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RRAM的氧空位与金属细丝机制SPM的比较
被引量:
2
1
作者
李丛飞
傅兴华
+1 位作者
李良荣
赵海臣
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014年第1期24-29,共6页
应用扫描探针显微镜(SPM)技术实现了氧化物阻变薄膜局部区域高低阻态的互相转变。通过电激励、编程和擦除等操作,控制细丝的产生和断裂,实现了阻变薄膜局域的重复编程/擦除操作。用该方法分别研究了氧空位机制与金属导电细丝机制的氧化...
应用扫描探针显微镜(SPM)技术实现了氧化物阻变薄膜局部区域高低阻态的互相转变。通过电激励、编程和擦除等操作,控制细丝的产生和断裂,实现了阻变薄膜局域的重复编程/擦除操作。用该方法分别研究了氧空位机制与金属导电细丝机制的氧化物薄膜的阻变特性,对两种机制做了对比研究。结果表明:在阻变存储器(RRAM)中氧空位机制在导电细丝和数据密度方面要高于金属细丝机制。同时,金属细丝机制阻变薄膜部分区域因编程/擦除操作发生了永久性形貌变化,可能对阻变器件的电极产生永久性破坏,这说明氧空位机制阻变薄膜在未来的高密度存储上具有较好的应用前景。
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关键词
阻变存储器(RRAM)
导电原子力显微镜(CAFM)
扫描探针显微镜(SPM)
阻变
机制
氧空位
机制
金属细丝机制
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职称材料
题名
RRAM的氧空位与金属细丝机制SPM的比较
被引量:
2
1
作者
李丛飞
傅兴华
李良荣
赵海臣
机构
贵州大学电子信息学院
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014年第1期24-29,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61361012)
文摘
应用扫描探针显微镜(SPM)技术实现了氧化物阻变薄膜局部区域高低阻态的互相转变。通过电激励、编程和擦除等操作,控制细丝的产生和断裂,实现了阻变薄膜局域的重复编程/擦除操作。用该方法分别研究了氧空位机制与金属导电细丝机制的氧化物薄膜的阻变特性,对两种机制做了对比研究。结果表明:在阻变存储器(RRAM)中氧空位机制在导电细丝和数据密度方面要高于金属细丝机制。同时,金属细丝机制阻变薄膜部分区域因编程/擦除操作发生了永久性形貌变化,可能对阻变器件的电极产生永久性破坏,这说明氧空位机制阻变薄膜在未来的高密度存储上具有较好的应用前景。
关键词
阻变存储器(RRAM)
导电原子力显微镜(CAFM)
扫描探针显微镜(SPM)
阻变
机制
氧空位
机制
金属细丝机制
Keywords
(CAFM)
resistive random access memory (RRAM scan probe microscope (SPM)
resistance mechanism
metal filament mechanism )
conductive atomic force microscopy switching mechanism
oxygen vacancy
分类号
O766.1 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
RRAM的氧空位与金属细丝机制SPM的比较
李丛飞
傅兴华
李良荣
赵海臣
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2014
2
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职称材料
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参考文献
引证文献
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