钒离子掺杂对TiO_2光催化剂薄膜催化活性的影响

采用溶胶凝胶工艺在普通玻璃表面制备了钒离子非均匀掺杂的 Ti O2 薄膜 ,运用 XRD研究了其光催化复合薄膜的表面特征。以光催化降解甲基橙溶液为模型反应 ,表征薄膜的光催化活性 ,结果表明 ,将钒离子富集在 Ti O2 薄膜内部时 ,最佳掺杂浓度为 1.0 % (V/Ti原子百分比 ) ,最佳降解表观速率常数为 7.4 4× 10 -3 min-1,约是纯 Ti O2 的 2 .3倍 ,有效地提高了 Ti O2 半导体的光催化效率。通过 XPS与电化学方法进行分析 ,说明将钒离子富集在 Ti O2 薄膜内部十分有利于电子 -空穴的分离 。

掺杂稀土钒酸钇RE:YVO_4晶体荧光光谱性质的研究

采用Czochralski方法生长了透明均匀的含Tm3 + ,Er3 + ,Yb3 + 稀土离子的YVO4晶体 ,室温下测量了各晶体试样在 32 6和 6 5 8nm泵浦光激发下的荧光光谱 ,分析了不同掺杂浓度和稀土离子的各晶体试样中的荧光光谱性质 。

用废旧干电池浸出液采用共沉淀法合成V^(5+)掺杂锰–锌铁氧体

以废旧干电池的浸出液为原料,以NH4HCO3为沉淀剂,以NH4VO3为添加剂,采用共沉淀技术制备了不同V5+掺杂量(摩尔分数,下同)的锰–锌铁氧体。采用电感耦合等离子发射光谱仪、冷原子荧光测汞仪定量分析了浸出液中各金属离子浓度。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜研究了样品的微观结构并测试了样品的磁性能。采用Archimedes法测试了样品的密度。结果表明:废旧电池的浸出液经金属还原法除汞后,汞离子及杂质金属离子均已去除。掺入V5+不改变单相尖晶石结构。随着V5+掺杂量的增加,样品粒径先增大后变化不明显,当V5+掺杂量为0.05%时,样品粒径更均匀,密度更大;而气孔率先减小后增大;磁导率和饱和磁感应强度随掺杂量的增加先增大后减小,且当V5+掺杂量为0.05%时最大。