后道互连工艺中钨塞和金属空洞的研究

对金属钨淀积工艺中温度对形貌和电学性质的影响进行研究,通过比较450℃和425℃金属钨化学汽相淀积工艺的差异,发现425℃下淀积的金属钨薄膜的方块电阻和标准偏差都略高于450℃下生长的金属钨薄膜。425℃工艺条件淀积的金属钨的通孔电阻高于450℃W条件下的接触电阻。从FIB结果看,425℃和450℃钨沉积均有发现空洞,450℃工艺条件下沉积的金属钨形成的接触孔空洞比425℃形成的空洞略小。同时研究了金属铝后道互连工艺中的金属空洞问题,发现在SEM照片中看到的金属空洞有些是由于工艺原因造成的,有些只是因为SEM制样造成的。而HDP的温度过高是金属空洞形成的可能性之一。尝试通过电学测量数据对金属空洞进行量化,但从数据可以得出结论利用ET数据对空洞问题进行量化还是比较困难。

再论多层印制板金属化孔镀层空洞

分析了金属化孔镀层空洞的主要产生原因，从各主要工序出发，提出了如何优化工艺参数行严格的工艺及质量控制，以保证孔化质量的方法。

多层印制板金属化孔镀层空洞研究

多层印制板的制作是一个生产工序复杂且周期很长的过程,那么造成金属化孔镀层空洞的原因也就很复杂。这里本人通过试验,分析了针对我们的生产工艺路线及设备配置运行情况出现的金属化孔镀层空洞的主要产生原因,从产生原因的工序出发,提出了如何优化工艺参数,进行严格的工艺及质量控制,以保证孔金属化的质量。