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电解铜箔中异常粒子成长的解析
被引量:
2
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作者
蔡积庆(编译)
《印制电路信息》
2010年第5期35-38,共4页
研究了电解铜箔制造时旨在防止缺陷的镀铜层上发生的异常粒子成长。在Ti基板上形成镀铜层,应用配备有能量耗散X-线分光计的电子扫描显微镜(SEM-EDX)和X-线衍射观察异常粒子析出。异常粒子的发生取决于Ti基材预处理方法。预处理加工时机...
研究了电解铜箔制造时旨在防止缺陷的镀铜层上发生的异常粒子成长。在Ti基板上形成镀铜层,应用配备有能量耗散X-线分光计的电子扫描显微镜(SEM-EDX)和X-线衍射观察异常粒子析出。异常粒子的发生取决于Ti基材预处理方法。预处理加工时机械抛光发生的Ti粒子与异常粒子成长有关。Ti粒子附近的铜的取向不同于其它部分的镀层。因此Ti粒子与异常粒子成长有关。
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关键词
异常
粒子
成长
电解铜箔
钛
(
ti
)
粒子
电沉积
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职称材料
题名
电解铜箔中异常粒子成长的解析
被引量:
2
1
作者
蔡积庆(编译)
机构
江苏南京
出处
《印制电路信息》
2010年第5期35-38,共4页
文摘
研究了电解铜箔制造时旨在防止缺陷的镀铜层上发生的异常粒子成长。在Ti基板上形成镀铜层,应用配备有能量耗散X-线分光计的电子扫描显微镜(SEM-EDX)和X-线衍射观察异常粒子析出。异常粒子的发生取决于Ti基材预处理方法。预处理加工时机械抛光发生的Ti粒子与异常粒子成长有关。Ti粒子附近的铜的取向不同于其它部分的镀层。因此Ti粒子与异常粒子成长有关。
关键词
异常
粒子
成长
电解铜箔
钛
(
ti
)
粒子
电沉积
Keywords
abnormal grain growth
electroly
ti
c copper foil
ti
tanium par
ti
cle
electro deposi
ti
on
分类号
TN41 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
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被引量
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1
电解铜箔中异常粒子成长的解析
蔡积庆(编译)
《印制电路信息》
2010
2
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