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利用金属过渡层低温键合硅晶片 被引量:6
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作者 张小英 陈松岩 +2 位作者 赖虹凯 李成 余金中 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期213-216,共4页
在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I-V测试表明,Si/Ti/Au/Ti/Si键合界面基本为欧姆接触;X射线光电子能谱(X... 在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I-V测试表明,Si/Ti/Au/Ti/Si键合界面基本为欧姆接触;X射线光电子能谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为Si-Au共晶合金.不同温度的变温退火实验表明,键合温度越高,键合强度越大,且渐变退火有利于提高键合强度. 展开更多
关键词 硅片键合 界面特性 金属过渡层 键合机理
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金属过渡层类型对非晶碳膜结构性能的影响 被引量:8
2
作者 李蕾 郭鹏 +3 位作者 刘林林 孙丽丽 柯培玲 汪爱英 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期331-338,共8页
采用直流磁控溅射技术制备不同金属过渡层(Cr,Ti,W)的类石墨非晶碳膜(GLC),研究过渡层类型对非晶碳膜微结构的影响,并考察其在人工海水中摩擦性能的变化。研究结果表明:Cr/GLC薄膜sp2杂化键含量最高,沿GLC表面到铬碳界面方向,sp2杂化键... 采用直流磁控溅射技术制备不同金属过渡层(Cr,Ti,W)的类石墨非晶碳膜(GLC),研究过渡层类型对非晶碳膜微结构的影响,并考察其在人工海水中摩擦性能的变化。研究结果表明:Cr/GLC薄膜sp2杂化键含量最高,沿GLC表面到铬碳界面方向,sp2杂化键含量逐渐增大,Ti过渡层和W过渡层的sp2杂化键含量变化不明显。Cr/GLC薄膜较高的sp2杂化键含量有助于其在摩擦过程中产生可以充当润滑相的石墨化转化摩擦转移膜。在三种涂层中,Cr/GLC薄膜表现出最高的腐蚀电位–0.16 V和最低的腐蚀电流密度4.42?10–9 A/cm2。因此相较于Ti,W作过渡层的GLC薄膜,Cr/GLC薄膜在海水环境下表现出优异的摩擦学特性。 展开更多
关键词 海水 类石墨非晶碳膜(GLC) 金属过渡层 电子能量损失谱(EELS)
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金属过渡层增强金刚石薄膜场发射性能的机理研究 被引量:1
3
作者 张宇 杨武霖 +3 位作者 符立才 朱家俊 李德意 周灵平 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期3433-3438,共6页
以金属钛和钨为过渡层,采用HFCVD法在硅基上制备金刚石薄膜,并对薄膜的场发射特性进行分析研究。结果表明,金属过渡层对金刚石薄膜场发射性能有显著的增强作用。以金属钨为过渡层时,金刚石薄膜的场发射开启场强为5.4V/μm,比无过渡层降... 以金属钛和钨为过渡层,采用HFCVD法在硅基上制备金刚石薄膜,并对薄膜的场发射特性进行分析研究。结果表明,金属过渡层对金刚石薄膜场发射性能有显著的增强作用。以金属钨为过渡层时,金刚石薄膜的场发射开启场强为5.4V/μm,比无过渡层降低了44%;场发射电流密度在电场强度为8.9V/μm时可达到1.48mA/cm^2。通过对薄膜结构表征可知,场发射性能增强主要与界面处电子运输势垒的降低及薄膜中sp^2 C含量的增加有关,在界面处及金刚石膜内形成良好的导电通道,使电子更容易运输至薄膜表面,从而表现出优异的场发射性能。 展开更多
关键词 金属过渡层 金刚石薄膜 导电通道:场发射性能
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单层过渡金属硫族化合物中弱耦合极化子的磁场效应
4
作者 裴志成 丁朝华(导师) +1 位作者 耿艳波 肖景林 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期539-544,共6页
利用LLP幺正变换与线性组合算符相结合的方法研究了磁场作用下单层过渡金属硫族化合物(TMDs)中弱耦合极化子基态能量的性质,获得了单层过渡金属硫族化合物中弱耦合极化子的基态能量与磁场、声子的德拜截止波数(DW)、内部距离和本征极化... 利用LLP幺正变换与线性组合算符相结合的方法研究了磁场作用下单层过渡金属硫族化合物(TMDs)中弱耦合极化子基态能量的性质,获得了单层过渡金属硫族化合物中弱耦合极化子的基态能量与磁场、声子的德拜截止波数(DW)、内部距离和本征极化率参数之间的依赖关系。计算结果表明:单层过渡金属硫族化合物弱耦合极化子的基态能量为外加磁场和本征极化率参数的增函数、声子的德拜截止波数和内部距离的减函数。 展开更多
关键词 光电子学 过渡金属硫族化合物 弱耦合 极化子 基态能量 磁场
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含晶界单层过渡金属硫化物的压电效应研究
5
作者 王东 浦鸣杰 《南京航空航天大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期723-728,共6页
在单层过渡金属硫化物(Transition metal dichalcogenides,TMDs)的合成过程中,缺陷是不可避免的,而且缺陷对单层TMDs的物理化学性质有着重要的影响。为了研究晶界(Grain boundaries,GBs)对单层TMDs压电效应的影响,基于密度泛函理论(Dens... 在单层过渡金属硫化物(Transition metal dichalcogenides,TMDs)的合成过程中,缺陷是不可避免的,而且缺陷对单层TMDs的物理化学性质有着重要的影响。为了研究晶界(Grain boundaries,GBs)对单层TMDs压电效应的影响,基于密度泛函理论(Density functional theory,DFT),计算了36种含晶界单层TMDs和36种不含晶界单层TMDs的压电系数。结果表明:晶界的存在会增强单层TMDs的压电效应,这是由于晶界会导致体系产生应变梯度,从而激发了挠曲电效应。压电系数的变化呈现明显的周期趋势,即随着硫族元素相对原子质量的增加压电系数逐渐增大,其中,含晶界的单层MoTe_(2)的压电系数最大为11.17 pm/V,与单层MoTe_(2)(8.74 pm/V)相比,提高了约27.8%。本文的研究结果可以为开发应用于飞行器中的高灵敏度传感器和高精度控制器的设计提供理论指导。 展开更多
关键词 过渡金属硫化物 晶界 压电效应 压电系数 密度泛函理论
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过渡金属硫化物基自旋阀中栅压调控的巨磁电阻和非平庸金属状态
6
作者 白琳 赵旭 杨艳岭 《信息记录材料》 2019年第7期23-25,共3页
在这里,我们从理论上研究了单层过渡金属硫化物基自旋阀器件中的谷分辨和自旋分辨输运,在该器件中,Rashba自旋轨道相互作用和栅极电压同时存在于中心电极中。与传统的半导体相比,非平庸的金属态,如正常的Rashba金属态、异常的Rashba金... 在这里,我们从理论上研究了单层过渡金属硫化物基自旋阀器件中的谷分辨和自旋分辨输运,在该器件中,Rashba自旋轨道相互作用和栅极电压同时存在于中心电极中。与传统的半导体相比,非平庸的金属态,如正常的Rashba金属态、异常的Rashba金属态和Rashba环金属态,可以通过Rashba自旋轨道相互作用产生和操纵,而不需要磁效应。对于铁磁自旋阀器件,中心电极中的非平庸金属基态直接与巨磁电阻相关,具有显著的各态关联性和独特性。我们进一步揭示了一个来源于自旋分裂和自旋谷耦合效应的完美的谷和自旋巨磁阻效应。这些谷和自旋分辨特征对基础研究和应用研究都很有趣。 展开更多
关键词 过渡金属硫化物 非平庸的金属 自旋谷耦合
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Rh和Pt超薄层电极上的CO吸附行为(英文)
7
作者 谢泳 李筱琴 +1 位作者 任斌 田中群 《电化学》 CAS CSCD 2001年第1期66-70,共5页
利用沉积在粗糙金电极上的过渡金属超薄层电极技术 ,我们获得了氢及一氧化碳在Rh和Pt表面上吸附的拉曼信号 ,并对两者之间的相互作用进行了分析 ..我们还进行了二氧化碳在这两种金属表面的还原行为的初步研究 ,以及对不同方式获得的一... 利用沉积在粗糙金电极上的过渡金属超薄层电极技术 ,我们获得了氢及一氧化碳在Rh和Pt表面上吸附的拉曼信号 ,并对两者之间的相互作用进行了分析 ..我们还进行了二氧化碳在这两种金属表面的还原行为的初步研究 ,以及对不同方式获得的一氧化碳吸附拉曼信号的特点进行了分析 . 展开更多
关键词 过渡金属超薄电极 一氧化碳 二氧化碳 吸附还原 拉曼光谱
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3d过渡金属原子单层在Pd(001)表面磁性的第一性原理研究 被引量:4
8
作者 赵新新 陶向明 +2 位作者 陈文彬 蔡建秋 谭明秋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期5849-5854,共6页
用第一性原理基础上的超软赝势方法的总能计算,研究了3d过渡金属(Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn)在Pd(001)表面的单层p(1×1)和c(2×2)结构的表面磁性和总能.所得结果表明对于Sc,Ti,V和Cr只存在p(1×1)的铁磁性结构,而Mn只... 用第一性原理基础上的超软赝势方法的总能计算,研究了3d过渡金属(Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn)在Pd(001)表面的单层p(1×1)和c(2×2)结构的表面磁性和总能.所得结果表明对于Sc,Ti,V和Cr只存在p(1×1)的铁磁性结构,而Mn只有c(2×2)的反铁磁结构存在.Fe,Co和Ni这三种元素上述两种结构都存在,但是总能上p(1×1)的铁磁结构要低些,因此是比较稳定的结构.而Cu和Zn在该表面上的单层中不存在上述两种结构.对于V的p(1×1)铁磁结构,计算得到的每个V原子磁矩为2.41μB,大于用全电子方法得到的0.51μB.两种计算方法得到其他金属原子(Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的表面磁矩比较相近,都比孤立原子磁矩略小. 展开更多
关键词 Pd(001)表面 过渡金属原子单 表面磁性
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层柱过渡金属氧化物 被引量:33
9
作者 郭宪吉 侯文华 +1 位作者 颜其洁 陈懿 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第22期1681-1689,共9页
综述了近10年来层柱过渡金属氧化物的合成及应用研究进展.主要介绍无机氧化物柱撑的层状过渡金属氧化物的合成方法、结构和性能以及在催化领域中的应用研究状况,对材料制备过程的影响因素及其规律性以及在催化应用研究中所取得重要结果... 综述了近10年来层柱过渡金属氧化物的合成及应用研究进展.主要介绍无机氧化物柱撑的层状过渡金属氧化物的合成方法、结构和性能以及在催化领域中的应用研究状况,对材料制备过程的影响因素及其规律性以及在催化应用研究中所取得重要结果进行了归纳,展望了该研究领域的发展方向. 展开更多
关键词 过渡金属氧化物 合成 催化 应用 无机氧化物柱撑 催化剂 载体
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C/SiC复合材料表面高温瞬态温度传感器的研究 被引量:14
10
作者 崔云先 杨琮 +2 位作者 薛生俊 殷俊伟 杜鹏 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期163-171,共9页
针对C/SiC复合材料制造的航空发动机热端部件瞬时表面温度监测困难的问题,研究了一种C/SiC复合材料瞬时表面温度测量方法。采用磁控溅射法结合电镀工艺在C/SiC复合材料表面沉积了Ni-Cr-ZrO_2复合过渡层,采用磁控溅射法在Ni-Cr-ZrO_2复... 针对C/SiC复合材料制造的航空发动机热端部件瞬时表面温度监测困难的问题,研究了一种C/SiC复合材料瞬时表面温度测量方法。采用磁控溅射法结合电镀工艺在C/SiC复合材料表面沉积了Ni-Cr-ZrO_2复合过渡层,采用磁控溅射法在Ni-Cr-ZrO_2复合过渡层上依次制备了SiO_2绝缘膜、NiCr/NiSi薄膜热电偶和SiO_2保护膜。对不同厚度SiO_2绝缘膜的绝缘性能进行研究,结果表明3μm厚的SiO_2薄膜绝缘电阻值可达1.64×10~9Ω。对传感器静态性能的实验研究结果表明,在50~600℃,塞贝克系数为42.1μV/℃,非线性误差1.52%。用理论计算与实验结合的方式对传感器的动态性能进行了研究,结果表明,传感器的动态响应时间在微秒级,可实现瞬态温度测试。对传感器进行测温实验,结果表明传感器能满足室温~600℃范围内瞬态温度检测的需求。 展开更多
关键词 瞬态温度 金属过渡层 薄膜热电偶 动态性能
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Si/Si低温键合界面的XPS研究
11
作者 张小英 阮育娇 +3 位作者 陈松岩 王元樟 甘亮勤 杜旭日 《厦门理工学院学报》 2010年第3期20-23,共4页
利用金属过渡层的方法实现了Si/Si低温键合.拉力测试表明,温度越高,键合强度越大.采用X射线光电子能谱对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,退火样品的界面主要为Au-Si共晶合金;Si-Au含量比随着退火温度的升高和刻蚀深度的增加而增大.
关键词 硅片键合 XPS 金属过渡层 键合机理
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送丝速度对6061铝合金/DP590镀锌钢CMT点塞焊接头性能的影响 被引量:2
12
作者 殷传亚 邢彦锋 +1 位作者 金光灿 许莎 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2018年第11期183-185,共3页
采用ER4043铝合金焊丝,对6061-T6铝合金和DP590镀锌钢板进行了冷金属过渡(CMT)点塞焊试验。通过改变送丝速度得到了不同的焊接试样,并对试样金属过渡层的微观组织和力学性能进行了分析测试。结果表明:金属过渡层的厚度与焊接热输入... 采用ER4043铝合金焊丝,对6061-T6铝合金和DP590镀锌钢板进行了冷金属过渡(CMT)点塞焊试验。通过改变送丝速度得到了不同的焊接试样,并对试样金属过渡层的微观组织和力学性能进行了分析测试。结果表明:金属过渡层的厚度与焊接热输入有关。随着送丝速度的增加,焊接热输入增加,金属过渡层的厚度增大;靠近铝一侧的过渡层金属间化合物主要是Fe Al3,而靠近钢板一侧的金属间化合物主要是Fe2Al5。接头的拉伸载荷随金属过渡层厚度的增大先增加,当金属过渡层的厚度达到16.71μm时,拉伸载荷急剧下降。为保证铝钢焊接的强度,金属过渡层的厚度必须保持在适当的范围内。 展开更多
关键词 金属过渡 送丝速度 金属过渡层
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SHS复合管接合界面结构及性能研究
13
作者 张浩 崔健 孟庆森 《焊接》 北大核心 2005年第10期17-19,共3页
采用Al-Fe2O3-CrO3-Ti燃烧体系,制备出含有FeTi,FeCr,FeAl金属间化合物的金属过渡层与陶瓷层 双层复合结构的复合管。研究发现:利用金属间化合物作为梯度过渡层,使得基体与内衬层形成牢固的冶金结合, 提高了结合强度;同时,高硬度的金属... 采用Al-Fe2O3-CrO3-Ti燃烧体系,制备出含有FeTi,FeCr,FeAl金属间化合物的金属过渡层与陶瓷层 双层复合结构的复合管。研究发现:利用金属间化合物作为梯度过渡层,使得基体与内衬层形成牢固的冶金结合, 提高了结合强度;同时,高硬度的金属过渡层与陶瓷层组成的双层复合结构使复合管的使用寿命和安全稳定性显 著提高。 展开更多
关键词 SHS 复合管 接合界面结构 金属过渡层 陶瓷 使用寿命 安全稳定性 自蔓延高温合成方法 结合强度
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Topological Transition in Monolayer Blue Phosphorene with Transition-Metal Adatom under Strain
14
作者 Ge Hu Jun Hu 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2020年第4期443-449,I0001,共8页
We carried out first-principles calculations to investigate the electronic properties of the monolayer blue phosphorene(BlueP)decorated by the group-IVB transition-metal adatoms(Cr,Mo and W),and found that the Cr-deco... We carried out first-principles calculations to investigate the electronic properties of the monolayer blue phosphorene(BlueP)decorated by the group-IVB transition-metal adatoms(Cr,Mo and W),and found that the Cr-decorated BlueP is a magnetic half metal,while the Mo-and W-decorated BlueP are semiconductors with band gaps smaller than 0.2 eV.Compressive biaxial strains make the band gaps close and reopen,and band inversions occur during this process,which induces topological transitions in the Mo-decorated BlueP(with strain of-5.75%)and W-decorated BlueP(with strain of-4.25%)from normal insulators to topological insulators(TIs).The TI gap is 94 meV for the Mo-decorated BlueP and218 me V for the W-decorated BlueP.Such large TI gaps demonstrate the possibility to engineer topological phases in the monolayer BlueP with transition-metal adatoms at high temperature. 展开更多
关键词 Topological transition Monolayer Blue phosphorene Biaxial strain Transition-metal adatom
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金属薄膜/有机材料基体系激光刻蚀研究(英文) 被引量:3
15
作者 王瑞 陈学康 +3 位作者 任妮 吴敢 杨建平 曹生珠 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第S2期240-242,共3页
激光刻蚀技术用于卫星天线的制造,用于刻蚀由不同材料体系组成天线表面的金属薄膜,由于金属、有机材料各层对激光的热和光物理特性存在很大的差异,因而每层材料的物理特性对激光刻蚀的结果产生影响。基于在多层材料表面金属薄膜激光刻... 激光刻蚀技术用于卫星天线的制造,用于刻蚀由不同材料体系组成天线表面的金属薄膜,由于金属、有机材料各层对激光的热和光物理特性存在很大的差异,因而每层材料的物理特性对激光刻蚀的结果产生影响。基于在多层材料表面金属薄膜激光刻蚀的物理机制,通过讨论和分析实验结果,发现激光刻蚀的物理过程主要受有机材料和金属薄膜之间界面效应的影响,为获得锐利和对有机材料无损伤的刻蚀效果,在金属薄膜和有机材料之间增加厚度约为200 nm的Cr过渡层可提高激光刻蚀的质量,而界面处的有机过渡层应选择对刻蚀激光波长高透过率的材料。 展开更多
关键词 激光刻蚀 界面效应 金属薄膜过渡
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GaN基LED与Si键合技术的研究 被引量:1
16
作者 阮育娇 张小英 +3 位作者 陈松岩 李成 赖虹凯 汤丁亮 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1202-1205,共4页
采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN扩散所起的阻挡作用,确定键合所需的金属过渡层。利用多层金属过渡层,在真空、温度400℃和加压300 N下实现... 采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN扩散所起的阻挡作用,确定键合所需的金属过渡层。利用多层金属过渡层,在真空、温度400℃和加压300 N下实现GaN基LED和Si的键合,通过激光剥离技术将蓝宝石衬底从键合结构上剥离下来,形成GaN基LED/金属层/Si结构。用金相显微镜及原子力显微镜(AFM)观察结构的表面形貌,测得表面粗糙度(RMS)为12.1 nm。X射线衍射(XRD)和Raman测试结果表明,衬底转移后,GaN基LED的结构及其晶体质量没有发生明显变化,而且GaN与蓝宝石衬底间的压应力得到了释放,使得Si衬底上GaN基LED的电致发光(EL)波长发生红移现象。 展开更多
关键词 晶片键合 金属过渡层 激光剥离 GAN基LED
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二维半导体中的能谷电子学 被引量:1
17
作者 胡凯歌 冯济 《物理》 CAS 北大核心 2016年第8期494-504,共11页
文章介绍了能谷电子学背后的基本物理原理,并回顾了此方向在材料实现上的进展。在理论背景部分简单回顾了基本模型和有关贝里曲率导致量子输运和光选择的重要概念,在材料实现部分除了总结在真实材料中重要的实验和理论的发现,也讨论了... 文章介绍了能谷电子学背后的基本物理原理,并回顾了此方向在材料实现上的进展。在理论背景部分简单回顾了基本模型和有关贝里曲率导致量子输运和光选择的重要概念,在材料实现部分除了总结在真实材料中重要的实验和理论的发现,也讨论了在这些材料中的自旋轨道耦合和近邻诱导的塞曼效应,最后展望了能谷电子学的发展前景。 展开更多
关键词 能谷电子学 二维半导体 过渡金属二硫化物
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Atomic process of oxidative etching in monolayer molybdenum disulfide 被引量:8
18
作者 Danhui Lv Hulian Wang +5 位作者 Dancheng Zhu Jie Lin Guoli Yin Fang Lin Ze Zhang ChuanhongJin 《Science Bulletin》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第12期846-851,共6页
The microscopic process of oxidative etching of two-dimensional molybdenum disulfide(2D MoS_2) at an atomic scale is investigated using a correlative transmission electron microscope(TEM)-etching study.MoS_2 flakes on... The microscopic process of oxidative etching of two-dimensional molybdenum disulfide(2D MoS_2) at an atomic scale is investigated using a correlative transmission electron microscope(TEM)-etching study.MoS_2 flakes on graphene TEM grids are precisely tracked and characterized by TEM before and after the oxidative etching. This allows us to determine the structural change with an atomic resolution on the edges of the domains, of well-oriented triangular pits and along the grain boundaries. We observe that the etching mostly starts from the open edges, grain boundaries and pre-existing atomic defects.A zigzag Mo edge is assigned as the dominant termination of the triangular pits, and profound terraces and grooves are observed on the etched edges. Based on the statistical TEM analysis, we reveal possible routes for the kinetics of the oxidative etching in 2D MoS_2, which should also be applicable for other 2D transition metal dichalcogenide materials like MoSe_2 and WS_2. 展开更多
关键词 Molybdenum disulfideOxidative etchingTransmission electron microscopyAtomic process
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Fabrication of tunable hierarchical MXene@AuNPs nanocomposites constructed by self-reduction reactions with enhanced catalytic performances 被引量:8
19
作者 Kaikai Li1 2 Tifeng Jiao1 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2018年第5期728-736,共9页
MXene, a new type of two-dimensional layered transition metal carbide material differing from graphene, demonstrates intriguing chemical/physical properties and wide applications in recent years. Here, the preparation... MXene, a new type of two-dimensional layered transition metal carbide material differing from graphene, demonstrates intriguing chemical/physical properties and wide applications in recent years. Here, the preparation of the self-assembled MXene-gold nanoparticles (MXene@AuNPs) nanocomposites with tunable sizes is reported. The nano- composites are obtained via the self-reduction reactions of MXene material in a HAuCI4 solution at room temperature. The sizes of the Au particles can be well-controlled by reg- ulating the self-reduction reaction time. They can greatly in- fluence the catalytic behaviors of the MXene@AuNPs composites. MXene@AuNPs composites with optimized re- duction time show high catalytic performances and good cycle stability for model catalytic reactions of nRro-compounds, such as 2-nitrophenol and 4-nitrophenol. This work demon- strates a new approach for the preparation of tunable MXene- based self-assembled composites. 展开更多
关键词 MXene self-reduction gold nanoparticle nitro-compound NANOCOMPOSITES
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Interfacial microstructure of Cu Cr/1Cr18Ni9Ti bi-metal materials and its effect on bonding strength
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作者 ZHANG Qiao LIANG ShuHua +1 位作者 ZOU JunTao YANG Qing 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第5期825-831,共7页
The Cu Cr/1Cr18Ni9 Ti bi-metal materials were prepared by the solid-liquid bonding method. The microstructures, mechanical properties and formation mechanism of the bonding interface were studied. The results show tha... The Cu Cr/1Cr18Ni9 Ti bi-metal materials were prepared by the solid-liquid bonding method. The microstructures, mechanical properties and formation mechanism of the bonding interface were studied. The results show that there exists a serrated transition layer with a certain width at the interface of Cu Cr/1Cr18Ni9 Ti bi-metal materials, and the transition layer consists of Fe-based and Cu-based solid solutions. The elastic modulus and hardness reach the maximum values at the interface closing to the 1Cr18Ni9 Ti zone. The bonding temperature has a significant effect on the width and morphology of the transition layer. The interfacial bonding strength is at least 30% higher than that of the Cu Cr alloy, and the tensile fracture occurs at the side of the Cu Cr alloy rather than at the bonding interface. 展开更多
关键词 bonding modulus tensile interfacial SAED hardness closing polymerization Figure bonded
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