磁致冷材料钆硅锗系合金中Si和Gd的重量法联测的研究

参考了HClO4脱水重量法测定Si及草酸盐重量法测定Gd的方法，建立了钆硅锗系合金中主成分Si和Gd联合测定的方法，并详细考查了共存元素及杂质元素对测定的影响。合金共存元素Ge在HCl的存在下，绝大部分可以GeCl4的形式被蒸发，达到与被测元素分离的目的。熔样过程引入的杂质元素Ni可与被测元素Gd，用氨水沉淀分离，残留Ni不足以影响Gd的测定。方法回收率在98．5％以上，Si和Gd的测量相对标准偏差分别在2．6％～3．0％和0．4％～0．5％。

ICP-MS法测定磁致冷材料-钆硅锗系合金中Mo、Mn、Al、V、Ni、Cu、Ga、Fe

建立了ICP-MS法测定磁致冷材料-钆硅锗系合金中Mo、Mn、Al、V、Ni、Cu、Ga、Fe八种痕量杂质元素的方法，并对ICP-MS工作参数及条件进行了优化。方法的检出限为0．1-0．6ng/mL，测定下限为0．5～3ng／mL，回收率在95．5％～109％，相对标准偏差（n=11）为1．3％-7．6％。采用该方法对磁致冷材料．钆硅锗系合金实际样品进行了分析，结果表明精密度和准确度均满足痕量分析的要求。

磁制冷材料钆硅锗系合金中的杂质元素的ICP-AES分析方法的研究

研究建立了ICP-AES同时测定磁制冷材料钆硅锗系合金中Mo,Mn,Al,V,Ni,Cu,Ga,Fe,Ca(含量范围为质量分数0.1%～1%)9种杂质元素的分析方法。方法的检出限为0.003～0.1μg.ml-1,测定下限为0.02～0.5μg.ml-1,回收率在94%～108%,对于杂质质量分数为0.1%,0.5%,1.0%的样品,其RSD分别为0.40%～2.6%,0.52%～1.1%,0.67%～1.3%,结果表明该方法的精密度和准确度均满足微量分析的要求。

Sol-Gel法制备Y系高温超导材料及烧结条件的研究

介绍了YBa_2Cu_3O_(7-δ)(Y-123)和F掺杂的YBa_2Cu_3F_(0.6)O_(7-δ)(Y(F)-123)高Tc超导材料的Sol-Gel法制备,井对烧结条件进行了研究。

Ag-Ru-Gd(Gd≤33.3at%)三元系相图700℃等温截面

用X -射线衍射和金相显微镜方法分析研究了含 0～ 33 3at%Gd的Ag -Ru -Gd三元系 ,作出了该体系部分相图的 70 0℃等温截面。在该截面上存在 5个单相区 :Ag、Ru、Ag51 Gd1 4 、Ag2 Gd和GdRu2 ;7个两相区 :Ag2 Gd +GdRu2 、Ag51 Gd1 4 +GdRu2 、Ag51 Gd1 4 +Ag2 Gd、Ag +Ru、GdRu2 +Ru、Ag +Ag51 Gd1 4 和Ag51 Gd1 4 +Ru ;3个三相区 :Ag +Ru +Ag51Gd1 4 、Ag51 Gd1 4 +Ru +GdRu2 和Ag51 Gd1 4 +Ag2 Gd +GdRu2 。没有发现三元中间相。

Ho替代Y的YBCO外延薄膜制备及超导电性

利用直流磁控溅射技术制备了Ｈｏ替代的ＹＢＣＯ超导薄膜，Ｘ射线技术（θ－２θ扫描：θ－θ扫描及—扫描）、ＳＥＭ和电子通道花样（ＥＣＰ）测试表明，所制备的掺杂薄膜具有高平面内外延性和平面外外延性。发现掺杂薄膜的临界电流密度Ｊｃ比ＹＢＣＯ薄膜的有不同程度的提高，掺杂量ｘ＝０４时有最大值。

镁合金表面激光熔覆Al/TiB_2复合强化层及其性能

以Al—TiB2复合粉体为强化层原料（其中铝为粘结剂），采用Nd：YAG激光在镁钆系镁合金表面进行激光熔覆强化处理，考察了TiBz含量对强化层组织、耐磨性及其与基体相容性的影响。结果表明：强化层中铝元素与基体中的钆、钇等元素发生了原位反应，生成了高温硬质相A12Gd和A12Y等金属间化合物，且引入的强化相TiB2未发生分解，与原位合成的金属间化合物及基体相容性良好，但分布特点和结构差异显著；当复合粉体中TiB2质量分数低于70％时，强化层组织细小均匀；强化层显微硬度随着Ti＆含量的增加而增大，比基体硬度提高4～6倍，耐磨性能得到显著改善。

Mg–Gd–Y系合金微弧氧化陶瓷层生长机理及耐蚀性

利用扫描电镜、X射线衍射等研究了Mg–11%Gd–1%Y–0.5%Zn(质量分数)合金微弧氧化陶瓷层的生长规律,分析了微弧氧化膜层相结构及不同生长阶段的耐蚀性。结果表明:在微弧氧化初期,膜层生长遵循直线规律,为典型的电化学极化控制的阳极沉积阶段;随处理时间的延长及膜层增厚,膜层生长符合抛物线规律,属微弧氧化阶段,较氧化初期比,生长速率慢;在弧光放电阶段,抛物线斜率增大,疏松层增厚,生长速率有所提高。微弧氧化疏松层主要以MgSiO3为主,致密层以MgO为主;微弧氧化各阶段,膜层耐蚀性随氧化时间增长而提高,到弧光放电阶段,耐蚀性有所降低。氧化时间为7～12min时,制备的膜层具有较好的耐蚀性。