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新颖的氧化生长绝缘层的MISiC传感器特性研究
被引量:
1
1
作者
韩弼
徐静平
+3 位作者
李艳萍
陈卫兵
邹晓
李春霞
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期176-178,共3页
采用新颖的NO和O2+CHCCl3(TCE)氧化技术制备金属-绝缘-体SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的栅绝缘层,研究了传感器的响应特性。结果表明,传感器可快速的检测低浓度的氢气,NO氮化氧化改善了绝缘层的界面,TCE工艺降低了界面态...
采用新颖的NO和O2+CHCCl3(TCE)氧化技术制备金属-绝缘-体SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的栅绝缘层,研究了传感器的响应特性。结果表明,传感器可快速的检测低浓度的氢气,NO氮化氧化改善了绝缘层的界面,TCE工艺降低了界面态密度和氧化层的有效电荷密度,并同时提取重金属以提高传感器的性能,使其可在高温(如300℃)等恶劣环境下长期可靠的工作,研究还发现:适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。
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关键词
金属
-
绝缘体
-sic
(
misic
)
肖特基势垒二极管
气体传感器
下载PDF
职称材料
N_2O氧化制备MISiC氢传感器的响应特性分析
被引量:
2
2
作者
韩弼
徐静平
+1 位作者
黎沛涛
李艳萍
《传感技术学报》
CAS
CSCD
2004年第2期285-288,共4页
采用N2 O氮化氧化技术制备氮化氧化物作为绝缘层制备金属 -绝缘体 -SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的技术 ,对传感器的响应特性进行了研究。实验结果表明 ,N2 O工艺能明显改善栅绝缘层和衬底之间的界面特性从而提高传感器...
采用N2 O氮化氧化技术制备氮化氧化物作为绝缘层制备金属 -绝缘体 -SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的技术 ,对传感器的响应特性进行了研究。实验结果表明 ,N2 O工艺能明显改善栅绝缘层和衬底之间的界面特性从而提高传感器的性能 ,可在高温 (如 30 0℃ )等恶劣环境下长期可靠的工作 ,且适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。
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关键词
氮化氧化物
金属
-
绝缘体
-sic
(
misic
)
肖特基势垒二极管
气体传感器
下载PDF
职称材料
MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析
被引量:
2
3
作者
钟德刚
徐静平
+1 位作者
黎沛涛
于军
《华中科技大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期89-91,共3页
分析了金属 绝缘体 SiC (MISiC)结构肖特基二极管 (SBD)气体传感器敏感机理 ,通过将热电子发射理论与隧道理论结合 ,建立了器件物理模型 .模拟结果表明 ,响应特性与金属电极类型、绝缘层厚度、气体吸收效率和温度有关 .模拟结果与实...
分析了金属 绝缘体 SiC (MISiC)结构肖特基二极管 (SBD)气体传感器敏感机理 ,通过将热电子发射理论与隧道理论结合 ,建立了器件物理模型 .模拟结果表明 ,响应特性与金属电极类型、绝缘层厚度、气体吸收效率和温度有关 .模拟结果与实验符合较好 .通过模拟 ,得到MISiC结构最佳绝缘层 (SiO2 )厚度应为 1nm左右 .
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关键词
misic
肖特基二极管式气体传感器
响应特性
敏感机理
金属
-
绝缘体
-
碳化硅结构
I
-
V特性
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职称材料
题名
新颖的氧化生长绝缘层的MISiC传感器特性研究
被引量:
1
1
作者
韩弼
徐静平
李艳萍
陈卫兵
邹晓
李春霞
机构
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期176-178,共3页
基金
湖北省自然科学基金资助项目(2000J158)
文摘
采用新颖的NO和O2+CHCCl3(TCE)氧化技术制备金属-绝缘-体SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的栅绝缘层,研究了传感器的响应特性。结果表明,传感器可快速的检测低浓度的氢气,NO氮化氧化改善了绝缘层的界面,TCE工艺降低了界面态密度和氧化层的有效电荷密度,并同时提取重金属以提高传感器的性能,使其可在高温(如300℃)等恶劣环境下长期可靠的工作,研究还发现:适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。
关键词
金属
-
绝缘体
-sic
(
misic
)
肖特基势垒二极管
气体传感器
Keywords
metal
-
insulator
-sic
(
misic
)
Schottky barrier diode (SBD)
gas sensor
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
N_2O氧化制备MISiC氢传感器的响应特性分析
被引量:
2
2
作者
韩弼
徐静平
黎沛涛
李艳萍
机构
华中科技大学电子科学与技术系
香港大学电机电子工程系
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
2004年第2期285-288,共4页
基金
湖北省自然科学基金资助项目 (2 0 0 0J15 8)
文摘
采用N2 O氮化氧化技术制备氮化氧化物作为绝缘层制备金属 -绝缘体 -SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的技术 ,对传感器的响应特性进行了研究。实验结果表明 ,N2 O工艺能明显改善栅绝缘层和衬底之间的界面特性从而提高传感器的性能 ,可在高温 (如 30 0℃ )等恶劣环境下长期可靠的工作 ,且适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。
关键词
氮化氧化物
金属
-
绝缘体
-sic
(
misic
)
肖特基势垒二极管
气体传感器
Keywords
oxynitride
Metal
-
Insulator
-sic
(
misic
)
Schottky barrier diode (SBD)
gas sensor
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析
被引量:
2
3
作者
钟德刚
徐静平
黎沛涛
于军
机构
华中科技大学电子科学与技术系
香港大学电机电子工程系
出处
《华中科技大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期89-91,共3页
基金
湖北省自然科学基金资助项目 (2 0 0 0J15 8)
香港大学"TheinternalawardforCASmembership"资助项目
文摘
分析了金属 绝缘体 SiC (MISiC)结构肖特基二极管 (SBD)气体传感器敏感机理 ,通过将热电子发射理论与隧道理论结合 ,建立了器件物理模型 .模拟结果表明 ,响应特性与金属电极类型、绝缘层厚度、气体吸收效率和温度有关 .模拟结果与实验符合较好 .通过模拟 ,得到MISiC结构最佳绝缘层 (SiO2 )厚度应为 1nm左右 .
关键词
misic
肖特基二极管式气体传感器
响应特性
敏感机理
金属
-
绝缘体
-
碳化硅结构
I
-
V特性
Keywords
misic
gas sensors
Schottky diodes
simulation
分类号
TP212.1 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新颖的氧化生长绝缘层的MISiC传感器特性研究
韩弼
徐静平
李艳萍
陈卫兵
邹晓
李春霞
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
下载PDF
职称材料
2
N_2O氧化制备MISiC氢传感器的响应特性分析
韩弼
徐静平
黎沛涛
李艳萍
《传感技术学报》
CAS
CSCD
2004
2
下载PDF
职称材料
3
MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析
钟德刚
徐静平
黎沛涛
于军
《华中科技大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
下载PDF
职称材料
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参考文献
引证文献
统计分析
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