期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
原位生长钙长石/莫来石复合材料的制备 被引量:4
1
作者 董伟霞 包启富 +2 位作者 顾幸勇 胡克艳 江俊 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期12-14,30,共4页
采用高岭土、氢氧化铝和碳酸钙等为主要原料,通过原位生长法制备了钙长石/莫来石复合材料。研究了烧结温度以及钙长石/莫来石质量比对复合材料性能的影响。结果表明:当烧结温度为1 400~1 420℃,钙长石/莫来石质量比为30:70时,所制复合... 采用高岭土、氢氧化铝和碳酸钙等为主要原料,通过原位生长法制备了钙长石/莫来石复合材料。研究了烧结温度以及钙长石/莫来石质量比对复合材料性能的影响。结果表明:当烧结温度为1 400~1 420℃,钙长石/莫来石质量比为30:70时,所制复合材料的抗折强度达到128.9~151.7 MPa。该复合材料与低介玻璃粉末复合制备出了力学强度高和介电性能较优的玻璃/陶瓷复合材料,可望用于低温共烧陶瓷基片材料。 展开更多
关键词 原位生长 钙长石/莫来石复合材料 抗折强度
下载PDF
ZnO对钙长石/莫来石复合材料性能的影响 被引量:4
2
作者 董伟霞 顾幸勇 包启富 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期57-59,63,共4页
以钙长石和莫来石等为主要原料,制备了与硅芯片相匹配的新型复合材料。研究了烧结助剂ZnO的加入量、烧结温度和显微结构等因素对材料性能的影响。结果表明:当w(ZnO)为8%时,该复合材料烧结温度为1000℃,其主要性能如下:在1MHz下... 以钙长石和莫来石等为主要原料,制备了与硅芯片相匹配的新型复合材料。研究了烧结助剂ZnO的加入量、烧结温度和显微结构等因素对材料性能的影响。结果表明:当w(ZnO)为8%时,该复合材料烧结温度为1000℃,其主要性能如下:在1MHz下εr为6.48,tanδ为4.00×10^-3,抗折强度为76.29MPa,α1(25—500℃)为3.44×10^-6℃^-1。 展开更多
关键词 复合材料 钙长石/莫来石 烧结温度 介电常数
下载PDF
低熔、低介玻璃粉末的初步研究 被引量:1
3
作者 董伟霞 包启富 顾幸勇 《真空电子技术》 2009年第3期60-62,共3页
通过玻璃组成与性能关系的设计研究,以及玻璃/钙长石/莫来石复合设计,研究了合适的玻璃相种类对复合材料的介电性能等的影响。通过比较其综合性能,初步确定出性能优良的低熔、低介玻璃粉末。
关键词 电子技术 玻璃/钙长石/莫来石 低介电特性
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部