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金属-半导体超晶格中的金属费米能级和半导体平均键能
1
作者
李书平
王仁智
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期834-839,共6页
为了进一步了解在金属-半导体接触势垒高度计算中采用半导体平均键能Em作为参考能级的合理性,本文在金属-半导体超晶格的LMTO-ASA能带计算中,引用“冻结势”方法,计算了(Ge2)4(2Al)6(001),(Ge2)4(2Au)6(001),(Ge2)4(2Ag)6(001),(GaAs)4(...
为了进一步了解在金属-半导体接触势垒高度计算中采用半导体平均键能Em作为参考能级的合理性,本文在金属-半导体超晶格的LMTO-ASA能带计算中,引用“冻结势”方法,计算了(Ge2)4(2Al)6(001),(Ge2)4(2Au)6(001),(Ge2)4(2Ag)6(001),(GaAs)4(2Al)6(001),(GaAs)4(2Au)6(001)和(GaAs)4(2Ag)6(001)等超晶格金属-半导体界面两侧的金属费米能级EF(M)和半导体平均键能Em(S).研究发现,在超晶格的金属-半导体界面两侧,金属的费米能级EF(M)与半导体的平均键能Em(S)几乎处于同一能量水平线上,Em(S)≈EF(M),也就是EF(M)与Em(S)在界面两侧相互“对齐”.因此,在理想金属-半导体接触的势垒高度理论计算中,采用半导体平均键能Em作为参考能级,可以获得比较可靠的计算结果.
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关键词
金属
-半导体超晶格
金属
半导体接触势垒
半导体平均键能
金属费米能级
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职称材料
题名
金属-半导体超晶格中的金属费米能级和半导体平均键能
1
作者
李书平
王仁智
机构
厦门大学物理学系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期834-839,共6页
基金
国家重点基础研究发展规划(批准号:001CB610505)
国家自然科学基金(批准号:90206030
+4 种基金
60376015
60336020
10134030)
福建省自然科学基金(批准号:E0410007
2004H054)资助项目~~
文摘
为了进一步了解在金属-半导体接触势垒高度计算中采用半导体平均键能Em作为参考能级的合理性,本文在金属-半导体超晶格的LMTO-ASA能带计算中,引用“冻结势”方法,计算了(Ge2)4(2Al)6(001),(Ge2)4(2Au)6(001),(Ge2)4(2Ag)6(001),(GaAs)4(2Al)6(001),(GaAs)4(2Au)6(001)和(GaAs)4(2Ag)6(001)等超晶格金属-半导体界面两侧的金属费米能级EF(M)和半导体平均键能Em(S).研究发现,在超晶格的金属-半导体界面两侧,金属的费米能级EF(M)与半导体的平均键能Em(S)几乎处于同一能量水平线上,Em(S)≈EF(M),也就是EF(M)与Em(S)在界面两侧相互“对齐”.因此,在理想金属-半导体接触的势垒高度理论计算中,采用半导体平均键能Em作为参考能级,可以获得比较可靠的计算结果.
关键词
金属
-半导体超晶格
金属
半导体接触势垒
半导体平均键能
金属费米能级
Keywords
metal-semiconductor superlattice
Schottky barrier
average-bond-energy
Fermi level
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
金属-半导体超晶格中的金属费米能级和半导体平均键能
李书平
王仁智
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
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