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硅n^+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象
1
作者
傅春寅
鲁永令
曾树荣
《电子科学学刊》
CSCD
1989年第3期284-289,共6页
在研究硅n^+-p结中金深受主能级E_A的DLTS信号强度(峰高)与多子脉冲的关系中发现,当脉冲宽度宽于1μs时,峰高反而随着脉冲宽度增加而单调下降。给出了典型的实验结果,并指出这是由于E_A同时具有多子及少子两种响应区的结果。
关键词
硅n^+-p结
DLTS
金深受主能级
全文增补中
题名
硅n^+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象
1
作者
傅春寅
鲁永令
曾树荣
机构
北京大学物理系
出处
《电子科学学刊》
CSCD
1989年第3期284-289,共6页
基金
第三世界科学院研究基金(TWAS
RG
86-11)
文摘
在研究硅n^+-p结中金深受主能级E_A的DLTS信号强度(峰高)与多子脉冲的关系中发现,当脉冲宽度宽于1μs时,峰高反而随着脉冲宽度增加而单调下降。给出了典型的实验结果,并指出这是由于E_A同时具有多子及少子两种响应区的结果。
关键词
硅n^+-p结
DLTS
金深受主能级
Keywords
Si n^+-p junction
Gold deep acceptor level
DLTS
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅n^+-p结中金深受主能级DLTS中的反常现象
傅春寅
鲁永令
曾树荣
《电子科学学刊》
CSCD
1989
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