一种金属填充硅通孔工艺的研究

硅通孔(Through silicon via)的互连技术是3D IC集成中的一种重要工艺。报道了一种高深宽比的垂直互连穿透硅通孔工艺,其通孔的深宽比达到50以上;研究了利用钨填充硅通孔的一些关键工艺,包括阻挡层淀积工艺和钨填充工艺,分析了不同填充工艺所造成的应力的变化。最后获得了一种深宽比达到58∶1的深硅通孔无缝填充。

一种新型硅通孔金属填充工艺研究

穿透硅通孔(Through Si via interconnect)是3D IC集成中的一种重要工艺。钨化学气相淀积在半导体工业中被广泛应用,其在接触孔/通孔填充中出色的台阶覆盖能力。但采用其作为填充金属时,会产生巨大的拉应力(tensile stress)。这是一种钨淀积与刻蚀在同一反应腔内连续作业的填充高深宽比硅通孔工艺的方法。主要研究了反应腔压力、喷淋头与基座之间的距离、氩气流量主要工艺参数对钨刻蚀工艺的影响,最终获得了一种深硅通孔无缝填充的稳定工艺。