钌掺杂TiO_2/Ti光电极的制备及光电催化性能

采用阳极氧化法制备贵金属钌掺杂TiO2/Ti光电极,用EIS、XRD和SEM对光电极的性能进行表征,并对亚甲基蓝进行光电催化降解。结果表明:钌掺杂后可增大TiO2/Ti光电极比表面积,提高其光电催化活性;在HF电解液中,阳极氧化制备钌掺杂TiO2/Ti光电极的最佳条件为:氧化电压为20V,氧化时间20min,热处理温度600℃;以紫外灯(125W)为光源,在外加偏压0.2V,钌掺杂TiO2/Ti光电极对亚甲基蓝光电催化120min可完全脱色。

铈掺杂TiO_2／Ti光电极制备及可见光下光电催化性能的研究

采用阳极氧化法制备铈掺杂TiO_2/Ti光电极,用SEM、XRD、XRF、XPS和UV/VIS/NIR对光电极的性能进行表征,并对其可见光照射下的光电催化性能进行了测试.研究结果表明:在成膜电压为160V,电流密度为100mA/cm^2,Ce(NO_3)_3浓度为960mg/L条件下制备的铈掺杂TiO_2/Ti光电极在降解罗丹明B的实验中表现出良好的光电催化活性.

硫掺杂TiO_2/Ti光电极制备及其可见光光电催化性能

为了提高TiO2/Ti光电极在可见光下的光电催化活性,采用阳极氧化法制备了一种新型的硫掺杂TiO2/Ti光电极.采用扫描电子显微镜、X射线衍射、X射线荧光光谱等技术对光电极进行了表面形貌、结晶形态、晶粒尺寸、硫的掺杂量和价态以及吸光性能表征.研究表明:硫掺杂TiO2/Ti光电极的最佳制备条件为:成膜电压160V、电流密度100mA/cm2、Na2SO3质量浓度750mg/L;所制备的光电极具有良好的光电催化氧化降解邻苯二甲酸二甲酯活性,并能有效地矿化其中间产物;与TiO2/Ti电极相比,硫的掺杂可以显著提高其在可见光下的光电催化性能.

光源对TiO_2光催化剂性能的影响

采用阳极氧化法制备了 Ti O2 /Ti薄膜半导体光电极 ,并测试了该电极在 2 5 4 nm和365 nm两种光源照射下苯酚的转化过程。实验表明 :2 5 4 nm波长光源下苯酚的降解以均相光氧化反应为主 ;365 nm波长的光照下 ,以多相光催化反应为主 ,电极上加偏压能明显提高反应速率。在三电极体系中 ,用频响分析系统测试了光电极的交流阻抗图谱 ( EIS) ,分析