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基于电-热-结构耦合分析的SiC MOSFET可靠性研究 |
黄天琪
刘永前
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《电气技术》
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2024 |
0 |
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2
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溶胶-凝胶法制备的Pt/Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)/SrTiO_3/Si电容结构及其性能研究 |
郭纯维
马颖
燕少安
周益春
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《现代应用物理》
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2014 |
0 |
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3
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低亚阈值摆幅铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管研究 |
吴迪
徐永珍
姜毅
刘会刚
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《南开大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
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2021 |
0 |
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4
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溶胶-凝胶法制备Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5薄膜及GaN MIS结构C-V特性 |
舒斌
张鹤鸣
王青
黄大鹏
宣荣喜
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
0 |
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5
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胶体金量子点浮置栅MOS结构的制备及其C-V特性 |
李卫
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《南京邮电大学学报(自然科学版)》
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2010 |
0 |
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6
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栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiNx栅介质TDDB特性的影响 |
戚永乐
王登贵
周建军
张凯
孔岑
孔月婵
于宏宇
陈堂胜
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《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
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2021 |
0 |
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7
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用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS结构的机理研究 |
林殷茵
汤庭鳌
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
0 |
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8
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Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管存储特性 |
于军
王华
董晓敏
周文利
王耘波
郑远开
赵建洪
谢基凡
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《中国科学(E辑)》
CSCD
北大核心
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2001 |
2
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9
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原子层沉积Al2O3/n-GaN MOS结构的电容特性: |
闫大为
李丽莎
焦晋平
黄红娟
任舰
顾晓峰
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
0 |
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10
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考虑界面捕获效应的MIFIS结构电学性能 |
孙静
李立
施晓蓉
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2016 |
0 |
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11
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屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制 |
李飞
刘英坤
邓建国
胡顺欣
孙艳玲
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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12
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高阻硅基GaN晶片上MIS栅结构GaN HEMT射频器件研制 |
顾子悦
吴灯鹏
程新红
刘晓博
俞跃辉
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《微波学报》
CSCD
北大核心
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2019 |
1
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13
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多种栅结构SOI NMOS器件ESD特性研究 |
何玉娟
罗宏伟
肖庆中
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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