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构建垂直金纳米棒阵列增强NaYF4:Yb^3+/Er^3+纳米晶体的上转换发光
被引量:
2
1
作者
高伟
王博扬
+8 位作者
韩庆艳
韩珊珊
程小同
张晨雪
孙泽煜
刘琳
严学文
王勇凯
董军
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第18期159-168,共10页
以金纳米棒垂直阵列(gold-nanorods vertical array,GVA)为衬底,SiO2为隔离层,构建GVA@SiO2@NaYF4:Yb^3+/Er^3+纳米复合结构.在近红外980 nm激发下,通过改变中间隔离层SiO2的厚度,研究GVA对NaYF4:Yb^3+/Er^3+纳米晶体上转换发光的调控规...
以金纳米棒垂直阵列(gold-nanorods vertical array,GVA)为衬底,SiO2为隔离层,构建GVA@SiO2@NaYF4:Yb^3+/Er^3+纳米复合结构.在近红外980 nm激发下,通过改变中间隔离层SiO2的厚度,研究GVA对NaYF4:Yb^3+/Er^3+纳米晶体上转换发光的调控规律.实验结果表明,当SiO2层的厚度增大至8 nm时,Er^3+离子整体的上转换发射强度增大近8.8倍,且红光强度增强尤为明显,约为16.2倍.为了进一步证实GVA对Er^3+离子红光发射的增强效果,以红光发射为主的NaYF4:40%Yb^3+/2%Er^3+纳米晶体为对象展开研究,发现Er^3+离子红绿比由1.84增加到2.08,证实该复合结构更有利于提高红光的发射强度.通过对其光谱特性、发光动力学过程的研究并结合其理论模拟,证实了上转换发光的增强是由激发与发射增强共同作用,而激发增强占据主导地位.采用该套复合体结构实现上转换荧光发射的增强,不仅有效地利用了贵金属的等离激元共振特性,而且对深入理解等离激元增强上转换发光的物理机理提供理论依据.
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关键词
上转换发光
金纳米棒垂直阵列
NaYF4:Yb^3+/Er^3+
纳米
晶体
等离激元
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职称材料
题名
构建垂直金纳米棒阵列增强NaYF4:Yb^3+/Er^3+纳米晶体的上转换发光
被引量:
2
1
作者
高伟
王博扬
韩庆艳
韩珊珊
程小同
张晨雪
孙泽煜
刘琳
严学文
王勇凯
董军
机构
西安邮电大学电子工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第18期159-168,共10页
基金
陕西省科技新星项目(批准号:2019KJXX-058)
陕西省国际交流项目(批准号:2019KW-027)
+2 种基金
西安邮电大学创新基金(批准号:CXJJLA2018009)
陕西省自然基金(批准号:2019JQ-864)
陕西省教育厅项目(批准号:19JK0797)资助的课题.
文摘
以金纳米棒垂直阵列(gold-nanorods vertical array,GVA)为衬底,SiO2为隔离层,构建GVA@SiO2@NaYF4:Yb^3+/Er^3+纳米复合结构.在近红外980 nm激发下,通过改变中间隔离层SiO2的厚度,研究GVA对NaYF4:Yb^3+/Er^3+纳米晶体上转换发光的调控规律.实验结果表明,当SiO2层的厚度增大至8 nm时,Er^3+离子整体的上转换发射强度增大近8.8倍,且红光强度增强尤为明显,约为16.2倍.为了进一步证实GVA对Er^3+离子红光发射的增强效果,以红光发射为主的NaYF4:40%Yb^3+/2%Er^3+纳米晶体为对象展开研究,发现Er^3+离子红绿比由1.84增加到2.08,证实该复合结构更有利于提高红光的发射强度.通过对其光谱特性、发光动力学过程的研究并结合其理论模拟,证实了上转换发光的增强是由激发与发射增强共同作用,而激发增强占据主导地位.采用该套复合体结构实现上转换荧光发射的增强,不仅有效地利用了贵金属的等离激元共振特性,而且对深入理解等离激元增强上转换发光的物理机理提供理论依据.
关键词
上转换发光
金纳米棒垂直阵列
NaYF4:Yb^3+/Er^3+
纳米
晶体
等离激元
Keywords
upconversion emission
gold-nanorods vertical array
NaYF4:Yb^3+/Er^3+nanocrystals
plasmon
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
构建垂直金纳米棒阵列增强NaYF4:Yb^3+/Er^3+纳米晶体的上转换发光
高伟
王博扬
韩庆艳
韩珊珊
程小同
张晨雪
孙泽煜
刘琳
严学文
王勇凯
董军
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
2
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职称材料
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