一种新型加金属通孔的传输阵列天线

本文提出了一种新型的含有金属通孔的双层传输阵列天线结构,传输单元由两层含有缝隙的正方形金属贴片组成,两层之间由四个垂直金属通孔连接,通孔同时对两个贴片进行耦合,这种结构可以实现更为平滑的360度相位变化。根据此单元设计了一个工作在22GHz的传输阵列天线,并利用HFSS软件进行建模优化,仿真结果表明在中心频段处天线的口径效率为31.4%,增益可达到25.9dBi。整个天线阵列口径的厚度为0.17λ0,缩减了传输阵列天线的纵向尺寸。

生瓷片通孔金属化工艺研究

通过工艺实验与通孔金属化原理相结合得出影响通孔金属化质量的原因,指出了人工取放定位生瓷片是造成金属化质量的主要原因;通过改变生瓷片的取放定位方式才能更好地保证通孔金属化质量,介绍了一种通孔金属化的新机构,并对该机构进行了结构组成和原理分析;通过工艺实验表明,新的金属化机构能更好地解决通孔金属化质量问题。

通孔金属泡沫中的空气自然对流传热实验研究

对水平面上通孔铜金属泡沫中的空气自然对流进行了实验研究,研究了金属泡沫孔隙率和孔密度对总传热热阻的影响.研究结果表明:与光表面相比,金属多孔表面有效地强化了自然对流散热,使总热阻至少减小20%左右.金属泡沫传热面积和自然对流流动阻力均受孔隙率和孔密度的影响.在较小的孔隙率(ε=0.9)下,对所研究的两个孔密度(400 m-1和1600 m-1),格拉晓夫数Gr存在一个转折点,当Gr小于该转折点值时,孔密度较大的金属泡沫自然对流热阻较小,而当Gr大于该转折点值时,孔密度较小的金属泡沫热阻较小.在较大孔隙率(ε=0.95)及实验所测的Gr范围内,孔密度较大的金属泡沫热阻一直较小.在所研究的两个典型孔密度(800 m-1和1600 m-1)下,孔隙率较小的金属泡沫热阻较小,但是在1600 m-1时,其热阻减小量要明显大于800 m-1时对应的减小量.

高孔隙率通孔金属泡沫有效导热系数的实验和理论研究

为了研究高孔隙率通孔金属泡沫中的热传导特性及预测有效导热系数,发展了一种新的全解析有效导热系数模型。该模型通过建立更真实的十四面体三维结构作为代表单元,解析求解代表单元内稳态傅里叶热传导方程获得通孔泡沫铝的有效导热系数。该模型不含任何拟合或经验参数,有效导热系数与孔隙率之间具有简单的线性关系,且比例系数阐释了热曲折率的大小。高孔隙率下,模型预测与实验测量和文献数据吻合良好。研究结果表明:对于具有大导热系数比的实心杆与流体相(如充满空气的泡沫铝),流体相的传热可忽略不计,热量沿着曲折金属杆的一维传导占主导地位。在忽略自然对流和辐射传热时,泡沫铝有效导热系数基本不受孔密度及杆截面形状的影响。在所研究的温度范围内,泡沫铝有效导热系数可视为常数。

通孔金属泡沫渗透率解析模型

针对通孔金属泡沫中的渗透率预测及现有理论模型的局限性,发展了一种新的全解析渗透率模型.该模型以立方体结构作为代表单元,采用基于追踪流体微团轨迹的分支算法解析求解代表单元内的流动迂曲度.渗透率的表达形式简单且不含任何拟合或经验参数,仅是孔隙率与平均孔径的函数.采用实验测量和文献数据对模型预测进行了验证.结果表明:提出的模型能够在较为宽广的孔隙率(0.55～0.98)和孔密度(5～100 PPI)范围内预测孔通孔金属泡沫的渗透率;采用分支算法得到的流动迂曲度能够较好地描述流体在通孔金属泡沫中的流动特征;采用开孔率修正的解析模型亦能对半开孔泡沫材料的渗透率提供良好预测.

通孔式金属壳延期电雷管产品研制

通过装填一种通孔式金属壳基础雷管,对其设计原理进行了详细的阐述。与普通结构电雷管进行性能对比,结果表明,在带有通孔后,电雷管延期精度得到提高,点火性能可靠,不干胶密封防水性能有效,产品性能达到国家标准要求。

LTCC互连基板金属化孔工艺研究

LTCC基板互连金属化孔工艺技术是低温共烧陶瓷工艺过程中的关键技术,它直接影响陶瓷基板的成品率和可靠性。文章从影响互连金属化孔的因素出发,介绍了金属化通孔填充工艺及控制技术、金属化通孔材料热应力的影响、金属化通孔材料收缩率的控制等三方面技术,并给出了如下的解决方案。采用合适的通孔填充工艺技术和工艺参数;合理设计控制通孔浆料的收缩率和热膨胀系数,使通孔填充浆料与生瓷带的收缩尽量一致,以便降低材料的热应力;金属化通孔烧结收缩率的控制可以通过导体层的厚度、烧结曲线与基板烧结收缩率的关系、叠片热压的温度和压力等方面来实现。

高密度通孔薄膜电路工艺技术研究

通过对薄膜电路制作工艺的系统研究,提出了一种新型的制作高密度通孔薄膜电路工艺方法,克服了高密度通孔薄膜电路对溅射用金靶、喷雾式涂胶和反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖,降低了高密度通孔薄膜电路研制成本。该新型工艺方法已成功应用于延时电路、变频电路和低噪声放大器等微波组件中高密度通孔薄膜电路基板的研制。

双通带三维频率选择表面设计及分析

为了满足现代通信设备双频带的要求,提出了一种双通带三维频率选择表面(Three Dimensional Frequency Selective Surface,3D FSS)。所提出的3D FSS单元结构是由平行平板波导(Parallel Plate Waveguide,PPW)结构和方同轴波导(Square Coaxial Waveguide,SCW)结构组合而成。在PPW传播路径中,通过加载金属通孔和环形槽,构成2个相同的1/4波长谐振器,在电磁耦合作用下产生二阶低频通带;环形槽处不连续性引起的电磁波反射引入一个传输零点。在SCW传播路径中,通过加载环形槽,构成2个相同的短SCW谐振器,耦合产生二阶高频通带。通过对传输零极点处的电场矢量分布和设计参数进行分析,阐明了3D FSS的工作机理。仿真结果显示,该3D FSS的低频和高频通带3 dB相对带宽分别为10.74%和6.89%,通带比为1.32,单元结构的电尺寸为0.13λ_(0)×0.13λ_(0),具有双极化特性,在0°~40°具有良好的角度稳定性。

LTCC基板制造及控制技术

低温共烧多层陶瓷(LTCC)基板,具有高密度布线,内埋无源元件,IC封装基板和优良的高频特性,目前在宇航、军事、汽车、微波与射频通信领域得到广泛运用,是MCM技术的关键部件。本文介绍了LTCC基板制造的关键技术和性能控制。

一种新型双通带滤波器的设计

本文提出了一种新型的双通带滤波器,采用金属孔接地的等边三角形谐振器,可以产生两种不同的谐振峰值,两个中心频率为2.4 GHZ和5.8 GHZ,相应的3 dB带宽分别是230 MHZ和920 MHZ。通过引入接地结构和短截线,改善了频率选择性,滚降最大可以达到109 dB/GHz,在阻带的衰减达到60 dB。该滤波器仿真结果良好。

Ka波段SIW魔T的研究和设计

由于传统波导魔T所占体积比较大,而且不利于集成,为了使所设计魔T体积更小,更利于集成,基于基片集成波导(SIW)理论设计了一种平面魔T,其下层结构为H-T分支,而上层结构为使用电耦合方式实现的E-T分支。且所设计的SIW魔T较传统波导魔T来说,具有体积小,易于生产和集成等优点,且通过对电耦合缝的研究,可以简化魔T的匹配,易于调谐。且利用仿真软件HFSS可以看出在30.35GHz-31.55GHz,所得到的各端口的回波损耗均优于-20d B,E臂H臂的隔离优于-40d B,具有较好的性能。

陶瓷基片填孔可靠性工艺研究

本文重点介绍陶瓷基片通孔金属化的工艺试验,以及如何提高陶瓷基片通孔金属化的可靠性筛选试验工艺。