基于Preisach的MFIS结构器件C-V模型的改进

考虑历史电场效应,将描述铁电层矫顽电场分布的Preisach模型引入MFIS结构,和传统的MOS结构器件电荷薄片模型结合,对MFIS结构的C-V模型进行改进。为验证模型的有效性,与文献中的实验数据进行比较。结果表明,改进模型能够很好地与实验数据吻合,可以被用来描述MFIS结构器件的C-V特性及记忆窗口。