材料近平面生长 ,形成细化胞状晶团和提高组织均匀度 ;在覆盖SiO2 的条件下 ,温度升高 ,生长速度加快的同时 ,材料宏观生长表面趋于平整 。

直接氧化法制备Al_2O_3/Al陶瓷基复合材料研究

研究了采用直接氧化法制备Ａ１２Ｏ３／Ａ１复合材料，实验分析了镁元素对铝氧化的决定 因素和硅对氧化速度的影响，通过Ｘ-线衍射对烧结材料进行物相分析，光镜观察烧结材料 的结构是三维联通的三氧化二铝陶瓷多晶体中分布了三维联通的网状的残余铝合金．

利用正交实验对直接氧化法制备陶瓷基复合材料

利用正交实验对直接氧化法制备Al2O3/Al复合材料的氧化增重进行研究 ,实验分析了烧结温度、时间、Mg含量和Si含量4个因素对合金的氧化反应增重的影响 .使用光镜对烧结的陶瓷材料的微观组织进行观测 .通过实验得到了反应增重效率高而且微观组织好的烧结工艺 .

ZnO引发剂对铝合金直接熔融氧化生长的影响

通过热重分析实验,研究了在高温空气气氛中覆盖在AlZnSi合金表面的ZnO引发剂对铝合金直接氧化生长过程的作用。实验结果表明:ZnO能显著缩短AlZnSi合金熔体直接氧化所需的孕育期及Al2O3/Al复合材料的生长时间。同时发现:ZnO有助于Al2O3/Al复合材料以光滑的方式进行氧化生长,形成细化胞状晶团,提高组织结构的均匀度和材料的致密度。促进Al2O3/Al复合材料生长的ZnO覆盖最佳量为7mg/cm2。

选择性激光烧结碳化硅及铝合金氧化入渗

采用选择性激光烧结和金属直接氧化法相结合的技术,制备SiC-Al2O3-Al陶瓷基复合材料零件。研究选择性激光烧结成形碳化硅零件坯体的工艺和脱脂预处理工艺对坯体孔隙率的影响规律,以及氧化入渗工艺影响因素;采用扫描电镜、X射线衍射仪分别对成形好的复合材料进行微观形貌和物相分析。结果表明:用选择性激光烧结和金属直接氧化技术相结合的工艺可以直接利用三维图形,快速成形出复杂形状的SiC-Al2O3-Al复合材料零件;其陶瓷相和金属相都呈三维网络状分布,SiC、Al2O3和金属相的体积分数分别为45.1%、32.7%和18.0%,孔隙率为4.2%,抗弯强度为361.2MPa。

SiO_2氧化层在DI MOX法制备SiC_p/Al_2O_3-Al复合材料中的作用机制

利用直接金属氧化法制备了SiC颗粒增强Al2O3-Al基复合材料,借助于XRD、光学金相显微镜(OM)和扫描电镜(SEM)对该复合材料的微观结构进行了观测,分析了SiO2氧化层的形成在复合材料制备过程中的作用。结果表明,SiO2层可以防止材料粉化现象的发生,缩短反应的孕育期,并可避免材料的胞状生长,促进材料的致密化。

MgO引发剂对铝合金原位氧化生长的影响

通过热重分析实验,研究了在高温空气气氛中覆盖在Al-Zn-Si合金表面的MgO引发剂对铝合金直接氧化生长过程的作用。结果表明:MgO能显著缩短Al-Zn-Si合金熔体直接氧化所需的孕育期及Al2O3/Al复合材料的生长时间。同时发现MgO有助于Al2O3/Al复合材料以光滑的方式进行氧化生长,形成细化胞状晶团,提高组织结构的均匀度和材料的致密度。促进Al2O3/Al复合材料生长的MgO覆盖最佳量为12mg/cm2。

Lanxide陶瓷基复合材料的研究进展

Lanxide熔融金属直接氧化技术是一种新型的复合材料制备技术 ,通过用预制体 (颗粒、晶须、纤维等 )增强所制备的复合材料具有高的体积稳定性、断裂韧性和强度 ,是目前材料科学领域的热点之一。

Lanxide材料及其研究进展

Lanxide熔融金属直接氧化技术是一种新型的复合材料制备技术,通过合金母体在可控气氛的加热炉中加热到液相线以上温度,在不加压力的情况下合金熔体以直接金属氧化反应形式反应,从而生长成具有高的体积稳定性、断裂韧性和强度的Lanxide复合材料。从Lanxide技术的起源、技术及特点、结构特征及性能、发展现状、研究方向等方面进行了综述。