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一种采用圆片级真空封装的全硅MEMS三明治电容式加速度计
被引量:
3
1
作者
胡启方
李男男
+3 位作者
邢朝洋
刘宇
庄海涵
徐宇新
《中国惯性技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2017年第6期804-809,共6页
全硅MEMS加速度计具有温度特性好、封装体积小、成本低的优点,从而成为小型化GNC(制导、导航与控制)系统的关键器件。给出了一种具有三层硅结构的MEMS三明治加速度计的设计、加工以及圆片级真空封装方法,其中,中间硅摆片的3D结构通过双...
全硅MEMS加速度计具有温度特性好、封装体积小、成本低的优点,从而成为小型化GNC(制导、导航与控制)系统的关键器件。给出了一种具有三层硅结构的MEMS三明治加速度计的设计、加工以及圆片级真空封装方法,其中,中间硅摆片的3D结构通过双面KOH湿法腐蚀制造,腐蚀过程中使用台阶化的SiO_2作为硬掩模。硅盖板的加工主要通过KOH各向异性腐蚀和电感耦合等离子体垂直刻蚀完成。最后,上、下硅盖板通过基于Au-Si共晶反应的全硅键合技术从两侧与硅中间摆片进行键合,并实现圆片级真空封装。三明治加速度计的腔体内封装了压力为200 Pa的高纯氮气。测试结果表明,所述加速度计的闭环输出灵敏度为0.575 V/g,零位误差为0.43 g。加速度计的-3dB带宽为278.14Hz。加速度计1 h的输出稳定性为2.23×10-4 g(1σ)。加速度计在全温范围(-40℃~60℃)内的输出漂移为45.78 mg,最大温度滞环为3.725 mg。
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关键词
MEMS
加速度计
圆片级真空封装
金-硅共晶
键合
下载PDF
职称材料
感应加热硅衬底上的金膜用于圆片键合(英文)
2
作者
陈明祥
甘志银
刘胜
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期479-483,共5页
选用垂直于其表面的射频磁场对镀金膜的硅片进行了感应加热,由于磁场对材料加热具有选择性,感应热量首先作用于硅片上的金膜内,硅片先被传导加热到一定温度,然后被感应加热。理论上分析了该方法的可行性,初步试验结果表明,虽然金膜厚度...
选用垂直于其表面的射频磁场对镀金膜的硅片进行了感应加热,由于磁场对材料加热具有选择性,感应热量首先作用于硅片上的金膜内,硅片先被传导加热到一定温度,然后被感应加热。理论上分析了该方法的可行性,初步试验结果表明,虽然金膜厚度低于感应趋肤深度,但在没有应用感应加热基座的情况下,几秒钟内就形成了金硅共晶相。另外,升温速度快,有效减少了加热过程中金对硅的扩散影响,该方法可广泛用于微系统封装中的圆片键合。
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关键词
圆片键合
感应加热
金-硅共晶
微机电系统(MEMS)封装
原文传递
题名
一种采用圆片级真空封装的全硅MEMS三明治电容式加速度计
被引量:
3
1
作者
胡启方
李男男
邢朝洋
刘宇
庄海涵
徐宇新
机构
北京航天控制仪器研究所
出处
《中国惯性技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2017年第6期804-809,共6页
基金
北京市自然科学基金(4142058)
装备预先研究项目(41417020402)
装备预研共用技术项目(41417010302)
文摘
全硅MEMS加速度计具有温度特性好、封装体积小、成本低的优点,从而成为小型化GNC(制导、导航与控制)系统的关键器件。给出了一种具有三层硅结构的MEMS三明治加速度计的设计、加工以及圆片级真空封装方法,其中,中间硅摆片的3D结构通过双面KOH湿法腐蚀制造,腐蚀过程中使用台阶化的SiO_2作为硬掩模。硅盖板的加工主要通过KOH各向异性腐蚀和电感耦合等离子体垂直刻蚀完成。最后,上、下硅盖板通过基于Au-Si共晶反应的全硅键合技术从两侧与硅中间摆片进行键合,并实现圆片级真空封装。三明治加速度计的腔体内封装了压力为200 Pa的高纯氮气。测试结果表明,所述加速度计的闭环输出灵敏度为0.575 V/g,零位误差为0.43 g。加速度计的-3dB带宽为278.14Hz。加速度计1 h的输出稳定性为2.23×10-4 g(1σ)。加速度计在全温范围(-40℃~60℃)内的输出漂移为45.78 mg,最大温度滞环为3.725 mg。
关键词
MEMS
加速度计
圆片级真空封装
金-硅共晶
键合
Keywords
MEMS
accelerometer
wafer level packaging
Au
-
Si eutectic bonding
分类号
U666.1 [交通运输工程—船舶及航道工程]
下载PDF
职称材料
题名
感应加热硅衬底上的金膜用于圆片键合(英文)
2
作者
陈明祥
甘志银
刘胜
机构
华中科技大学微系统研究中心
出处
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第6期479-483,共5页
基金
High Technology Program of Science and Technology of China (No.2004AA404221)
文摘
选用垂直于其表面的射频磁场对镀金膜的硅片进行了感应加热,由于磁场对材料加热具有选择性,感应热量首先作用于硅片上的金膜内,硅片先被传导加热到一定温度,然后被感应加热。理论上分析了该方法的可行性,初步试验结果表明,虽然金膜厚度低于感应趋肤深度,但在没有应用感应加热基座的情况下,几秒钟内就形成了金硅共晶相。另外,升温速度快,有效减少了加热过程中金对硅的扩散影响,该方法可广泛用于微系统封装中的圆片键合。
关键词
圆片键合
感应加热
金-硅共晶
微机电系统(MEMS)封装
Keywords
wafer bonding
induction heating
gold
-
silicon eutectic
MEMS packaging
分类号
TN304.9 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种采用圆片级真空封装的全硅MEMS三明治电容式加速度计
胡启方
李男男
邢朝洋
刘宇
庄海涵
徐宇新
《中国惯性技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2017
3
下载PDF
职称材料
2
感应加热硅衬底上的金膜用于圆片键合(英文)
陈明祥
甘志银
刘胜
《功能材料与器件学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
原文传递
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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