射频MEMS开关的研究

概述射频MEMS开关的研究背景及意义,介绍国内外射频MEMS开关的研究现状,列举出两种主要的射频MEMS开关:电容耦合并联式开关和金属-金属接触串联式开关的结构、工作原理、性能比较。

微波波导法兰MM结构PIM的分析与计算

随着载波功率不断提高及通信设备精巧化的发展趋势,无源器件固有的非线性会引起严重的无源互调(PIM)干扰,由此产生的影响不可忽略。针对此现象,以微波矩形波导为研究对象,考虑PIM的主要产生机理:量子隧穿效应和热电子发射效应,在波导法兰金属—金属(MM)接触模型的基础上,提出一种计算PIM功率的方法。将两种非线性效应用隧穿电阻Rnlc的I-V特性来表示,运用谐波平衡仿真和Matlab软件进行交流仿真,分析并计算流经隧穿电阻的非线性电流、其两端的压降以及波导连接中的PIM功率。结果表明,采用此方法计算得到的PIM功率随接触压力的增大先是明显下降,当压力达到一定值后,下降变缓慢且逐渐趋于平衡状态。