Ba_(0.95)Ce_(0.9)Y_(0.1)O_(3-α)固体氧化物的离子导电性及其燃料电池性能

以Ba0 .95Ce0 .9Y0 .1O3-α氧化物陶瓷为固体电解质 ,以多孔性Pt为电极材料 ,分别组成氢、氧浓差电池和氢_空气燃料电池 ,测定了 6 0 0～ 10 0 0℃范围内的浓差电池电动势 ,燃料电池的放电性能和电极极化性能 .结果表明 ,Ba0 .95Ce0 .9Y0 .1O3-α在氢气氛中几乎是一个纯质子导体 ,在氧气氛中是氧离子与电子空穴的混合导体 ,氧离子迁移数在 0 .3～ 0 .5之间 ,在氢_空气燃料电池条件下显示出混合离子 (质子 +氧离子 )导电性 ,总离子迁移数大于 0 .9.该燃料电池性能良好 ,Pt电极极化性能很小 ,最大输出电流密度为 6 80mA·cm- 2 (10 0 0℃ ) ,最大输出功率密度为 16 0mW·cm- 2 (10 0 0℃ ) .

Li_4SiO_4-Y_2O_3的溶胶-凝胶法合成及离子导电性研究

用溶胶—凝胶法制备了 L i4Si O4- x Y2 O3 (x=0～ 0 .5 )离子导体材料 ,并用 DTA- TG、XRD及交流阻抗等技术对样品进行了测试 ,结果发现 :用溶胶—凝胶法可降低 L i4Si O4的合成温度并可提高离子的导电性 ,适量Y2 O3 的掺入可增强基质的致密性 。

Si^(4+)离子对Y^(3+):PbWO_4晶体闪烁性能及辐照硬度的影响

Y3+离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数<1的Na+、K+和Si4+等杂质在顶端的富集.本文研究了Si4+掺杂的Y3+:PWO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si4+离子杂质对Y3+:PWO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Y3+:PWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si4+离子含量无关.

Y_3Al_5O_(12)∶Eu^(3+)磷光体的溶胶凝胶法合成及发光特性

以金属烷氧基化合物为原料,采用溶胶 凝胶法在1000℃下合成了Eu3+掺杂的Y3Al5O12(YAG)磷光体。利用TG DSC,XRD和发光光谱等对样品进行了表征。结果表明,YAG∶Eu3+的晶相形成温度为991℃。Eu3+在非晶态和晶态YAG中的发射光谱有明显差异。研究了Eu3+含量和烧结温度对Eu3+的5D0→7F1和5D0→7F2发射峰强度的影响。随煅烧温度的升高和Eu3+浓度的增加,Eu3+发射峰强度增强。

精细粒度Y_3Al_5O_(12):Tb荧光材料的燃烧法合成及其特性

以尿素作燃料采用快速燃烧法,得到了YAG:Tb材料的前驱粉末.对前驱粉末热处理后,合成了YAG:Tb荧光材料.通过XRD、SEM和PL光谱等技术,测定了该材料的结构、形貌及发光特性.虽然制备过程中没有加入助熔剂,但该材料的化学纯度明显得到提高.YAG:Tb荧光粉的颗粒精细、分布均匀,粒径在1-2μm之间.分析了YAG:Tb和YAG:Ce,Tb的发光特性.

利用掺Ho,Tm稀土离子的YAG纳米粉体制备透明陶瓷

本文通过碳酸盐共沉淀法合成了掺Ho,Tm稀土离子的YAG纳米粉体,并利用粉体制备了YAG透明陶瓷.借助X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对样品进行了结构表征.结果表明,由碳酸盐共沉淀法,经高温1000℃烧结后,合成的纳米粉体颗粒粒径分布均一,满足制备透明陶瓷条件,该粉体经干压成型后,可得到透明的Ho,TmYAG陶瓷.由荧光测试结果分析可知,在2.01μm(2010 nm)处Ho,TmYAG陶瓷能稳定地发出激光,经透过率检测,陶瓷的透过率约为84.57%,透过率完全符合能发出激光的要求.SEM检测表明,陶瓷表面结构致密,作为基质材料可稳定持续地发出激光.

钇(Ⅲ)-培氟沙星的荧光特性研究及培氟沙星含量的测定

为了建立一种测定培氟沙星(PEFX)含量的荧光分析新方法,试验在激发波长275 nm处测定PEFX-Y3+[钇(Ⅲ)-培氟沙星]配合物体系的荧光强度,并对影响该体系荧光强度的各因素进行优化。结果表明:在pH值为5.0的NH4Cl-NH3缓冲溶液中,PEFX与Y3+反应并形成稳定的配合物,发生分子内能量转移,使PEFX-Y3+体系的荧光强度较PEFX明显增强;PEFX-Y3+体系的荧光强度与PEFX在1.0×10-9～1.0×10-6mol/L浓度范围内呈良好的线性关系,r=0.999 8,检出限为2.04×10-11mol/L。说明用该法测定培氟沙星注射液的含量结果较满意。

HoYb:YVO_4的上转换发光研究

研究了 96 0nm激光激发下HoYb双掺钒酸钇晶体HoYb :YVO4的直接上转换增敏发光 ,发现了Ho3 +离子的上转换发光现象 ,HoYb :YVO4晶体的上转换发光是5F5→5I8最强 ,而5S2 →5I8相对小了一个数量级 ,这是由于YVO4晶体既有很强的振子强度又有很大的多声子无辐射弛豫造成的 .