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分子动力学模拟Gd原子在Cu(110)表面的扩散过程 被引量：7
1
作者 谢国锋 王德武 应纯同 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期2254-2258,共5页
为了分析Gd吸附原子在Cu( 110 )表面的扩散机理 ,用分子动力学对该扩散过程进行模拟 .模拟结果表明在[110 ]方向Gd原子通过跳跃机理扩散 ,而且多步跳跃频率很高 .而在 [0 0 1]方向则通过交换机理扩散 .吸附原子在 [110 ]方向的扩散能力... 为了分析Gd吸附原子在Cu( 110 )表面的扩散机理 ,用分子动力学对该扩散过程进行模拟 .模拟结果表明在[110 ]方向Gd原子通过跳跃机理扩散 ,而且多步跳跃频率很高 .而在 [0 0 1]方向则通过交换机理扩散 .吸附原子在 [110 ]方向的扩散能力要比 [0 0 1]方向强 .通过对扩散频率的拟合 ,发现两种扩散机理都符合Arrhenius公式 ,从而确定了跳跃机理的扩散势垒为 0 0 97eV ,交换机理的扩散势垒为 0 33eV .另外还用能量弛豫的方法确定了跳跃机理的扩散势垒 . 展开更多
关键词 分子动力学模拟 吸附原子 Gd原子 钆原子 Cu(110)表面 金属表面扩散 跳跃机理 交换机理 扩散势垒 铜
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