La掺杂BaSnO_(3)薄膜的低温电输运性质

利用射频磁控溅射技术在MgO(001)单晶基片上沉积了一系列Ba_(0.94)La_(0.06)SnO_(3)薄膜,并对薄膜的结构和电输运性质进行了系统研究.所有薄膜均表现出简并半导体(金属)导电特性:在T>Tmin的高温区(Tmin为电阻最小值对应的温度),薄膜的电阻率随温度的升高而升高,并且与温度的平方呈线性关系.在T<Tmin的低温区域,薄膜的电阻率随温度降低而上升,并且电阻率随lnT呈线性变化,均匀无序系统中的电子-电子相互作用、弱局域效应以及Kondo效应均不能解释这种现象.经过定量分析,发现电阻率在低温下lnT的依赖关系源于颗粒间电子的库仑相互作用.同时,在Ba_(0.94)La_(0.06)SnO_(3)薄膜中也观察到霍尔系数RH与lnT呈线性关系,并且该线性关系也定量的符合金属颗粒体系中库仑相互作用的理论.薄膜断面高分辨透射电子显微镜结果表明,虽然薄膜整体呈现外延结构,但其中存在诸多条状非晶区域,这使得薄膜整体表现出类似金属颗粒膜的电输运性质.本文的结果为金属颗粒系统中库仑相互作用对电导率和霍尔系数修正理论的正确性提供了有力的支持.

C3v和C4v金属纳米多颗粒-薄膜系统的Fano共振光谱的群论

针对C_(3v)和C_(4v)对称构型金属纳米多颗粒-薄膜系统的Fano共振光谱低谷的产生机理,运用群论的方法给出了详细的推导。在前期研究成果的基础上,分析证实了当线偏振光电场沿多颗粒所在平面入射时,C_(nv)对称构型多颗粒-薄膜系统共有4个满足相同不可约表示的E模式:在多颗粒所在平面内只有3个局域表面等离激元电偶极矩共振对称模式,其中2个模式位于外围环形多颗粒中,中心颗粒单独具有1个模式,这与Dnh对称构型多颗粒系统的电偶极矩分布完全相同;另外1个模式虽满足对称性相同的要求,但其电偶极矩的方向垂直于多颗粒所在的平面。C_(nv)点群和D_(nh)点群虽然具有相同的光谱线型,但是薄膜基底的存在会使光谱谷(峰)产生一定的红移或蓝移,这就为设计金属纳米多颗粒-薄膜系统的光学性质及其广泛应用提供了一定的参考。