用MCs^+-SIMS技术研究Ti/Al_2O_3界面的组分分布

将MCs＋－SIMS技术应用扩展到了金属／绝缘体（Ti／Al2O3）界面分析。实验表明，选用MCs＋进行分析时，克服了界面效应，取得了较好的组分分布的分析结果。分析结果表明：随退火温度升高（室温，300，600，850℃），界面逐渐展宽，说明界面两边存在互扩散或发生了反应，且互扩散随退火温度升高而逐渐加强。随着退火温度升高，AlCs＋的信号逐步进入Ti层相应区域中，并形成两层平台，表明Al逐渐扩散到Ti层中，并以两种新的形式（相）存在。另外随着退火温度升高，O逐渐扩散到Ti层中，使得850℃退火样品中O的信号明显提高。