金属硅化物阻挡层刻蚀对一次性编程单元数据保持性能的影响

在0.18μm通用平台上加入一次性编程单元(OTP)后组成的衍生工艺被广泛应用于微控制单元(MCU)设计,由于OTP的尺寸非常小,为了使OTP拥有良好的数据保持(Data Retention)能力,SAB模组工艺非常关键,尤其是SAB刻蚀工艺,不能再采用同标准0.18μm工艺平台一样的单一刻蚀方法,必须采用以干法刻蚀为主、湿法刻蚀为副,干、湿相结合的方式进行刻蚀。因OTP的数据保持性能与干法刻蚀后有源区表面剩余SAB的量有关,所以SAB干法刻蚀非常关键。实验表明,只要干法刻蚀后有源区表面剩余SAB厚度控制在180 A,工艺窗口±50 A,OTP Cell有源区表面可免遭不可逆的等离子体损伤,而剩下的SAB也能通过湿法刻蚀去除干净且有较大的工艺窗口。OTP因此具备较好的数据保持性能,晶圆由此实现高良率。

Co/a-GeSi/Ti/Si多层薄膜固相反应外延生长CoSi_2薄膜

研究了在 Co/Ti/Si结构中加入非晶 Ge Si层对 Co Si2 /Si异质固相外延的影响 ,用离子束溅射方法在Si衬底上制备 Co/Ge Si/Ti/Si结构多层薄膜 ,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应。采用四探针电阻仪、AES、XRD、RBS等方法进行测试。实验表明 ,利用 Co/Ge Si/Ti/Si固相反应形成的 Co Si2 薄膜具有良好的外延特性和电学特性 ,Ti中间层和非晶 Ge Si中间层具有促进和改善 Co Si2 外延质量 ,减少衬底耗硅量的作用。Ge原子的存在能够改善外延 Co Si2