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硅热电堆探测器件及制作
被引量:
1
1
作者
广田正树
森田信一
江涛
《红外》
CAS
2001年第1期22-25,共4页
针对实现红外技术在夜间和一些死角方面应用的视觉辅助系统,把微机械加工技术和制作微细红外吸收膜的工艺应用到CMOS技术中,使热电堆实现了高性能化。利用运用PSG替代层的分离法制作用低压真空蒸镀法成膜的金黑膜,使吸收膜实现了微细化...
针对实现红外技术在夜间和一些死角方面应用的视觉辅助系统,把微机械加工技术和制作微细红外吸收膜的工艺应用到CMOS技术中,使热电堆实现了高性能化。利用运用PSG替代层的分离法制作用低压真空蒸镀法成膜的金黑膜,使吸收膜实现了微细化。制作出三种160μm见方的原型传感器,它们在大气中的灵敏度分别达到300 V/W、140 V/W、60V/W,响应时间常数达 2 ms、0.46ms、0.27 ms。还利用原型传感器制成了 64 ×32像元焦平面列阵传感器(FPA)。
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关键词
硅热电堆探测器伯
金黑膜
CMOS
热式红外传感器
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职称材料
题名
硅热电堆探测器件及制作
被引量:
1
1
作者
广田正树
森田信一
江涛
机构
日本日产汽车株式会社综合研究所电子情报研究所
出处
《红外》
CAS
2001年第1期22-25,共4页
文摘
针对实现红外技术在夜间和一些死角方面应用的视觉辅助系统,把微机械加工技术和制作微细红外吸收膜的工艺应用到CMOS技术中,使热电堆实现了高性能化。利用运用PSG替代层的分离法制作用低压真空蒸镀法成膜的金黑膜,使吸收膜实现了微细化。制作出三种160μm见方的原型传感器,它们在大气中的灵敏度分别达到300 V/W、140 V/W、60V/W,响应时间常数达 2 ms、0.46ms、0.27 ms。还利用原型传感器制成了 64 ×32像元焦平面列阵传感器(FPA)。
关键词
硅热电堆探测器伯
金黑膜
CMOS
热式红外传感器
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅热电堆探测器件及制作
广田正树
森田信一
江涛
《红外》
CAS
2001
1
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