ICP-AES法同时测定金锡合金中13个杂质元素

试样用HCl-HNO3溶解,采用ICP-AES法同时测定金锡合金中铝、铍、铋、钙、镉、铬、铜、铁、镁、锰、镍、铅、锌等13个杂质元素。对基体金、锡的影响、元素分析谱线、背景校正、仪器分析参数等进行了研究,确定了最佳实验条件。样品加标回收率为90.2%～117.8%,相对标准偏差为3.6%～7.5%。方法操作简便、快速、准确。

电化学制备金锡合金薄膜技术研究

共晶成分的金锡合金具有诸多优异性能,文章介绍了一种制备金锡合金的方法,采用该方法在陶瓷基体上面制备金锡薄膜焊料。对焊料的成分进行了检测,对焊料的焊接性能和焊接可靠性进行了测试。试验结果满足GJB548相关要求。

机械合金化法制备金锡合金

采用高能球磨机械合金化法制备了Au-20%Sn合金,分析了合金物相、组织和硬度随球磨时间的变化规律,探讨了合金塑性与合金组织及制备工艺的关系。结果表明:采用高能球磨机械合金化法可以制备Au-20%Sn合金;随球磨时间的增加,Au-20%Sn的合金化程度增加,组织中的金属间化合物逐渐增多,最终基本上为δ相和ζ′相;合金的硬度随球磨时间的延长逐渐升高,并在球磨60min后获得最高硬度104.2HV,然后开始下降;球磨后的合金粉末在190℃×2h的烧结过程中发生了不同程度的再结晶和晶粒长大,再结晶程度随球磨时间的延长而增加,导致烧结后合金硬度在球磨时间超过60min后反而下降。

高能球磨制备金锡合金钎料

采用高能球磨法制备金锡共晶合金钎料,研究球磨后样品的微观组织随球磨时间的演变规律。XRD的检测结果表明,随着球磨时间的延长,球磨后的样品中依次出现ε相(AuSn2)、δ相(AuSn)和ζ′相(Au5Sn)等金属间化合物,出现顺序与合金化程度密切相关。SEM及EDX的观察结果表明,随着球磨时间的延长,单质Au粉与Sn粉之间实现了充分的合金化,标志粉末处于焊合过程中的河流状变形带的密度逐渐降低,最后趋于消失,组织整体均匀性提高,获得了成分均匀的共晶合金。

金锡合金钎料研究现状

介绍AuSn20合金钎料的性能和制备方法。分析传统铸造拉拨轧制法、叠层冷轧复合法、电镀沉积法以及金锡钎料焊接工艺技术的利与弊及改进情况。

电镀金锡合金的影响因素

阐述了设备、夹具和工艺参数对金锡合金镀层成分和厚度的影响。提出利用X射线荧光检测仪分析镀层性能,并以热台辅助验证。通过合理设计夹具及调整镀液离子浓度、电流密度、电镀时间等工艺参数,可获得性能理想的金锡合金镀层。

D-KH法制备金锡合金的组织与结构

通过D-KH法和熔铸法、急冷法制备的AuSn20合金相组成和相结构比较,表明了采用D-KH法制备的不同厚度AuSn20箔带和用3种方法制造的AuSn20合金的相组成和相结构完全相同。

火试金法测定金锡合金中金含量

研究了采用火试金法直接测定金锡合金中金的含量。研究结果表明:方法对金锡合金样品中的金含量分析具有很好的准确度,相对标准偏差为0.0186%。

金锡合金钎料焊膏与箔材钎焊性能对比研究

研究和比较了自制金锡合金焊膏与金锡合金箔材的相关性能。实验结果表明:金锡合金钎料焊膏的铺展性及润湿性优于箔材钎料;接头的显微组织和结构基本相同;在大气条件下,焊膏的钎焊性能比箔材钎料好;焊膏的剪切强度略低于箔材钎料。

不同金锡合金中金含量的火试金测定

当金锡合金中锡含量超过35%,直接进行灰吹时,金、银合粒松散,不聚珠,灰皿中存在灰吹残留渣,导致火试金测定结果偏低。对高含量样品,研究采用熔炼-灰吹的操作可去除锡干扰,得到完整的合粒。对不同含量的样品宜选择不同的分金硝酸浓度。根据不同含量采用不同的操作步骤,测定金锡合金中金的加标回收率为99.74%~100.27%,方法精密度(RSD)为0.021%~0.127%。

金锡合金密封空洞控制技术研究

金锡合金密封工艺广泛应用于高可靠军用电子元器件产品上,对密封空洞的控制有很高的要求,基于此,以某型号控制电路需求为依托,针对陶瓷气密封装的密封空洞控制技术,研究了影响密封空洞的基本前提和关键因素。提出了焊料环设计、焊接气氛、原材料表面状态是决定密封空洞能否被有效控制的基本前提。在焊接峰值温度和焊接压力两个关键因素上进行优化方法对比实验,得出了最佳的提高密封空洞控制水平的有效方法。成果推广到多种封装形式上,有助于提高军用元器件密封质量,可广泛应用于航空航天和空间设备仪器的核心电路封装中,在行业内具有一定的指导意义。

电化学沉积金锡合金及其性能研究

以柠檬酸金钾和氯化亚锡为主要原材料,配制Au^+及Sn^(2+)浓度分别为8 g/L和10 g/L的溶液,在不同电流密度下通过电化学沉积获得金锡合金镀层。通过X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、微区元素成分分析(EDS)及差示扫描量热分析(DSC)等手段对镀层的物相、微观形貌、金含量及熔融性能进行了系统研究。结果表明,电流密度0.030～0.045 mA/mm^2为最佳电流密度范围,可获得熔融温度约280℃、焊接性能良好的金锡合金镀层。

基于金锡合金焊料的低空洞率真空烧结技术研究

随着半导体大功率器件制造技术的发展,芯片的散热问题一直是制约功率器件发展的因素之一。器件内部散热主要是通过芯片背面向外传导,因此芯片粘接质量将直接影响器件的散热性能,而粘接空洞率情况是影响粘接质量以及器件散热性的主要因素,围绕这一参数展开研究,通过分析真空烧结曲线、原材料状态和还原性气体等因素对金锡粘片质量的影响,结合相关对比实验,最终摸索出一种低空洞率的金锡真空烧结技术方法。

温度对金锡合金焊料共晶形貌影响机制研究

金锡焊料熔封作为典型的高可靠气密封装方式,广泛应用于航空航天、船舶舰艇、导弹雷达、装甲坦克等装备系统器件。鉴于金锡焊料环对成分和质量有严格的控制要求,在实际应用中会由于管壳、盖板母材及其镀层的参与造成对共晶点的偏离,得到更为复杂的焊接状态。为深入剖析封装机理、提高封装质量,对影响共晶界面形貌最为重要的温度因素展开研究。设定不同峰值温度,通过扫描焊接样品截面,观察界面化合物状态和分布,研究密封过程中工艺参数对封焊区微观形貌的影响,得到焊缝厚度、树枝晶化合物厚度、Ni元素扩散距离等界面状态随峰值温度变化的趋势,为进一步提高金锡焊料熔封可靠性提供理论参考。

金锡共晶合金凝固研究进展(英文)

金锡二元共晶合金钎料是一种广泛应用于高可靠微电子与光电子器件封装中的连接材料,目前我国对该类高性能钎料的凝固与成形控制缺乏深入系统地研究。合金铸态组织粗大和硬脆性金属间化合物的不均匀分布是导致合金加工成形困难的根本原因,铸态组织细化将显著提高合金的加工成形性能。综述了合金的快速凝固、熔体温度处理、孕育形核处理和熔体混合处理等对金锡共晶合金凝固组织细化及组织演变规律影响等方面的研究进展。

电镀Au-Sn合金的研究

Au-Sn(质量分数为20%)共晶焊料有着优良的导热和导电特性,已被广泛应用在光电子和微电子的器件封装工业中。对微氰和无氰电镀Au-Sn合金的两种电镀方法进行了研究,概述了镀液组分和电镀工艺条件,用扫描电镜的方法测试不同电流密度下Au-Sn合金组分,用测厚仪测试镀层厚度,计算出镀速,最终确定电镀Au-Sn(质量分数为20%)合金的电镀条件,并对微氰和无氰电镀液优缺点进行了对比分析。

金锡焊料及其在电子器件封装领域中的应用

本文介绍了Au80%Sn20%焊料的基本物理性能。同时介绍了这种焊料在微电子、光电子封装中的应用。

氮化铝表面分层电镀制备金锡共晶薄膜工艺

采用分层电镀技术在氮化铝基板上制备了金锡共晶薄膜,主要工序为磁控溅射铜、电镀镍、电镀锡、电镀金和热处理。研究了电镀工艺和热处理的相关因素对金锡共晶膜层性能的影响,得到了可制得Au、Sn质量分数分别为(80±1)%和(20±1)%的金锡共晶合金膜的工艺参数。所得共晶膜可焊性良好,剪切强度优异。

Au-Sn合金电镀液

概述了含有Ａｕ化合物，有机酸锡盐、络合剂和ｐＨ缓冲剂等组成的Ａｕ－Ｓｎ合金镀液，可以获得组成稳定的８０ｗｔ％Ａｕ和２０ｗｔ％Ｓｎ的Ａｕ－Ｓｎ合金镀层。

金锡钎料性能及应用

本文报道了成分为80％Au20％Sn合金钎料系列产品的综合性能、国产化产品特性及其在高可靠微电子器件制造工艺中的典型应用。